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錯(cuò)過大芯片,可不能再錯(cuò)過小芯粒了

廠商快訊 ? 來源:億歐網(wǎng) ? 作者:陳俊一 ? 2022-11-11 10:26 ? 次閱讀
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近日,有消息稱,由于“3nm制程的N3工藝某預(yù)定大客戶”臨時(shí)取消訂單,臺(tái)積電因而大砍供應(yīng)鏈訂單,涉及再生晶圓、關(guān)鍵耗材、設(shè)備等供應(yīng)鏈領(lǐng)域。但臺(tái)積電并不承認(rèn),而是回應(yīng)稱:N3制程進(jìn)度并無改變,預(yù)期2023年將平穩(wěn)量產(chǎn)。

不管這個(gè)砍單的大客戶是不是蘋果,不管手機(jī)市場不景氣是否給臺(tái)積電的多位大客戶們帶來壓力——即使臺(tái)積電3nm制程的進(jìn)度未受拖累,但其產(chǎn)能大概率也將無法再現(xiàn)7nm、5nm時(shí)代的輝煌。臺(tái)積電原定年底3nm初步量產(chǎn)后,月產(chǎn)能能到4.4萬片,但目前預(yù)計(jì)年底產(chǎn)能僅能維持1萬片左右。

而2022年11月相繼發(fā)布的聯(lián)發(fā)科天璣9200和高通驍龍8G2兩款旗艦處理器,采用的都是臺(tái)積電4nm工藝,并沒有使用3nm工藝。而臺(tái)積電4nm工藝本質(zhì)上是臺(tái)積電發(fā)布于2020年的5nm工藝節(jié)點(diǎn)改進(jìn)版改名而已,這一幕其實(shí)在臺(tái)積電6nm工藝時(shí)就發(fā)生過,6nm本質(zhì)上也是7nm工藝節(jié)點(diǎn)的改進(jìn)。

悄悄改名字的小心機(jī)背后,是晶體管微縮技術(shù)發(fā)展的放緩。這也讓人們好奇,摩爾定律要止步于1nm了嗎?在“后摩爾時(shí)代”,Chiplet(芯粒)這種不受限于晶體管制程、而是將各種技術(shù)進(jìn)行異質(zhì)整合的先進(jìn)封裝技術(shù)開始大放異彩,又能否助力中國芯片產(chǎn)業(yè)破除或者緩解“卡脖子”難題?

Chiplet技術(shù)源起

Chiplet技術(shù)所依托的異構(gòu)設(shè)計(jì)思路很早就有,戈登·摩爾早在1964年提出“摩爾定律”的同時(shí)就預(yù)測了摩爾定律“終結(jié)”之后的小芯片異構(gòu)互聯(lián)思路,他指出:屆時(shí)用多個(gè)獨(dú)立封裝的小功能單元互連構(gòu)建大型系統(tǒng)的方法可能會(huì)更經(jīng)濟(jì)。

但Chiplet量產(chǎn)時(shí)間較晚,也就最近幾年才在半導(dǎo)體行業(yè)流行開。海思2014年采用臺(tái)積電16nm FinFET工藝的網(wǎng)絡(luò)芯片CoWoS,就是海思第一片公開的Chiplet設(shè)計(jì)。此后海思設(shè)計(jì)的晟騰910 等芯片也采用了Chiplet設(shè)計(jì)。

而Marvell公司創(chuàng)始人周秀文博士在2015年的國際固態(tài)電路峰會(huì)(ISSCC) 上,則提出了模塊化芯片(MOChi TM)概念:采用 DRAM 存儲(chǔ)器、CPU、GPU 計(jì)算元件、LTE Modem、WiFi、南橋等“模塊化”裸芯片,通過異構(gòu)封裝堆疊成手機(jī)、電腦的處理器。

2017年,美國國防高級(jí)研究計(jì)劃局(DARPA)在名為 CHIPS(Common Heterogeneous Integration and IP Reuse Strategies)的項(xiàng)目中,邀請(qǐng)英特爾、美光、新思科技以及波音、洛克希德等公司參與研發(fā)一種可以替代SoC的模塊化裸芯方案,也即Chiplet。Chiplet以“搭積木”的方法,采用先進(jìn)封裝堆疊連接成“多芯粒模組”(MCM),從過去芯片的組裝變?yōu)榛谛玖5漠悩?gòu)集成。

就以手機(jī)SoC芯片為例,其CPU、GPU、基帶等不同部件在制造上往往要選擇相同的工藝節(jié)點(diǎn),因?yàn)樵趩喂杵到y(tǒng)只能在一個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)上實(shí)現(xiàn)。然而不同部件的工藝需求不同,比如邏輯芯片更青睞先進(jìn)制程,而模擬芯片如果采用先進(jìn)制程可能會(huì)導(dǎo)致漏電、噪聲等問題。

但以往設(shè)計(jì)SoC時(shí),芯片設(shè)計(jì)企業(yè)從不同的 IP 供應(yīng)商購買IP,再結(jié)合自研NPU等模塊,統(tǒng)一都使用先進(jìn)制程集成為一個(gè)SoC,這不僅徒增成本,也會(huì)導(dǎo)致性能上的可能隱患。

而Chiplet模式則可以自由選擇不同裸芯片的工藝,然后通過先進(jìn)封裝來進(jìn)行組裝。那么對(duì)于某些IP,廠家既可以購買之后自己設(shè)計(jì)、流片,也可以買其他企業(yè)實(shí)現(xiàn)好的硅片然后在一個(gè)封裝里集成起來。總之,相比以往相同工藝節(jié)點(diǎn)的SoC芯片制造,Chiplet模式更具靈活性。

盡管英特爾、AMD等X86芯片巨頭都在下注研發(fā)Chiplet技術(shù),但將Chiplet發(fā)揚(yáng)光大的,還是AMD。

2017年,AMD推出了其第一代Epyc服務(wù)器處理器Naples重返數(shù)據(jù)中心市場,基于Zen架構(gòu)核心,最高32核心/64超線程,32核產(chǎn)品采用多芯片模塊(multi-chip module,MCM)架構(gòu),由4個(gè)晶片(die)構(gòu)成,每個(gè)晶片包括 8 個(gè)核心及其他部件。MCM架構(gòu)可謂是Chiplet的前代,但仍有著核心數(shù)擴(kuò)展不易、I/O 器件占比過高等缺點(diǎn)。

2019年AMD又推出了第二代EPYC處理器Rome,基于Zen2架構(gòu)核心,第一次采用了Chiplet設(shè)計(jì)。也就是把DDR內(nèi)存控制器、Infinity Fabric 和 PCIe 控制器等 I/O 器件集中到一個(gè)單獨(dú)的晶片里,即I/O Die(IOD),采用成熟的14nm制程;兩邊布置多達(dá)8個(gè) CCD(Core Complex Die,核心復(fù)合晶片),CCD 內(nèi)部的核心、Cache 等所占面積高達(dá) 86%,可以從7nm 制程中獲得較大的收益。

從第一代的4晶片結(jié)構(gòu),到第二代的9晶片結(jié)構(gòu),Chiplet技術(shù)功不可沒。

到2021年推出第三代EPYC處理器時(shí),經(jīng)過三代產(chǎn)品的接力,AMD僅用五年時(shí)間,其CPU在服務(wù)器市場上的份額就從2017年底的0.8%,回升到2021第四季度的10.7%。

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而且,服務(wù)器市場AMD新品迭發(fā),份額還在迅速增長?;赯en4架構(gòu)的下一代EPYC霄龍數(shù)據(jù)中心處理器“Genoa”(熱那亞)就官宣11月11日發(fā)布,最多96核心192線程。而英特爾受制于Intel 7工藝的拖累,原定去年就發(fā)布的下一代60核心至強(qiáng)處理器Sapphire Rapids量產(chǎn)時(shí)間一拖再拖,延遲到了2023年上半年。集邦咨詢預(yù)計(jì),AMD 2022年底在x86服務(wù)器市場上的份額有望上漲到15%,2023年第四季度甚至可能會(huì)超過22%。

AMD資深副總裁、產(chǎn)品技術(shù)架構(gòu)師Sam Naffziger就曾在ISSCC 2021峰會(huì)上解釋了AMD重用Chiplet技術(shù)的主因,一方面自然是晶圓工藝節(jié)點(diǎn)進(jìn)展緩慢,另一方面則是較小尺寸裸晶具有更高的良率。

通過Chiplet技術(shù),處理器核心可以最先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn),而內(nèi)存和 I/O 控制器功能則可以使用上一代甚至更早的工藝節(jié)點(diǎn),從而在性能和成本之間取得平衡。AMD也就是借助Chiplet瘋狂堆核心,在和英特爾的多年惡斗中少有地占領(lǐng)了一時(shí)上風(fēng)。

蘋果等企業(yè)同樣重視Chiplet。2022年3月,蘋果自研的M1 Ultra,具有 1140 億個(gè)晶體管,成為 Apple 迄今為止最大的硅芯片。而這種芯片尺寸,超出了光刻掩模版尺寸,也自然只能通過Chiplet技術(shù)進(jìn)行系統(tǒng)級(jí)封裝(System on Package,SoP)——M1 Ultra正是由兩枚 M1 Max 晶粒通過UltraFusion 封裝架構(gòu)內(nèi)部互連而成。

Chiplet與中國封測產(chǎn)業(yè)

在芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造和芯片封測三大芯片上下游產(chǎn)業(yè)鏈中,中國最弱的是晶圓制造環(huán)節(jié),而在芯片設(shè)計(jì)、芯片封測領(lǐng)域,則距離第一梯隊(duì)其實(shí)差距并不大。

“幸運(yùn)”的是,Chiplet技術(shù)從半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈分工上,屬于先進(jìn)封裝技術(shù)。要實(shí)現(xiàn) Chiplet這種高靈活度、高性能、低成本的IP 重用模式,首先就要具備先進(jìn)的芯片集成封裝技術(shù)。

而中國封測產(chǎn)業(yè)一大批企業(yè)還是具有技術(shù)先進(jìn)性的。長電科技、通富微電、華天科技、晶方科技、偉測、利揚(yáng)、華潤微電子封裝測試事業(yè)群等封測廠商均有著不俗實(shí)力。2021年長電科技市占率位居全球第三,通富微電、華天科技也分別位列全球第五、六名。

也因此,很多人都對(duì)借助先進(jìn)封測技術(shù),來緩解晶圓代工上先進(jìn)制程的卡脖子之難抱有期待。

華為2021年年報(bào)發(fā)布會(huì)上,華為輪值董事長郭平就表示,用面積換性能,用堆疊換性能,使得不那么先進(jìn)的工藝也能持續(xù)讓華為在未來的產(chǎn)品里面,能夠具有競爭力。這也被很多人解讀為,華為在Chiplet技術(shù)上在著手準(zhǔn)備。

隨著行業(yè)進(jìn)入后摩爾時(shí)代,Chiplet等技術(shù)也確實(shí)帶來更多想象力。

浙江大學(xué)微納電子學(xué)院院長吳漢明就指出,從制造成本上來看,28nm以前的工藝制造成本下降速度較快,但28nm之后制造成本下降趨緩;能性能上看,2002年以前芯片每年可以提升52%,2002年到2014年,每年提升降為12%,而2014年之后,性能每年僅能提升3.5%左右。

英特爾被網(wǎng)友戲稱為“牙膏廠”,也正是因?yàn)?014年之后酷睿一直在14nm工藝節(jié)點(diǎn)止步不前、每代酷睿IPC提升大都是個(gè)位百分?jǐn)?shù)。

為了在后摩爾時(shí)代實(shí)現(xiàn)芯片算力的持續(xù)增長,吳漢明提出了三條突破途徑:三維異質(zhì)集成晶圓級(jí)集成、存算一體范式、可重構(gòu)計(jì)算架構(gòu)。實(shí)際上,上述三種技術(shù)路徑,都與Chiplet技術(shù)有著千絲萬縷的關(guān)系。

長電科技CEO鄭力在2021年的一場演講中就指出,后道成品制造在產(chǎn)業(yè)鏈中的地位愈發(fā)重要,有望成為集成電路產(chǎn)業(yè)新的制高點(diǎn),如先進(jìn)封裝就可能成為后摩爾時(shí)代的重要顛覆性技術(shù)之一。

清華大學(xué)教授魏少軍也指出,雖然封測業(yè)看似仍以加工為主要特點(diǎn),一度被認(rèn)為技術(shù)含量不高,但未來,以三維混合鍵合技術(shù)為代表的微納系統(tǒng)集成有可能改變整個(gè)產(chǎn)業(yè)格局,前道后道工序相結(jié)合,甚至在前道工藝當(dāng)中嵌入后道,后道當(dāng)中集成前道,將成為一種大的趨勢,這給封測業(yè)、設(shè)計(jì)業(yè)、制造業(yè)提出了全新的挑戰(zhàn)。

這也意味著,封裝產(chǎn)業(yè)中先進(jìn)封裝的占比將會(huì)越來越高。調(diào)研機(jī)構(gòu) Yole預(yù)計(jì),2021年先進(jìn)封裝的市場規(guī)模約為350億美元,占全部封裝(約777億美元)的比例約為45%;2025年占比將增長到49.4%,將成為全球封裝市場的主要增量。

先進(jìn)封裝比例的提高,也意味著封裝、測試產(chǎn)業(yè)整體占集成電路產(chǎn)業(yè)的份額也會(huì)提高。?中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示,2021年中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額為10458.3億元。其中設(shè)計(jì)業(yè)、制造業(yè)?、封測業(yè)的占比為43.2%:30.4%:26.4%。而世界集成電路產(chǎn)業(yè)三業(yè)結(jié)構(gòu)合理占比(設(shè)計(jì):晶圓:封測)為3:4:3,隨著Chiplet技術(shù)在封測行業(yè)中的更多應(yīng)用,也許中國封測產(chǎn)業(yè)的占比將在短期內(nèi)就達(dá)到、超過30%。

異構(gòu)集成能否助力彎道超車

?Chiplet技術(shù)作為一種異構(gòu)集成的封裝方案,在摩爾定律接近極限之時(shí),被很多人寄予厚望:既然先進(jìn)制程被卡脖子,那么能否借助Chiplet等新技術(shù),使用國產(chǎn)化程度更高的成熟制程實(shí)現(xiàn)高算力來破除卡脖子難題?

思考這個(gè)問題之前,其實(shí)可以思考另一個(gè)問題:AMD從被英特爾按在地上摩擦,到有反身之力,靠的更多是Chiplet技術(shù),還是臺(tái)積電的先進(jìn)制程?

2017年,AMD借助Zen架構(gòu)的銳龍?zhí)幚砥髟俅位氐轿枧_(tái),但是第一代Zen架構(gòu)雖然優(yōu)秀,并未給到英特爾壓力。第一代Zen微架構(gòu)的處理器主要都是在格羅方德位于美國紐約州的Fab 8廠制造,制程工藝14nm LPP。但格羅方德的14nm工藝并不足以與當(dāng)時(shí)英特爾改進(jìn)數(shù)代的14nm工藝相比,AMD不得不在2017年又以1億美元的代價(jià)修訂與格羅方德的合同,不再排除讓三星、臺(tái)積電代工制造的可能。

實(shí)際上,正是在臺(tái)積電7nm先進(jìn)制程下的加持下,Zen3架構(gòu)的芯片性能才真正超過英特爾。甚至于Zen3用一代處理器扛住了英特爾基本同時(shí)期的三代酷睿(10代、11代、12代):完全碾壓10代、大幅超越11代、甚至與12代還能互有勝負(fù),直到英特爾13代酷睿才大幅領(lǐng)先Zen3架構(gòu)。

而近日,AMD正式發(fā)布了新一代旗艦GPU RX 7000系列,采用RDNA3內(nèi)核GPU。蘇姿豐特別強(qiáng)調(diào)說,RDNA3是全球第一款“Chiplet”游戲GPU,將一組有不同特定功能的獨(dú)立芯片裸片分別制造,然后封裝集成在一起,從而實(shí)現(xiàn)更具彈性的設(shè)計(jì)、更高良率和更低成本

此前AMD憑借制程工藝的優(yōu)勢,在芯片頻率、能效比方面較英偉達(dá)同代產(chǎn)品具有一定技術(shù)優(yōu)勢,但市場競爭中依然不敵英偉達(dá)。但英偉達(dá)RTX40系列顯卡也將從三星換用臺(tái)積電4nm,英偉達(dá)在補(bǔ)齊了能效比方面的短板后,失去先進(jìn)制程優(yōu)勢的AMD要用什么對(duì)抗擁有壟斷地位的英偉達(dá)?

怪不得蘇姿豐拿Chiplet技術(shù)作為AMD最新GPU的一個(gè)亮點(diǎn)去介紹了。但GPU岌岌可危,CPU同樣不容樂觀,英特爾13代酷睿對(duì)比AMD的Zen4架構(gòu)又拉開了不少差距,Zen3時(shí)代借助臺(tái)積電先進(jìn)制程優(yōu)勢帶來的“AMD,YES”,恐怕難以再現(xiàn)。

顯然,Chiplet技術(shù)幫助AMD雪中送炭,但卻沒有幫助AMD進(jìn)一步錦上添花,以對(duì)抗用更多小核心?;ㄕ械挠⑻貭?。

但Chiplet技術(shù),對(duì)于亟需突破先進(jìn)制程封鎖的中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言,卻不能雪中送炭,而是可以幫助中國芯片設(shè)計(jì)企業(yè)、晶圓代工企業(yè)在異構(gòu)集成技術(shù)上有一定積累之后的錦上添花。這一點(diǎn)恰好與Chiplet技術(shù)在AMD上的效果相反。

?在核心的處理上,對(duì)次級(jí)晶圓屏蔽部分核心區(qū)分于高端芯片,是常見的做法,不過一般都會(huì)保持對(duì)稱的偶數(shù)核心。但AMD更加大膽,再將沒有達(dá)到要求的核心屏蔽掉,就有了原生四核架構(gòu)的雙核、甚至“三腳貓”三核CPU,如Phenom II X3和X2系列處理器。

既然能夠屏蔽核心,也同樣可以用Chiplet形式增加核心?;蛟SAMD對(duì)于Chiplet技術(shù)的熱衷,就與其從屏蔽核心時(shí)代走來有關(guān)。畢竟在屏蔽核心上,AMD比英特爾玩出過更多花樣。

先進(jìn)制程的重要性,是Chiplet技術(shù)難以彎道超車的。哪怕Chiplet技術(shù)允許先進(jìn)制程和成熟制程異構(gòu)連接,但也需要不同核心中性能取向部分采用先進(jìn)制程。如果都采用成熟制程“搭積木”,盡管可以取得部分成效,但也難以替代先進(jìn)制程。

業(yè)內(nèi)專家莫大康也指出,從國際上Chiplet技術(shù)較為領(lǐng)先的企業(yè)來看,Chiplet技術(shù)并目前非由封裝企業(yè)來主導(dǎo),而是由Fabless企業(yè)主導(dǎo),外加代工產(chǎn)業(yè)的大力支持。這是由于Chiplet技術(shù)涉及很多不同的產(chǎn)業(yè),例如,涉及如何分割、分割后的聯(lián)結(jié)、RDL技術(shù)、重新布線等。

對(duì)于中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言,由于封裝技術(shù)往往是由封裝企業(yè)來主導(dǎo),因此,Chiplet等先進(jìn)技術(shù)僅由封裝廠來操作就有一定的困難,缺乏國際上Fabless企業(yè)、晶圓代工企業(yè)互相配合積累的“know-how”,預(yù)計(jì)還需要較長時(shí)間磨合。

不過,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有著“需求產(chǎn)生-供不應(yīng)求-價(jià)格上漲-擴(kuò)充產(chǎn)能-產(chǎn)能過剩-價(jià)格下跌-重新洗牌”的周期規(guī)律。我們也并不會(huì)把彎道超車的念想放在一項(xiàng)Chiplet技術(shù)上。在行業(yè)周期下行之時(shí),更多半導(dǎo)體企業(yè)只要找準(zhǔn)新技術(shù)風(fēng)口,抓住重新洗牌的機(jī)會(huì),未嘗不能超車。?

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    的頭像 發(fā)表于 09-25 17:18 ?887次閱讀

    技術(shù)的專利保護(hù)挑戰(zhàn)與應(yīng)對(duì)策略

    涉及的專利保護(hù)問題多樣且復(fù)雜。技術(shù):后摩爾時(shí)代的創(chuàng)新突破系統(tǒng)級(jí)芯片(System-on-a-Chip,簡稱SoC)作為集成電路領(lǐng)域的核心產(chǎn)品,能夠在單一封裝內(nèi)
    的頭像 發(fā)表于 09-18 12:15 ?739次閱讀
    <b class='flag-5'>芯</b><b class='flag-5'>粒</b>技術(shù)的專利保護(hù)挑戰(zhàn)與應(yīng)對(duì)策略

    【「AI芯片:科技探索與AGI愿景」閱讀體驗(yàn)】+半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)的前沿技術(shù)

    周期 EUV光源生成方法: NIL技術(shù): 各種光刻技術(shù)的關(guān)鍵參數(shù)及瓶頸 二、集成芯片 1、與異質(zhì)集成 集成芯片技術(shù)支持異質(zhì)集成,即把不同半導(dǎo)體廠家、不同功能、不同工藝節(jié)點(diǎn)、不同材質(zhì)
    發(fā)表于 09-15 14:50

    技術(shù)資訊 I 基于(小晶片)的架構(gòu)掀起汽車設(shè)計(jì)革命

    的通信能力的支持,以提升車輛性能、舒適性和安全性。芯片行業(yè)的關(guān)鍵進(jìn)展之一是(小晶片)技術(shù)的橫空出世。(小晶片)具有靈活、可擴(kuò)展且經(jīng)濟(jì)
    的頭像 發(fā)表于 09-12 16:08 ?450次閱讀
    技術(shù)資訊 I 基于<b class='flag-5'>芯</b><b class='flag-5'>粒</b>(小晶片)的架構(gòu)掀起汽車設(shè)計(jì)革命

    微電子所在集成電遷移EDA工具研究方向取得重要進(jìn)展

    隨著高性能人工智能算法的快速發(fā)展,(Chiplet)集成系統(tǒng)憑借其滿足海量數(shù)據(jù)傳輸需求的能力,已成為極具前景的技術(shù)方案。該技術(shù)能夠提供高速互連和大帶寬,減少跨封裝互連,具備低成本、高性能等顯著
    的頭像 發(fā)表于 09-01 17:40 ?467次閱讀
    微電子所在<b class='flag-5'>芯</b><b class='flag-5'>粒</b>集成電遷移EDA工具研究方向取得重要進(jìn)展

    奇異摩爾出席第三屆開發(fā)者大會(huì)AI芯片與系統(tǒng)分論壇

    近日,第三屆開發(fā)者大會(huì)圓滿落幕。大會(huì)在“集成芯片前沿技術(shù)科學(xué)基礎(chǔ)”重大研究計(jì)劃指導(dǎo)下,由中國科學(xué)院計(jì)算技術(shù)研究所、中國電子科技集團(tuán)公司第五十八研究所聯(lián)合主辦,共有50余名嘉賓做報(bào)告,吸引
    的頭像 發(fā)表于 07-22 11:34 ?964次閱讀

    科技亮相第三屆開發(fā)者大會(huì)

    在剛剛于無錫圓滿落幕的第三屆開發(fā)者大會(huì)——這場匯聚全球頂尖芯片企業(yè)、科研機(jī)構(gòu)及產(chǎn)業(yè)鏈專家的盛會(huì)上,行科技作為國內(nèi)Signoff領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè),受邀發(fā)表
    的頭像 發(fā)表于 07-18 10:22 ?707次閱讀

    恒電位儀的輸出電流過小過大的原因

    ,如芯片故障、程序錯(cuò)誤或線路連接不良,可能導(dǎo)致對(duì)輸出電流的控制不準(zhǔn)確,使其輸出過小。 電源問題:電源電壓不穩(wěn)定或電源功率不足,無法為恒電位儀提供足夠的能量,會(huì)導(dǎo)致輸出電流受限。 外部連接問題 陽極連接不良:陽極是
    的頭像 發(fā)表于 03-27 15:37 ?562次閱讀
    恒電位儀的輸出電流<b class='flag-5'>過小</b>或<b class='flag-5'>過大</b>的原因

    Arm正式發(fā)布系統(tǒng)架構(gòu)首個(gè)公開規(guī)范

    近期,Arm控股有限公司宣布其系統(tǒng)架構(gòu)(CSA)正式推出了首個(gè)公開規(guī)范。這一舉措旨在進(jìn)一步推動(dòng)技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化進(jìn)程,并有效減少行業(yè)碎片化現(xiàn)象,為
    的頭像 發(fā)表于 02-08 15:19 ?868次閱讀

    Arm宣布其系統(tǒng)架構(gòu)正式推出首個(gè)公開規(guī)范

    Arm 控股有限公司(納斯達(dá)克股票代碼:ARM,以下簡稱“Arm”)宣布其系統(tǒng)架構(gòu) (Chiplet System Architecture, CSA) 正式推出首個(gè)公開規(guī)范,進(jìn)一步推動(dòng)
    的頭像 發(fā)表于 01-24 16:07 ?701次閱讀

    Arm發(fā)布系統(tǒng)架構(gòu)首個(gè)公開規(guī)范

    近日,Arm控股有限公司(納斯達(dá)克股票代碼:ARM,以下簡稱“Arm”)宣布一項(xiàng)重要進(jìn)展,其系統(tǒng)架構(gòu)(CSA)已正式推出首個(gè)公開規(guī)范。這一舉措標(biāo)志著
    的頭像 發(fā)表于 01-24 14:07 ?781次閱讀

    今日看點(diǎn)丨Arm 發(fā)布系統(tǒng)架構(gòu)首個(gè)公開規(guī)范;納微推出車規(guī)級(jí)D類音頻功率放大器

    1. Arm 發(fā)布系統(tǒng)架構(gòu)首個(gè)公開規(guī)范,加速芯片技術(shù)演進(jìn) ? Arm 控股有限公司宣布其系統(tǒng)架構(gòu) (CSA) 正式推出首個(gè)公開規(guī)范,
    發(fā)表于 01-24 11:18 ?1533次閱讀