GDT陶瓷氣體放電管與MOV壓敏電阻串聯(lián)使用時(shí)，大家可能只注意到它們?cè)诠材＠讚魰r(shí)起到抑制雷擊浪涌電壓的一個(gè)作用，但關(guān)于它們之間的導(dǎo)通順序可能都不會(huì)去觀察，優(yōu)恩小編認(rèn)為，器件的導(dǎo)通順序也是我們需要去了解的一部分。

但要想知道GDT陶瓷氣體放電管與壓敏電阻哪個(gè)先導(dǎo)通，我們首先得了解它們的特性，且看下文：

陶瓷氣體放電管——

1.介紹

GDT放電管是采用陶瓷作為密封原料，且電容量極小的一種對(duì)稱開關(guān)型器件。一般在不受外界干擾情況下是處于關(guān)閉狀態(tài)，同時(shí)，其電阻值在MΩ級(jí)以上。其作用是限制浪涌電壓，保護(hù)電路免受過壓的損害。

2.參數(shù)

1)反應(yīng)時(shí)間是指從外加電壓超過擊穿電壓到出現(xiàn)擊穿的時(shí)間。GDT放電管的反應(yīng)時(shí)間一般以微秒為單位。

2)允許功率負(fù)荷是指陶瓷氣體放電管能夠承受和耗散的較大能量，一般是8/20μs電流波形下能夠承受及耗散的電流。

3)電容值是說在特定波形下(一般在1MHz頻率)測(cè)得的GDT放電管兩個(gè)電極之間的電容。GDT電管的電容很小，一般是≤1pF。

4)直流擊穿電壓是在陶瓷氣體放電管上施加100V/s的直流電壓時(shí)的擊穿電壓值。放電管產(chǎn)生火花時(shí)的電壓即為擊穿電壓。 氣體放電管有多種不同規(guī)格的直流擊穿電壓，我們有70V-5500V的。其誤差范圍：一般為±20%，也有的為±15%。其值取決于氣體種類和電極間距等因素。

MOV壓敏電阻——

通過對(duì)比分析可知，壓敏電阻的電容在1kHz時(shí)為210pF，而GDT放電管在1MHz頻率時(shí)的電容為1-2pF。

如果我們?cè)趦啥思由侠讚衾擞侩妷?，放電管和壓敏電阻之間的電壓就會(huì)除以寄生電容。GDT放電管與壓敏電阻兩個(gè)器件串聯(lián)時(shí)，通常小容量的分壓較高，大容量的分壓較小，MOV壓敏電阻的寄生電容是陶瓷氣體放電管的百倍，因此絕大部分的電壓會(huì)給到放電管，放電管導(dǎo)通之后，再施加到壓敏電阻上，此時(shí)壓敏電阻就會(huì)導(dǎo)通。在這種壓敏電阻和GDT放電管串聯(lián)使用的電路應(yīng)用中，響應(yīng)時(shí)間是放電管和壓敏電阻響應(yīng)的總和。

關(guān)于這兩種器件導(dǎo)通順序的分析就到這里結(jié)束了，大家了解了嗎?

審核編輯：湯梓紅