隨著設(shè)備中進程節(jié)點的逐年減少，存儲和內(nèi)存市場已開始實施新技術(shù)，以在更小的占用空間內(nèi)滿足更高的內(nèi)存容量，目標是實現(xiàn)更低的每比特數(shù)據(jù)成本。

DRAM縮放過程使設(shè)備能夠跟上半導(dǎo)體區(qū)域內(nèi)更快的速度和每平方毫米增加的內(nèi)存。該過程需要最小化電路，以便數(shù)十億個存儲單元可以安裝在一美分大小的芯片上。一家處于這一推動力的最前沿的公司是美光科技，他們最近采用了光刻和納米制造技術(shù)，使他們能夠?qū)崿F(xiàn)1β節(jié)點DRAM。

美光科技的1β（1-beta）DRAM技術(shù)作為先進的DRAM技術(shù)節(jié)點處于量產(chǎn)階段。1β 以公司之前的 1α （1-alpha） 為基礎(chǔ)，旨在為實時、安全關(guān)鍵型應(yīng)用提供高性能 DRAM 中的低功耗和低延遲，電源效率提高 15%，位密度提高 35%，每芯片容量高達 16Gb。

1β采用下一代工藝技術(shù)，具有低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率5X（LPDDR5X）移動存儲器，速度提高到每秒8.5千兆位（Gb）。

隨著認證樣品現(xiàn)在交付給數(shù)量有限的智能手機制造商和芯片組合作伙伴，1-beta DRAM將使智能手機等具有更快，更可靠下載速度的移動設(shè)備以及其他數(shù)據(jù)密集型5G和AI應(yīng)用受益。

該公司的LPDDR5X采用1β技術(shù)，旨在改善智能手機用例，例如相機啟動，夜間模式，人像模式和專業(yè)模式攝影，無抖動，高分辨率4K視頻錄制和手機內(nèi)視頻編輯。

美光技術(shù)和產(chǎn)品執(zhí)行副總裁 Scott DeBoer 表示：“我們的 1-beta DRAM 的推出標志著內(nèi)存創(chuàng)新的又一次飛躍，這得益于我們專有的多圖案光刻技術(shù)與領(lǐng)先的工藝技術(shù)和先進材料能力相結(jié)合?！霸谔峁┦澜缟献钕冗M的DRAM時，每個內(nèi)存晶圓的位數(shù)比以往任何時候都多，該節(jié)點為引入從邊緣到云的新一代智能，數(shù)據(jù)豐富和節(jié)能技術(shù)奠定了基礎(chǔ)。

半導(dǎo)體行業(yè)的一些公司已經(jīng)實施了極紫外光等技術(shù)來幫助他們縮小設(shè)備，但美光科技采用納米制造和光刻技術(shù)，使他們能夠在多圖案和沉浸技術(shù)中工作，以高精度集成小特征，這是智能手機和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的理想選擇。

美光已獲得投資，并將在其廣島工廠大規(guī)模生產(chǎn)1β上的DRAM。但1β對可持續(xù)發(fā)展充滿希望的未來的影響比對公司本身的影響更大。它能夠?qū)崿F(xiàn)較低的每比特功耗，有助于減少碳排放和當今現(xiàn)代設(shè)備對能量的過度消耗。

據(jù)該公司稱，1β工藝技術(shù)的低功耗每比特功耗為智能手機提供了市場上最節(jié)能的內(nèi)存技術(shù)，這可能使智能手機制造商易于開發(fā)和部署，并提高電池壽命效率。

此外，基于1β的LPDDR5X采用新的JEDEC增強型動態(tài)電壓和頻率縮放擴展核心（eDVFSC）技術(shù)，通過添加eDVFSC，可以將頻率提高一倍至每秒3，200兆比特，有助于節(jié)省功耗和提高能效。

當今的存儲設(shè)備別無選擇，只能滿足行業(yè)、這些設(shè)備的用戶和全球可持續(xù)發(fā)展目標的需求，這些目標都需要節(jié)能和高帶寬內(nèi)存以及更高的處理速度。

審核編輯：郭婷