在NAND閃存的應(yīng)用中，程序/擦除周期存在一個限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當每個塊的P/E周期達到最大值時，這些塊將變得不可工作，需要一個備用塊來替換它。當這些備用塊用完時，此NAND閃存將無法再使用。因此，如果只寫入和擦除某些塊，這些特定塊的P/E周期將被迅速消耗，備用塊將很快耗盡，導(dǎo)致NAND閃存提前失效。

有三種類型的磨損均衡：動態(tài)、靜態(tài)和全局。動態(tài)磨損均衡僅處理可用空間，并確保寫入行為僅發(fā)生在同一空間中擦除計數(shù)較低的塊中。靜態(tài)磨損均衡考慮了整個閃存芯片，包括已寫入的空白區(qū)域和塊。此技術(shù)將數(shù)據(jù)從擦除次數(shù)較少的塊移動到其他塊，以便可以將寫入時間較短的塊留給將來使用。最后，還有全局磨損均衡，其中與靜態(tài)磨損均衡的最大區(qū)別在于其范圍擴展到整個設(shè)備，而靜態(tài)磨損均衡僅適用于單個閃存芯片。這可確保寫入行為發(fā)生在整個設(shè)備中寫入頻率較低的塊中。

NAND 閃存控制器的供應(yīng)商在開發(fā)時必須考慮 NAND 的此功能。因此，磨損均衡旨在允許NAND閃存在整個模塊使用過程中均勻分布，以便所有模塊的市盈率在相同數(shù)據(jù)下上升。該技術(shù)允許在產(chǎn)品達到其生命周期之前徹底使用所有模塊，從而延長了NAND閃存的使用壽命。因此，磨損均衡技術(shù)可以提高NAND閃存產(chǎn)品的可靠性和耐用性。

審核編輯：郭婷