據(jù)麥姆斯咨詢報道，近日，中國科學(xué)院微電子研究所的研究人員在《物理學(xué)報》期刊上發(fā)表了題為“高功率密度多結(jié)級聯(lián)905nm垂直腔面發(fā)射激光器”的最新論文，針對激光雷達等三維傳感應(yīng)用，設(shè)計并制備了905nm波長的高功率密度5結(jié)級聯(lián)垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL），制備的5結(jié)級聯(lián)VCSEL單管（氧化孔徑8μm）的功率轉(zhuǎn)換效率高達55.2%；其最大斜率效率為5.4W/A，約為相同孔徑單結(jié)VCSEL的5倍。窄脈沖條件下（脈沖寬度為5.4ns，占空比0.019%），5結(jié)級聯(lián)19單元VCSEL陣列（單元孔徑20μm）的峰值輸出功率達到58.3W，對應(yīng)的峰值功率密度高達1.62kW/mm2。對不同孔徑器件的光電特性進行了測試和分析。結(jié)果顯示，這些器件的最大斜率效率均大于5.4W/A, 最大功率轉(zhuǎn)換效率均大于54%。這些高性能VCSEL器件可作為激光雷達等三維傳感應(yīng)用的理想光源。

近年來，三維（3D）傳感技術(shù)在消費電子、醫(yī)療、工業(yè)等領(lǐng)域的應(yīng)用越來越重要。在3D傳感技術(shù)中，紅外光源作為光發(fā)射器，是必不可少的元件。常用的紅外光源主要包括紅外發(fā)光二極管（IR LED），半導(dǎo)體邊發(fā)射激光器（EEL）和VCSEL。VCSEL垂直于襯底出光，不僅可以實現(xiàn)在片測試，而且可以容易集成二維陣列，通過控制陣列單元數(shù)目就可以實現(xiàn)出光功率的縮放，對優(yōu)化輸出功率提供了很大的靈活性。此外，VCSEL還具有高可靠性、低制造成本、圓形光斑、溫度穩(wěn)定性高等優(yōu)勢。因此，VCSEL越來越受重視，并正在逐漸成為激光雷達等3D傳感應(yīng)用的首選光源。

相比于傳統(tǒng)的單結(jié)VCSEL器件，多結(jié)級聯(lián)VCSEL在外延生長過程中，將多個有源區(qū)在同一個諧振腔內(nèi)通過隧道結(jié)串聯(lián)起來，從而可以獲得較大的增益。在不增加芯片面積的情況下，多結(jié)級聯(lián)VCSEL的光輸出功率相對于同孔徑單結(jié)VCSEL的輸出功率呈倍數(shù)提升，不僅可以獲得較高的功率密度，而且能夠大大地提高VCSEL器件的功率轉(zhuǎn)換效率（PCE）。此外，增益的提高可以降低多結(jié)VCSEL的工作電流，從而減小驅(qū)動電路的功耗和成本，也可以實現(xiàn)電壓和電流的折中優(yōu)化以提高驅(qū)動電路的兼容性。

如今，隨著中遠程激光雷達等應(yīng)用對VCSEL器件提出了更高的功率需求，許多VCSEL制造商如Lumentum、Osram等也加大了多結(jié)級聯(lián)VCSEL的研發(fā)力度。

基于此，本文針對激光雷達等3D傳感應(yīng)用，設(shè)計并制備了905nm波長的高功率密度5結(jié)級聯(lián)VCSEL器件，并對多結(jié)VCSEL的設(shè)計、器件結(jié)構(gòu)和輸出特性進行了詳細的分析和討論。

器件設(shè)計和制備

本文設(shè)計的5結(jié)級聯(lián)VCSEL器件的結(jié)構(gòu)示意圖如圖1（a）所示。采用金屬有機物化學(xué)氣相沉積（MOCVD）首先在GaAs襯底上生長40對N型Al0.12Ga0.88As/Al0.9Ga0.1As分布布拉格反射鏡（N-DBR）。接著，在N-DBR上方外延生長5個有源區(qū)，每個有源區(qū)包含3對6nm厚的In0.12Ga0.88As量子阱層和8nm厚的Al0.3Ga0.7As勢壘層。有源區(qū)之間通過厚度為25nm的重摻雜GaAs隧道結(jié)連接起來。需要注意的是，由于隧道結(jié)摻雜濃度很高，為了減小隧道結(jié)的光吸收損耗，需要將隧道結(jié)置于駐波場的波節(jié)上；而為了增大光增益，需要將量子阱放置在駐波場的波腹處，如圖1（b）所示。每個有源區(qū)上方均放置一層Al0.98Ga0.02As高鋁組分層，利用濕法氧化將其外圍氧化為絕緣的AlOx，就可以將每個有源區(qū)的注入電流限制在氧化孔內(nèi)，從而減少電流擴展，提高器件的微分量子效率。待整個有源區(qū)生長完成后，在其上方生長15 對P型Al0.12Ga0.88As/Al0.9Ga0.1As分布布拉格反射鏡（P-DBR），最后外延生長歐姆接觸層。

圖1（a）5結(jié)級聯(lián)VCSEL的結(jié)構(gòu)示意圖，插圖為制備得到的實際器件；（b）駐波場中量子阱和隧道結(jié)的位置示意圖

器件的制作過程如下。首先，在出光孔外圍制作環(huán)形Ti/Pt/Au歐姆接觸P電極. 然后，采用感應(yīng)耦合等離子體（ICP）刻蝕至N-DBR，將VCSEL臺面所有的高鋁層暴露出來。接著，采用濕法氧化法將高鋁層外圍氧化，形成氧化孔。接下來，在P電極上方電鍍3μm厚金，改善橫向散熱，有利于提高器件的溫度特性。然后，將襯底減薄至150μm，并在其表面蒸發(fā)AuGeNi/Au形成N型電極。最后，對器件進行快速熱退火，形成良好的歐姆接觸。為了更好地分析5結(jié)級聯(lián)VCSEL的光電性能，不僅制備了不同孔徑的器件，同時還采用相同的工藝制備了905nm單結(jié)VCSEL器件作為對比。

性能測試

在室溫連續(xù)（CW）條件下，8μm氧化孔徑的5結(jié)級聯(lián)VCSEL單管的光功率-電流（L-I）特性、電壓-電流（V-I）特性、PCE、以及光譜如圖2（a）—（d）所示。相同孔徑的單結(jié)VCSEL的測試特性曲線也呈現(xiàn)在圖中作為對比。5結(jié)級聯(lián)VCSEL相對于單結(jié)VCSEL器件，在功率、斜率效率及PCE等方面具有較大的擴展能力，在許多大功率應(yīng)用方面具有更大的優(yōu)勢。

圖2 氧化孔徑8μm的5結(jié)VCSEL與單結(jié)VCSEL在室溫CW條件下的測試結(jié)果（a）L-I曲線；（b）V-I曲線；（c）PCE-L曲線；（d）5結(jié)VCSEL在1mA下的光譜

在CW條件下測試了不同孔徑的5結(jié)級聯(lián)VCSEL單管的光電特性，如圖3所示。從圖3（a）所示的L-I曲線可以發(fā)現(xiàn)，隨著氧化孔徑從8μm增大到20μm，器件的閾值從0.6mA增大到2mA；器件的最大功率從33.5mW增大到70.2mW。從圖3（a）中還可以看出，孔徑越大，器件的熱翻轉(zhuǎn)電流越大，這是因為大孔徑器件的有源區(qū)面積更大，電流密度更低。隨著孔徑增大，器件的最大PCE沒有發(fā)生明顯變化，如圖3（c）所示。將不同孔徑器件的最大PCE和最大SE提取到圖3（d）中，可以發(fā)現(xiàn)，所有器件的最大斜率效率均大于5.4W/A，最大PCE均大于54%，展示出很好的性能均一性。

圖3 不同氧化孔徑5結(jié)VCSEL器件在室溫下（a）L-I曲線；（b）V-I曲線；（c）PCE-I曲線；（d）最大PCE和SE隨孔徑的變化

最后，研究人員制備了19單元5結(jié)VCSEL陣列，單元氧化孔徑為20μm，制備得到的實際陣列及其尺寸如圖4（a）所示。整個陣列有源區(qū)的直徑為0.214mm，陣列的總發(fā)光面積為0.036mm2。測試了該19單元VCSEL陣列在窄脈沖條件下（脈沖寬度5.4ns，占空比0.019%）不同驅(qū)動電路板電壓下的峰值輸出功率。圖4（b）是驅(qū)動電路板電壓為25V下測得的陣列光功率響應(yīng)曲線，可以看出，脈沖寬度（半高全寬）為5.4ns。圖6（c）展示了19單元陣列的峰值輸出功率隨驅(qū)動板電壓的變化，可以發(fā)現(xiàn)，峰值功率隨著驅(qū)動板電壓先線性增大后趨近飽和，測得的最大峰值功率達到58.3W，對應(yīng)的最大峰值功率密度為1.62kW/mm2。這種高峰值功率、高功率密度的多結(jié)級聯(lián)VCSEL陣列在中遠距離激光雷達的應(yīng)用中具有誘人的應(yīng)用前景。

圖6（a）制備的19單元5結(jié)VCSEL陣列的俯視圖和尺寸示意圖；（b）驅(qū)動板電壓為25V下陣列的光功率響應(yīng)曲線；（c）19單元陣列的峰值輸出功率隨驅(qū)動板電壓的變化

結(jié)論

設(shè)計并制備了5結(jié)級聯(lián)905nm VCSEL及其陣列，CW條件下不同孔徑的器件最大斜率效率均大于5.4W/A，最大PCE均大于54%。窄脈沖條件下測試得到的19單元5結(jié)VCSEL陣列的最大峰值功率達到58.3W，峰值功率密度為1.62kW/mm2。相對于單結(jié)VCSEL，5結(jié)級聯(lián)VCSEL在輸出功率、斜率效率及功率轉(zhuǎn)換效率等性能上具有較大的優(yōu)勢。下一步會繼續(xù)增加VCSEL的結(jié)數(shù)，以獲得更高的功率密度。另外，也需要解決多結(jié)VCSEL的散熱問題，提高器件的可靠性。

審核編輯：郭婷