chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

安森美推出采用創(chuàng)新Top Cool封裝的新系列MOSFET器件

jf_vuyXrDIR ? 來源:兆億微波 ? 作者:兆億微波 ? 2022-11-17 14:13 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

2022年11月17日—領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi,美國納斯達克股票代號:ON),宣布推出新系列MOSFET器件,采用創(chuàng)新的頂部冷卻,幫助設計人員解決具挑戰(zhàn)的汽車應用,特別是電機控制DC-DC轉換。

新的Top Cool器件采用TCPAK57封裝,尺寸僅5mm x 7mm,在頂部有一個16.5 mm2的熱焊盤,可以將熱量直接散發(fā)到散熱器上,而不是通過傳統(tǒng)的印刷電路板(以下簡稱“PCB”)散熱。

采用TCPAK57封裝能充分使用PCB的兩面,減少PCB發(fā)熱,從而提高功率密度。新設計的可靠性更高從而增加整個系統(tǒng)的使用壽命。

abc2e568-663e-11ed-8abf-dac502259ad0.png

安森美副總裁兼汽車電源方案總經理Fabio Necco說:“冷卻是高功率設計的最大挑戰(zhàn)之一,成功解決這個問題對于減小尺寸和重量至關重要,這在現(xiàn)代汽車設計中也是關鍵的考慮因素。我們的新型Top Cool MOSFET不僅表現(xiàn)出卓越的電氣效率,而且消除了PCB中的熱路徑,從而顯著簡化設計,減小尺寸并降低成本?!?/p>

這些器件提供高功率應用所需的電氣效率,RDS(ON)值低至1mΩ。而且柵極電荷(Qg) 低 (65 nC),從而降低高速開關應用中的損耗。

安森美利用其在封裝方面的深厚專知,提供業(yè)內最高功率密度方案。首發(fā)的TCPAK57產品組合包括40V、60V和80V。這所有器件都能在175°C的結溫(Tj)下工作,并符合AEC-Q101車規(guī)認證和生產件批準程序(PPAP)。再加上其鷗翼式封裝,支持焊點檢查和實現(xiàn)卓越的板級可靠性,非常適合于要求嚴苛的汽車應用。目標應用是高/中功率電機控制,如電動助力轉向和油泵。




審核編輯:劉清

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • MOSFET
    +關注

    關注

    151

    文章

    10821

    瀏覽量

    234976
  • PCB板
    +關注

    關注

    27

    文章

    1504

    瀏覽量

    55550
  • 電機控制
    +關注

    關注

    3601

    文章

    2178

    瀏覽量

    279105

原文標題:安森美推出采用創(chuàng)新Top Cool封裝的MOSFET

文章出處:【微信號:兆億微波,微信公眾號:兆億微波】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    安森美 FDC86244 N 溝道 MOSFET 深度解析

    安森美 FDC86244 N 溝道 MOSFET 深度解析 在電子設計的廣闊領域中,MOSFET 作為關鍵的半導體器件,在各類電路中發(fā)揮著至關重要的作用。今天,我們將深入探討
    的頭像 發(fā)表于 04-21 13:50 ?80次閱讀

    安森美FDS2672 N溝道MOSFET:高效性能與廣泛應用

    安森美FDS2672 N溝道MOSFET:高效性能與廣泛應用 在電子設計領域,MOSFET作為關鍵的半導體器件,其性能直接影響著電路的效率和穩(wěn)定性。今天,我們來深入了解
    的頭像 發(fā)表于 04-21 09:25 ?89次閱讀

    安森美HUF75345系列MOSFET:高效功率解決方案

    安森美HUF75345系列MOSFET:高效功率解決方案 在電子工程師的日常設計工作中,MOSFET是功率電路設計里的關鍵元件。今天,我們就來深入探討
    的頭像 發(fā)表于 04-20 14:20 ?142次閱讀

    安森美 NTGD4167C 功率 MOSFET 深度解析

    安森美 NTGD4167C 功率 MOSFET 深度解析 在電子設計領域,MOSFET 作為關鍵元件,對電路性能起著至關重要的作用。今天我們就來深入了解安森美(onsemi)
    的頭像 發(fā)表于 04-20 09:35 ?89次閱讀

    安森美 NTND31225CZ MOSFET 小信號互補器件深度解析

    安森美 NTND31225CZ MOSFET 小信號互補器件深度解析 在電子設計領域,MOSFET 器件是不可或缺的關鍵元件。今天為大家詳細
    的頭像 發(fā)表于 04-19 16:20 ?561次閱讀

    安森美NTF2955和NVF2955 P溝道MOSFET深度解析

    的性能在眾多應用中嶄露頭角。下面我們就來詳細了解這兩款器件。 文件下載: NTF2955-D.PDF 一、產品概述 NTF2955和NVF2955是安森美推出的P溝道單功率MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 04-19 12:15 ?223次閱讀

    安森美NTJS3151P和NVJS3151P MOSFET深度解析

    推出的NTJS3151P和NVJS3151P這兩款P溝道MOSFET。 文件下載: NTJS3151P-D.PDF 產品概述 NTJS3151P和NVJS3151P是安森美公司采用
    的頭像 發(fā)表于 04-19 12:00 ?215次閱讀

    安森美NVRGS042N04CL MOSFET:小封裝大能量

    安森美NVRGS042N04CL MOSFET:小封裝大能量 在電子設計領域,MOSFET作為關鍵元件,其性能與特性直接影響著電路的表現(xiàn)。今天我們就來深入了解
    的頭像 發(fā)表于 04-19 10:30 ?202次閱讀

    onsemi FDMC8010DC MOSFET:性能卓越的功率器件

    溝道MOSFET,它結合了先進的POWERTRENCH工藝和DUAL COOL封裝技術,具有出色的性能表現(xiàn)。 文件下載: FDMC8010DC-D.PDF 一、基本概述 FDMC8010DC
    的頭像 發(fā)表于 04-16 17:25 ?361次閱讀

    安森美FDMC86340ET80 MOSFET:高性能N溝道器件的技術剖析

    安森美FDMC86340ET80 MOSFET:高性能N溝道器件的技術剖析 在電子工程師的日常設計中,MOSFET是不可或缺的關鍵元件,其性能直接影響到電路的效率和穩(wěn)定性。今天,我們就
    的頭像 發(fā)表于 04-16 15:15 ?132次閱讀

    安森美NTLJD3119C MOSFET:小封裝,大能量

    安森美NTLJD3119C MOSFET:小封裝,大能量 在電子設計的世界里,MOSFET作為核心元件,一直是工程師們關注的焦點。今天要為大家介紹的是
    的頭像 發(fā)表于 04-14 09:45 ?415次閱讀

    安森美 NTMFS5C604N N 溝道 MOSFET 器件深度解析

    安森美 NTMFS5C604N N 溝道 MOSFET 器件深度解析 在電子設計領域,MOSFET 作為關鍵的功率器件,其性能直接影響著電路
    的頭像 發(fā)表于 04-13 10:00 ?348次閱讀

    安森美NTTFS016N06C MOSFET:小封裝大能量

    安森美NTTFS016N06C MOSFET:小封裝大能量 在電子設計領域,功率MOSFET是不可或缺的關鍵元件,它的性能直接影響到電子設備的效率、穩(wěn)定性和可靠性。今天,我們就來深入了
    的頭像 發(fā)表于 04-10 09:05 ?466次閱讀

    安森美NVTFS5826NL:高性能N溝道功率MOSFET解析

    安森美NVTFS5826NL:高性能N溝道功率MOSFET解析 作為電子工程師,在電源管理、電機驅動等眾多電路設計中,功率MOSFET是關鍵器件之一。今天要給大家詳細介紹
    的頭像 發(fā)表于 04-02 11:40 ?188次閱讀

    安森美推出采用T2PAK頂部冷卻封裝的EliteSiC MOSFET

    安森美(onsemi,美國納斯達克股票代號:ON)宣布推出采用行業(yè)標準T2PAK頂部冷卻封裝的EliteSiC MOSFET,為汽車和工業(yè)應
    的頭像 發(fā)表于 12-11 17:48 ?1167次閱讀