chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

中國(guó)第3代半導(dǎo)體半導(dǎo)體理想封裝材料——高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板突破“卡脖子”難題

科技新領(lǐng)軍 ? 來(lái)源:科技新領(lǐng)軍 ? 作者:科技新領(lǐng)軍 ? 2022-11-11 16:36 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

2022年9月,威海圓環(huán)先進(jìn)陶瓷股份有限公司生產(chǎn)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格0.32mmX139.7mmX190.5mm的高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板已經(jīng)達(dá)到量產(chǎn)規(guī)模,高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板各項(xiàng)理化指標(biāo)到了國(guó)際上行業(yè)領(lǐng)軍的質(zhì)量水平,突破了西方先進(jìn)國(guó)家在高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板的技術(shù)保護(hù)和應(yīng)用產(chǎn)品對(duì)我國(guó)“卡脖子”難題。

基板向前路 七載畫(huà)圓環(huán)

地處威海臨港經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)的威海圓環(huán)先進(jìn)陶瓷股份有限公司歷時(shí)七年,在研制高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板過(guò)程中,抓住細(xì)節(jié),把握核心,不斷發(fā)現(xiàn)和解決各類(lèi)生產(chǎn)的難題,先后研制出了高絕緣氮化硅陶瓷基板,導(dǎo)電氮化硅陶瓷基板和高韌性氮化硅陶瓷基板,生產(chǎn)出了不同用途的系列產(chǎn)品。

poYBAGNuCDyARrHcAANsq8k9VJk519.png

▲威海圓環(huán)生產(chǎn)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格0.32mmX139.7mmX190.5mm的高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板

眾所周知,目前世界已經(jīng)進(jìn)入第三代半導(dǎo)體發(fā)展的關(guān)鍵時(shí)期,高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板在美國(guó)和日本等西方先進(jìn)國(guó)家都有成熟的產(chǎn)品。但是,作為智能信息時(shí)代大功率第三代半導(dǎo)體器件的重要的配套材料-高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板,美國(guó)和日本等西方國(guó)家對(duì)我國(guó)不但實(shí)施產(chǎn)品封鎖、技術(shù)封鎖,還用《瓦格納協(xié)議》封鎖,美國(guó)政府用《半導(dǎo)體法案》對(duì)我國(guó)進(jìn)行封鎖。在這種艱難的條件之下,2015年9月,威海圓環(huán)先進(jìn)陶瓷股份有限公司開(kāi)啟了高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板技術(shù)研發(fā)自主創(chuàng)新之路,開(kāi)始謀畫(huà)中國(guó)氮化硅陶瓷基板之圓。

迭代產(chǎn)品優(yōu) 潛力無(wú)限好

目前應(yīng)用廣泛的絕緣陶瓷基板主要是氧化鋁陶瓷基板、氮化鋁陶瓷基板、氮化硼陶瓷基板、氧化鈹陶瓷基板和氮化硅陶瓷基板五種。

氧化鋁陶瓷基板雖然導(dǎo)熱性差,驟冷驟熱循環(huán)次數(shù)僅僅200余次,跟不上大功率半導(dǎo)體的發(fā)展,但其制造工藝成熟且成本低廉,在中低端領(lǐng)域仍有較大的市場(chǎng)需求。

氮化鋁陶瓷基板的導(dǎo)熱性最好,且與半導(dǎo)體材料有很好的匹配性,可用于高端行業(yè),但是氮化鋁陶瓷基板機(jī)械性能和抗熱震性能差,影響半導(dǎo)體器件可靠性,使用成本較高。

氮化硼陶瓷基板可以在非常高的溫度下保持很高的化學(xué)和機(jī)械穩(wěn)定性,同時(shí)BN陶瓷的熱導(dǎo)率與常溫不銹鋼相當(dāng),介電性能好。BN比大多數(shù)陶瓷脆性好,熱膨脹系數(shù)小,抗熱震性強(qiáng),能承受1500℃以上溫差的急劇變化。但立方BN太貴,不能用于生產(chǎn)高導(dǎo)熱陶瓷材料。熱膨脹系數(shù)與硅的不匹配也限制了它的應(yīng)用。

氧化鈹陶瓷基板導(dǎo)熱性好,在高溫、高頻下,介電性能好,耐熱性好,化學(xué)穩(wěn)定性好耐熱沖擊性好。但是氧化鈹致命的缺點(diǎn)是其粉末的極端毒性,長(zhǎng)期吸入氧化鈹粉塵會(huì)引起中毒甚至危及生命,還會(huì)造成環(huán)境污染,極大地影響氧化鈹陶瓷基板的生產(chǎn)和應(yīng)用。另外,氧化鈹生產(chǎn)成本高,限制了其生產(chǎn)和應(yīng)用。

而圓環(huán)生產(chǎn)的氮化硅陶瓷基板具有優(yōu)異的導(dǎo)熱性、高機(jī)械強(qiáng)度、低膨脹系數(shù),氮化硅抗氧化性好、熱腐蝕性能好、摩擦系數(shù)小等許多優(yōu)良性能。它的理論熱導(dǎo)率高達(dá)400W/(m.k),熱膨脹系數(shù)約為3.0x10-6℃,與Si、SiC、GaAs等材料具有良好的匹配性,使氮化硅陶瓷基板成為非常有吸引力的高強(qiáng)度高導(dǎo)熱電子器件基板材料。

在氧化鋁陶瓷基板、氮化鋁基板、氮化硼基板、氧化鈹基板和氮化硅基板五種常用的陶瓷基板中,氮化硅陶瓷基板各方面性能比較均衡,特別是氮化硅陶瓷基板優(yōu)良的力學(xué)性能和良好的高導(dǎo)熱潛質(zhì)可以彌補(bǔ)現(xiàn)有其他陶瓷基板材料的不足,是綜合性能最好的結(jié)構(gòu)陶瓷材料,隨著應(yīng)用市場(chǎng)不斷擴(kuò)大生產(chǎn)成本不斷降低,高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板將是電路陶瓷基板理想的迭代產(chǎn)品。因此,氮化硅陶瓷基板在智能信息時(shí)代大功率第三代半導(dǎo)體器件的配套材料具有無(wú)限潛力。

pYYBAGNuCDyAJ6J0AACA8fh5GjE892.png

▲威海圓環(huán)生產(chǎn)高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板各項(xiàng)理化指標(biāo)到了國(guó)際上行業(yè)領(lǐng)軍的質(zhì)量水平

已經(jīng)量產(chǎn)高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板的企業(yè)來(lái)看,除了絕緣性能外,高熱導(dǎo)率和良好的彎曲強(qiáng)度是考核基板質(zhì)量的重要指標(biāo)。

抓細(xì)節(jié)魔鬼 扼生產(chǎn)關(guān)鍵

介紹一個(gè)威海圓環(huán)在混料生產(chǎn)工藝中可以公開(kāi)的細(xì)節(jié)問(wèn)題的解決案例。某次威海圓環(huán)內(nèi)部產(chǎn)品質(zhì)量分析會(huì)上,一位操作工人發(fā)現(xiàn),V型混料機(jī)混料后的粉體不均勻,會(huì)造成部分產(chǎn)品的性能指標(biāo)不合格。威海圓環(huán)的各級(jí)領(lǐng)導(dǎo)對(duì)這個(gè)細(xì)節(jié)問(wèn)題十分重視,并要求相關(guān)部門(mén)進(jìn)行針對(duì)性試驗(yàn),拿出科學(xué)數(shù)據(jù),要從根本上解決這個(gè)質(zhì)量問(wèn)題的隱患。

通過(guò)對(duì)不同規(guī)格和不同形狀混料的研磨介質(zhì)材料進(jìn)行多次對(duì)比試驗(yàn),發(fā)現(xiàn)加入適當(dāng)比例的氮化硅陶瓷微珠,可以有效解決V型混料機(jī)的混料不均勻的問(wèn)題。就這樣,設(shè)備還是原來(lái)的設(shè)備,混料研磨介質(zhì)材料的形狀、粒徑大小和填充比例做了細(xì)微的改變,解決了生產(chǎn)中出現(xiàn)的問(wèn)題,使得產(chǎn)品的質(zhì)量得到了可靠的保障。

為了研制生產(chǎn)高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板的粉體材料配方,威海圓環(huán)采購(gòu)了國(guó)內(nèi)多個(gè)廠家的氮化硅粉體進(jìn)行對(duì)比試驗(yàn)。當(dāng)時(shí)為了氮化硅陶瓷導(dǎo)熱率這一個(gè)參數(shù),威海圓環(huán)幾乎買(mǎi)遍了國(guó)內(nèi)的所有稀元素品種,就這樣“日復(fù)一日,年復(fù)一年”,做實(shí)驗(yàn)樣品—燒結(jié)—測(cè)試,這樣的過(guò)程進(jìn)行了上千次的重復(fù),經(jīng)過(guò)相當(dāng)長(zhǎng)時(shí)間的努力,威海圓環(huán)氮化硅試塊的導(dǎo)熱率穩(wěn)定的達(dá)到了80W/(k.m)以上,解決了高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板的配方問(wèn)題。

自主研發(fā)氮化硅陶瓷基板專(zhuān)用裝備最重要的是氣壓燒結(jié)爐,由于是盲跑,國(guó)內(nèi)燒結(jié)爐生產(chǎn)廠家無(wú)法提供填爐、燒結(jié)工藝的支持,從原材料的甄選,備品備件等,所有的環(huán)節(jié)都需要自主研發(fā)。高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板的平整度指標(biāo),是影響良品率的重要因素,受燒結(jié)設(shè)備、燒結(jié)工藝參數(shù)和裝缽工藝等綜合因素的影響,在整爐基板平整度合格率方面威海圓環(huán)就經(jīng)歷了無(wú)數(shù)次的失敗,基板的合格率總是達(dá)不到理想的水平。最終威海圓環(huán)發(fā)現(xiàn)是由于燒結(jié)位置的不同,基板氣壓燒結(jié)爐內(nèi)溫度場(chǎng)的不均勻等,是造成基板平整度合格率低的重要原因。于是威海圓環(huán)與投資人一起,聘請(qǐng)專(zhuān)業(yè)窯爐設(shè)計(jì)人員參與對(duì)氣壓燒結(jié)爐進(jìn)行針對(duì)性的熱場(chǎng)優(yōu)化和控制優(yōu)化設(shè)計(jì),成功制造出高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板專(zhuān)用的氣氛氣壓燒結(jié)爐。正所謂“工欲善其事,必先利其器”,新型的專(zhuān)用窯爐作為“母機(jī)”使高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板的燒結(jié)過(guò)程變得穩(wěn)定而可控,又完成了一次基礎(chǔ)專(zhuān)業(yè)設(shè)備的自主設(shè)計(jì)制造的跨越。

艱難創(chuàng)新路 盼勇者先行

由于氮化硅陶瓷基板具有的優(yōu)良性能,研制高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板技術(shù)難度大,生產(chǎn)成本高,市場(chǎng)小,國(guó)內(nèi)科研院所研究氮化硅陶瓷基板科技人員極少,引進(jìn)專(zhuān)業(yè)人才都是一個(gè)難以解決的問(wèn)題。這也是很多陶瓷新材料企業(yè)對(duì)于高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板技術(shù)研發(fā)的自主創(chuàng)新之路觀望,不敢下定決心加大投入的原因。

圓環(huán)的研發(fā)團(tuán)隊(duì)自從決心攻克這個(gè)世界難題,埋頭苦干,用7年的時(shí)間克服研發(fā)資金短缺的難題,從研發(fā)到量產(chǎn),一路攻克氮化硅粉體研磨、配方、制漿和流延,脫脂與燒結(jié)等所遇到的種種工藝難題和技術(shù)困難。如今七個(gè)春秋已過(guò),威海圓環(huán)先進(jìn)陶瓷股份有限公司的研發(fā)團(tuán)隊(duì)已經(jīng)畫(huà)出了完整的圓環(huán),威海圓環(huán)生產(chǎn)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格0.32mmX139.7mmX190.5mm的高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板已經(jīng)達(dá)到量產(chǎn)的水平,突破了西方先進(jìn)國(guó)家在高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板的技術(shù)保護(hù)和應(yīng)用產(chǎn)品對(duì)我國(guó)“卡脖子”難題。還參照國(guó)際相關(guān)工藝標(biāo)準(zhǔn)制定了威海圓環(huán)企業(yè)標(biāo)準(zhǔn),保證了高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板各項(xiàng)理化指標(biāo)穩(wěn)定,實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)品穩(wěn)定、批量、規(guī)模化的生產(chǎn),并達(dá)到了國(guó)際上行業(yè)領(lǐng)軍的質(zhì)量水平。

擁核心技術(shù),創(chuàng)行業(yè)先鋒。

7年的艱難探索,威海圓環(huán)突破氮化硅系列產(chǎn)品“卡脖子”核心技術(shù),成功開(kāi)發(fā)出了具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的工藝和設(shè)備平臺(tái),達(dá)到行業(yè)領(lǐng)軍水平,真正成為了全球行業(yè)的“領(lǐng)跑者”。

七年中,威海圓環(huán)培養(yǎng)出了自己的科研和生產(chǎn)團(tuán)隊(duì);

七年中,威海圓環(huán)成功研制氮化硅基板專(zhuān)用氣壓燒結(jié)爐等專(zhuān)業(yè)設(shè)備;

七年中,威海圓環(huán)還生產(chǎn)了氮化硅微珠,氮化硅晶須,氮化硅醫(yī)用刀片、精磨氮化硅軸承球等一系列氮化硅產(chǎn)品;

七年中,威海圓環(huán)還給國(guó)內(nèi)外眾多企業(yè)用戶量身定制了各種異形氮化硅陶瓷結(jié)構(gòu)件。

隨著5G、AI、物聯(lián)網(wǎng)、高鐵、自動(dòng)駕駛等智能化產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,從發(fā)電端、輸變電端到用電端,作為智能信息時(shí)代大功率第三代半導(dǎo)體器件的重要的配套材料,高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板市場(chǎng)需求有望出現(xiàn)井噴式增長(zhǎng)。把握住高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板的研發(fā)技術(shù),自然就等于把握住了智能化產(chǎn)業(yè)中的重要命門(mén)。在日漸緊張的國(guó)際形勢(shì)下,掌握核心技術(shù),突破“卡脖子”難題,不受制于人,以技術(shù)創(chuàng)新引導(dǎo)產(chǎn)品開(kāi)發(fā),勇當(dāng)行業(yè)先鋒,是中國(guó)高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板生產(chǎn)企業(yè)增強(qiáng)自身競(jìng)爭(zhēng)力的必由之路,也是圓環(huán)企業(yè)的發(fā)展之路。

威海圓環(huán)高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板從研發(fā)到量產(chǎn)的技術(shù)創(chuàng)新之路(顏輝)

審核編輯 黃昊宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    339

    文章

    31252

    瀏覽量

    266613
  • 封裝材料
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    67

    瀏覽量

    9161
  • 陶瓷基板
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5

    文章

    273

    瀏覽量

    12431
  • 氮化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    107

    瀏覽量

    704
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    氮化硅陶瓷散熱片解決方案

    就來(lái)深入探討一種能夠同時(shí)滿足高強(qiáng)度、導(dǎo)熱、高可靠性的先進(jìn)材料解決方案——氮化硅陶瓷電子封裝散熱
    的頭像 發(fā)表于 04-22 10:55 ?34次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化硅</b><b class='flag-5'>陶瓷</b>散熱片解決方案

    氮化硅陶瓷限位塊:極端工況下的精密定位“隱形冠軍”

    隨著半導(dǎo)體設(shè)備、高端機(jī)械裝備及航空航天領(lǐng)域?qū)芏ㄎ慌c長(zhǎng)期可靠性的要求日益嚴(yán)苛,傳統(tǒng)金屬限位塊在耐磨性、熱穩(wěn)定性及真空潔凈度方面的短板愈發(fā)凸顯。氮化硅陶瓷憑借其全面的物理化學(xué)性能優(yōu)勢(shì),正在成為高端
    的頭像 發(fā)表于 03-24 11:07 ?306次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化硅</b><b class='flag-5'>陶瓷</b>限位塊:極端工況下的精密定位“隱形冠軍”

    技術(shù)突圍與市場(chǎng)破局:碳化硅焚燒爐內(nèi)膽的氮化硅陶瓷升級(jí)路徑

    廢物、高熱值工業(yè)危廢焚燒領(lǐng)域,工況溫度常需維持在1200℃以上,且煙氣腐蝕性強(qiáng)。采用氮化硅結(jié)合碳化硅的復(fù)合內(nèi)膽,其服役壽命較傳統(tǒng)鋁或普通碳化硅
    發(fā)表于 03-20 11:23

    氮化硅陶瓷微波諧振腔基座:透波性能引領(lǐng)工業(yè)創(chuàng)新

    透波性能氮化硅陶瓷微波諧振腔陶瓷基座是現(xiàn)代高頻電子設(shè)備和微波系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件,其性能直接影響到微波信號(hào)的傳輸效率和系統(tǒng)穩(wěn)定性。這種基座材料
    的頭像 發(fā)表于 01-23 12:31 ?369次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化硅</b><b class='flag-5'>陶瓷</b>微波諧振腔基座:<b class='flag-5'>高</b>透波性能引領(lǐng)工業(yè)創(chuàng)新

    氮化硅陶瓷封裝基板:抗蠕變性能保障半導(dǎo)體長(zhǎng)效可靠

    隨著半導(dǎo)體技術(shù)向功率、集成度和高頻方向演進(jìn),封裝基板的可靠性與性能成為關(guān)鍵。氮化硅
    的頭像 發(fā)表于 01-17 08:31 ?1267次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化硅</b><b class='flag-5'>陶瓷封裝</b><b class='flag-5'>基板</b>:抗蠕變性能保障<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>長(zhǎng)效可靠

    熱壓燒結(jié)氮化硅陶瓷手指:半導(dǎo)體封裝的性能突破

    半導(dǎo)體封裝作為集成電路制造的關(guān)鍵環(huán)節(jié),對(duì)材料性能要求極為苛刻,尤其是在高溫、應(yīng)力及精密操作環(huán)境中。熱壓燒結(jié)氮化硅
    的頭像 發(fā)表于 12-21 08:46 ?1878次閱讀
    熱壓燒結(jié)<b class='flag-5'>氮化硅</b><b class='flag-5'>陶瓷</b>手指:<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>封裝</b>的性能<b class='flag-5'>突破</b>

    AMB覆銅陶瓷基板迎爆發(fā)期,氮化硅需求成增長(zhǎng)引擎

    原理是在高溫真空環(huán)境下,利用含有鈦、鋯、鉿等活性元素的金屬焊料,與氮化鋁(AlN)或氮化硅(Si?N?)陶瓷表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng),生成可被液態(tài)釬料潤(rùn)濕的穩(wěn)定反應(yīng)層,從而將純銅箔牢固焊接在陶瓷
    的頭像 發(fā)表于 12-01 06:12 ?5620次閱讀

    高抗彎強(qiáng)度氮化硅陶瓷晶圓搬運(yùn)臂解析

    熱壓燒結(jié)氮化硅陶瓷晶圓搬運(yùn)臂是半導(dǎo)體潔凈室自動(dòng)化中的關(guān)鍵部件,其高抗彎強(qiáng)度范圍在600至1000兆帕,確保了在高速、高精度晶圓處理過(guò)程中的可靠性和耐久性。本文首先分析氮化硅
    的頭像 發(fā)表于 11-23 10:25 ?2358次閱讀
    高抗彎強(qiáng)度<b class='flag-5'>氮化硅</b><b class='flag-5'>陶瓷</b>晶圓搬運(yùn)臂解析

    第三半導(dǎo)體崛起催生封裝材料革命:五大陶瓷基板誰(shuí)主沉???

    在新能源汽車(chē)、5G通信和人工智能的推動(dòng)下,功率半導(dǎo)體正經(jīng)歷前所未有的技術(shù)變革。SiC和GaN等第三半導(dǎo)體器件的高頻、高壓特性,對(duì)封裝基板
    的頭像 發(fā)表于 10-22 18:13 ?683次閱讀
    第三<b class='flag-5'>代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>崛起催生<b class='flag-5'>封裝</b><b class='flag-5'>材料</b>革命:五大<b class='flag-5'>陶瓷</b><b class='flag-5'>基板</b>誰(shuí)主沉???

    氮化硅陶瓷封裝基片

    氮化硅陶瓷基片:高頻電磁場(chǎng)封裝的關(guān)鍵材料 氮化硅陶瓷基片在高頻電子
    的頭像 發(fā)表于 08-05 07:24 ?1403次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化硅</b><b class='flag-5'>陶瓷封裝</b>基片

    熱壓燒結(jié)氮化硅陶瓷逆變器散熱基板

    )等還原性氣氛環(huán)境。氮化硅(Si3N4)陶瓷憑借其卓越的綜合性能,特別是優(yōu)異的耐還原性氣體能力,成為此類(lèi)嚴(yán)苛工況下的理想基板材料。 ?
    的頭像 發(fā)表于 08-03 11:37 ?1735次閱讀
    熱壓燒結(jié)<b class='flag-5'>氮化硅</b><b class='flag-5'>陶瓷</b>逆變器散熱<b class='flag-5'>基板</b>

    氮化硅陶瓷基板:新能源汽車(chē)電力電子的散熱革新

    組合,正在成為新一電力電子封裝的首選材料,下面由深圳金瑞欣小編來(lái)為大家講解一下: ? 一、從“配角”到“C位”:氮化硅的逆襲 傳統(tǒng)氧化鋁(Al?O?)
    的頭像 發(fā)表于 08-02 18:31 ?4620次閱讀

    氮化硅陶瓷逆變器散熱基板:性能、對(duì)比與制造

    氮化硅(Si?N?)陶瓷以其卓越的綜合性能,成為現(xiàn)代大功率電子器件(如IGBT/SiC模塊)散熱基板理想候選材料
    的頭像 發(fā)表于 07-25 17:59 ?2166次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化硅</b><b class='flag-5'>陶瓷</b>逆變器散熱<b class='flag-5'>基板</b>:性能、對(duì)比與制造

    氮化硅大功率電子器件封裝陶瓷基板

    氮化硅陶瓷導(dǎo)熱基片憑借其優(yōu)異的綜合性能,在電子行業(yè),尤其是在功率密度、高可靠性要求領(lǐng)域,正扮演著越來(lái)越重要的角色。
    的頭像 發(fā)表于 07-25 17:58 ?1440次閱讀

    SiC碳化硅第三半導(dǎo)體材料 | 耐高溫絕緣材料應(yīng)用方案

    發(fā)展最成熟的第三半導(dǎo)體材料,可謂是近年來(lái)最火熱的半導(dǎo)體材料。尤其是在“雙碳”戰(zhàn)略背景下,碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 06-15 07:30 ?1696次閱讀
    SiC碳<b class='flag-5'>化硅</b>第三<b class='flag-5'>代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>材料</b> |  耐高溫絕緣<b class='flag-5'>材料</b>應(yīng)用方案