盛美半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司對(duì)其300mm Ultra Fn立式爐干法工藝平臺(tái)進(jìn)行了功能擴(kuò)展，研發(fā)出新型Ultra Fn A立式爐設(shè)備。該設(shè)備的熱原子層沉積（ALD）功能豐富了盛美上海立式爐系列設(shè)備的應(yīng)用。首臺(tái)Ultra Fn A立式爐設(shè)備已于9月底運(yùn)往中國一家先進(jìn)的邏輯制造商。

盛美上海董事長(zhǎng)王暉表示：“隨著邏輯節(jié)點(diǎn)的不斷縮小，越來越多的客戶為滿足其先進(jìn)的工藝要求，努力尋找愿意合作的供應(yīng)商共同開發(fā)。ALD是先進(jìn)節(jié)點(diǎn)制造中增長(zhǎng)最快的應(yīng)用之一，是本公司立式爐管系列設(shè)備的關(guān)鍵性新性能。得益于對(duì)整個(gè)半導(dǎo)體制造工藝的深刻理解和創(chuàng)新能力，我們能夠迅速開發(fā)全新的濕法和干法設(shè)備，以滿足新興市場(chǎng)的需求。全新ALD立式爐設(shè)備基于公司現(xiàn)有的立式爐設(shè)備平臺(tái)，搭載差異化創(chuàng)新設(shè)計(jì)，軟件算法優(yōu)化等實(shí)現(xiàn)原子層吸附和均勻沉積。”

盛美上海新型熱ALD設(shè)備可沉積氮化硅（SiN）和碳氮化硅（SiCN）薄膜。出廠的首臺(tái)Ultra Fn A設(shè)備將用于28納米邏輯制造流程，以制造側(cè)壁間隔層。此工藝要求刻蝕速率極低，且臺(tái)階覆蓋率良好，與其他實(shí)現(xiàn)模式相比，Ultra Fn A立式爐設(shè)備在模擬中實(shí)現(xiàn)了均一性的改善。

Ultra Fn A的特點(diǎn)

盛美上海Ultra Fn A設(shè)備以Ultra Fn立式爐設(shè)備平臺(tái)的成功為基礎(chǔ)，能滿足原子層沉積工藝的同時(shí)具備低累積膜厚氣體清洗功能，保證顆粒的穩(wěn)定性。Ultra Fn A立式爐設(shè)備聚焦核心技術(shù)研發(fā)，力求滿足高產(chǎn)能批式ALD工藝的高端要求。

可通過簡(jiǎn)單改變微小的組件和細(xì)微的布局對(duì)設(shè)備進(jìn)行個(gè)性化定制，這使得新型ALD工藝的開發(fā)得以迅速提升。其創(chuàng)新設(shè)計(jì)還巧妙融合了盛美上海成熟的軟件技術(shù)、可提高耐用性和可靠性的新硬件以及盛美上海獨(dú)家專利工藝控制IP，以實(shí)現(xiàn)快速而穩(wěn)定的工藝控制。

審核編輯：湯梓紅