為了提高光刻技術(shù)的分辨率，多種提高分辦率的技術(shù)被開(kāi)發(fā)出來(lái)，這也使得光學(xué)光刻的應(yīng)用可以擴(kuò)展到先進(jìn)集成電路制造中。移相掩?？梢酝ㄟ^(guò)降低系統(tǒng)常數(shù)提高光刻技術(shù)的分辦率，又被稱為相移掩?；蛳辔灰蒲谀？凇⒁粋€(gè)很小的孤立圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到光刻膠上并不困難，但將許多緊密排列在一起的微小圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到光刻膠上就很有挑戰(zhàn)性，因?yàn)楣獾难苌浜透缮鏁?huì)導(dǎo)致相鄰部分的光強(qiáng)相互疊加，從而造成投影對(duì)比度不足，使圖形扭曲變形。為了解決這個(gè)問(wèn)題，人們引入了移相掩模技術(shù)。移相掩模的原理是，硅片表面成像光強(qiáng)度是由掩模上各個(gè)透光孔產(chǎn)生的衍射波組合確定的.因此可以在掩模版上的開(kāi)口部分（明亮區(qū)或透明區(qū)）以間隔的方式形成相位移圖形，通過(guò)沒(méi)有相位移涂敷開(kāi)口部分的光線，會(huì)與通過(guò)有相位移涂敷開(kāi)口部分的光線產(chǎn)生破壞性干涉；由于感光材料接收的光強(qiáng)正比于光波振幅的二次方，所以相反的相位移可以提高高密度排列區(qū)圖像對(duì)比度。

光刻圖形質(zhì)量的主要判據(jù)是圖形成像的對(duì)比度，移相掩模方法可使對(duì)比度得到改善，從而使得其分辨率比傳統(tǒng)方法改善 40%~100%。移相掩模按不同的分類方法可分為多種類型，其基本原理均為相鄰?fù)腹鈭D形透過(guò)的光振幅相位相反而產(chǎn)生相消干涉，振幅零點(diǎn)和（或）頻譜分布?jí)赫瑥亩纳茖?duì)比度、分辦率和成像質(zhì)量。

移相掩模技術(shù)大體上可分為交替式移相掩模 ( Alternate Phase-Shift Mask, Alt-PSM)、衰減式移相掩模 ( Attenuate Phase - Shift Mask, Att -PSM)、邊緣增強(qiáng)型相移掩模、無(wú)鉻全透明移相掩模及復(fù)合移相掩模等類別，其中以 Alt-PSM 和無(wú)鉻全透明移相掩模兩種方式對(duì)分辦率改善最為顯著，為實(shí)現(xiàn)亞波長(zhǎng)光刻創(chuàng)造了可能。但是，這兩種掩模的制備工藝過(guò)于復(fù)雜，因此工業(yè)界使用最多的是衰減式移相掩模，以及在此基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)的不透光鉬硅掩模(Opaque MoSi on Glass, OMOG)。OMOG 技術(shù)具有較小的掩模誤差影響因子，可提升光刻品質(zhì)和成品率。