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安森美推出采用T2PAK頂部冷卻封裝的EliteSiC MOSFET

安森美 ? 來源:安森美 ? 2025-12-11 17:48 ? 次閱讀
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安森美(onsemi,美國納斯達(dá)克股票代號:ON)宣布推出采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)T2PAK頂部冷卻封裝的EliteSiC MOSFET,為汽車和工業(yè)應(yīng)用的電源封裝技術(shù)帶來突破。這款新品為電動汽車、太陽能基礎(chǔ)設(shè)施及儲能系統(tǒng)等市場的高功率、高電壓應(yīng)用提供增強(qiáng)的散熱性能、可靠性和設(shè)計靈活性。

安森美采用T2PAK封裝的650V和950V 最新EliteSiC MOSFET系列,將公司業(yè)界領(lǐng)先的碳化硅技術(shù)與極具創(chuàng)新性的頂部冷卻封裝相結(jié)合。首批器件已向主要客戶發(fā)貨,安森美計劃于2025年第四季度及之后推出更多產(chǎn)品。通過在EliteSiC系列全面采用T2PAK封裝,安森美為汽車與工業(yè)客戶提供了強(qiáng)有力的全新選擇,滿足其在嚴(yán)苛高壓應(yīng)用中對效率、緊湊性和耐用性的需求。

隨著太陽能逆變器、電動汽車充電器和工業(yè)電源等應(yīng)用對功率需求的不斷攀升,高效的熱管理已成為關(guān)鍵的工程挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)封裝方式常迫使設(shè)計人員在散熱效率與開關(guān)性能之間做出取舍。EliteSiC T2PAK解決方案通過將熱量從印刷電路板(PCB)高效地直接傳導(dǎo)至系統(tǒng)冷卻架構(gòu),實現(xiàn)了性能與散熱的雙贏,從而帶來以下優(yōu)勢:

卓越的熱效率,降低工作溫度

降低元器件應(yīng)力,延長系統(tǒng)使用壽命

更高的功率密度,實現(xiàn)緊湊的系統(tǒng)設(shè)計

簡化系統(tǒng)設(shè)計,加快產(chǎn)品上市速度

“熱管理是當(dāng)今汽車和工業(yè)市場中電力系統(tǒng)設(shè)計人員面臨的最關(guān)鍵挑戰(zhàn)之一。這些領(lǐng)域的功率系統(tǒng)設(shè)計人員正尋求兼具效率與可靠性的解決方案。憑借我們的EliteSiC技術(shù)和創(chuàng)新的T2PAK 頂部冷卻封裝,客戶能夠?qū)崿F(xiàn)卓越的散熱性能和設(shè)計靈活性,助力其打造出在當(dāng)今競爭格局中脫穎而出的新一代產(chǎn)品。”安森美碳化硅事業(yè)部副總裁兼負(fù)責(zé)人Auggie Djekic表示。

工作原理

T2PAK 頂部冷卻封裝通過將MOSFET與散熱片直接熱耦合,在散熱和開關(guān)性能之間實現(xiàn)了極佳平衡。該設(shè)計最大限度降低了結(jié)點(diǎn)至散熱片的熱阻,并支持多種導(dǎo)通電阻Rds(on)選項(12mΩ - 60mΩ),從而提升設(shè)計靈活性。

關(guān)鍵技術(shù)亮點(diǎn)包括:

通過將熱量直接傳導(dǎo)至系統(tǒng)散熱片,規(guī)避了PCB的散熱限制,實現(xiàn)卓越的散熱性能

保持低雜散電感,實現(xiàn)更快的開關(guān)速度并降低能耗

兼具TO-247和D2PAK封裝優(yōu)勢,且無明顯缺陷

憑借EliteSiC在T2PAK頂部冷卻封裝中卓越的性能指標(biāo),設(shè)計人員能夠打造出更緊湊、散熱性能更好、且更高效率的系統(tǒng)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標(biāo)題:安森美推出新型散熱封裝技術(shù),提升高功耗應(yīng)用能效

文章出處:【微信號:onsemi-china,微信公眾號:安森美】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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