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三種基本的非隔離拓?fù)?/h1>

對(duì)于需要生成負(fù)電壓軌的應(yīng)用,可以考慮多種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。但是,如果輸入和/或輸出端的絕對(duì)電壓超過(guò)24 V,并且所需的輸出電流可以達(dá)到幾安,則充電泵和LDO負(fù)壓穩(wěn)壓器將會(huì)因其低電流能力被棄用,而其電磁組件的尺寸,會(huì)導(dǎo)致反激式和?uk轉(zhuǎn)換器解決方案變得相當(dāng)復(fù)雜。

因此,在這種條件下,反相降壓-升壓拓?fù)淠茉诟咝屎托〕叽缰g達(dá)成較好的折衷效果。要實(shí)現(xiàn)這些優(yōu)勢(shì),必須充分了解高壓條件下反相降壓-升壓拓?fù)涞?a href="http://www.brongaenegriffin.com/v/tag/773/" target="_blank">工作原理。在深入研究這些細(xì)節(jié)之前,我們首先簡(jiǎn)要回顧一下反相降壓-升壓拓?fù)?。然后,比較反相降壓-升壓拓?fù)?、降壓拓?fù)浜蜕龎和負(fù)涞年P(guān)鍵電流路徑。

三種基本的非隔離拓?fù)?/p>

反相降壓-升壓拓?fù)鋵儆谌N基本的非隔離開(kāi)關(guān)拓?fù)洹_@些拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)都包括一個(gè)控制晶體管(通常是一個(gè)MOSFET)、一個(gè)二極管(可能是肖特基二極管或有源二極管,即同步MOSFET),以及一個(gè)作為儲(chǔ)能元件的功率電感。這三個(gè)元件之間的共同連接稱(chēng)為開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)。功率電感相對(duì)于開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)的位置決定拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。

如果線圈位于開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)和輸出之間,將構(gòu)成DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器,我們?cè)谙挛闹袑⑵浜?jiǎn)稱(chēng)為降壓轉(zhuǎn)換器。或者,如果線圈位于輸入和開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)之間,將構(gòu)成DC-DC升壓轉(zhuǎn)換器,簡(jiǎn)稱(chēng)為升壓轉(zhuǎn)換器。最后,如果線圈位于開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)和地(GND)之間,則構(gòu)成DC-DC反相降壓-升壓轉(zhuǎn)換器。

在每個(gè)開(kāi)關(guān)周期,甚至在連續(xù)導(dǎo)通模式(CCM)下,所有三種拓?fù)浒慕M件和PCB走線的電流會(huì)快速變化,導(dǎo)致圖1c、2c和3c突出顯示的噪聲轉(zhuǎn)移。盡可能設(shè)計(jì)較小的熱回路,以降低電路輻射的電磁干擾(EMI)。這里,需要提醒大家的是,熱回路并非一定是電流循環(huán)流動(dòng)的物理回路。實(shí)際上,在圖1、圖2和圖3突出顯示的各個(gè)回路中,由紅色和藍(lán)色突出顯示的組件和線路構(gòu)成熱回路,其電流急劇轉(zhuǎn)換并不會(huì)發(fā)生在相同方向。

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圖1. 屬于熱回路的組件和線路

——在CCM下運(yùn)行的降壓轉(zhuǎn)換器。

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圖2. 屬于熱回路的組件和線路

——在CCM下運(yùn)行的升壓轉(zhuǎn)換器。

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圖3. 屬于熱回路的組件和線路——在CCM下運(yùn)行的反相降壓-升壓轉(zhuǎn)換器。

對(duì)于圖3所示的CCM下運(yùn)行的反相降壓-升壓轉(zhuǎn)換器,熱回路由CINC、Q1和D1構(gòu)成。與降壓和升壓拓?fù)渲械臒峄芈废啾?,反相降?升壓拓?fù)涞臒峄芈钒挥谳斎牒洼敵龆说慕M件。在這些組件中,當(dāng)控制MOSFET開(kāi)啟時(shí),二極管(或者,如果使用同步MOSFET,則為體二極管)的反相恢復(fù)會(huì)生成最高的di/dt和EMI。由于需要全面的布局概念來(lái)考慮控制這兩個(gè)方面的輻射EMI,所以您肯定不希望通過(guò)低估在高輸入和/或輸出電壓條件下所需的反相降壓-升壓電感,通過(guò)過(guò)大的線圈電流紋波生成額外的輻射EMI。對(duì)于依賴(lài)自己所熟悉的升壓拓?fù)鋪?lái)確定反相降壓-升壓電路電感的工程師來(lái)說(shuō),他們會(huì)面臨這種風(fēng)險(xiǎn),我們可以通過(guò)比較這兩種拓?fù)淇辞暹@一點(diǎn)。

高壓反相降壓-升壓拓?fù)涞脑O(shè)計(jì)考量

升壓拓?fù)浜头聪嘟祲?升壓拓?fù)渖傻慕^對(duì)輸出電壓的幅度要高于輸入電壓。但是,這兩種拓?fù)渲g存在差異,可以通過(guò)CCM中各自的占空比(在公式1和公式2中提供)來(lái)突出顯示。請(qǐng)注意,這些都是一階近似值,未考慮通過(guò)肖特基二極管和功率MOSFET時(shí)產(chǎn)生的壓降等影響。

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圖4左側(cè)顯示的是在VIN= 12V時(shí),這些占空比變化的一階近似值與|VOUT|的關(guān)系。此外,假設(shè)在這兩種情況下,電源線圈的開(kāi)關(guān)頻率(fSW)為1MHz,電感為1μH,則線圈電流紋波變化與VOUT的關(guān)系如圖4右側(cè)所示。

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圖4. 反相降壓-升壓和升壓轉(zhuǎn)換器中,VIN= 12 V時(shí)占空比和線圈電流紋波與|VOUT|的關(guān)系。

從圖4可以看出,與升壓拓?fù)湎啾龋瑋VOUT|更低時(shí),反相降壓-升壓拓?fù)涞恼伎毡葘?huì)超過(guò)50%:分別為12V和24V。大家可以參考圖5加深理解。 在升壓拓?fù)渲?,電感位于輸入和輸出之間的路徑中。因此,通過(guò)功率電感(VL)的電壓會(huì)并入VIN,以提供所需的VOUT。但是,在反相降壓-升壓拓?fù)渲校敵鲭妷河蒝L提供。在這種情況下,功率電感必須為輸出端提供更多電能,這就是|VOUT|更低時(shí),占空比卻已達(dá)到50%的原因。

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圖5. 線圈位置對(duì)獲得輸出電壓的影響。

我們可以換種說(shuō)法來(lái)表述,當(dāng)|VOUT|/VIN比下降時(shí),反相降壓-升壓拓?fù)涞恼伎毡冉档退俣纫壬龎和負(fù)渎_@是設(shè)計(jì)期間要考慮的一個(gè)重要事實(shí),大家可以參考圖6更好地了解其影響,其中已重繪占空比和線圈電流紋波的一階近似值,但是是占空比與VIN之間的曲線。

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圖6. 反相降壓-升壓和升壓轉(zhuǎn)換器中,|VOUT| = 48V時(shí)占空比和線圈電流紋波與VIN的關(guān)系。

如圖6所示,線圈電流紋波(ΔIL)與VIN和D成正比。在升壓拓?fù)渲?,?dāng)VIN高于VOUT的一半時(shí),占空比下降的速度快于VIN升高的速度,從VIN= 24V時(shí)的50%下降到VIN= 42V時(shí)的25%,如圖6左側(cè)圖中的藍(lán)色曲線所示。因此,對(duì)于圖6右側(cè)圖所示的升壓拓?fù)?,在VIN高于24 V時(shí),ΔIL會(huì)快速降低。 但是,對(duì)于反相降壓-升壓拓?fù)?,如之前圖4所示,當(dāng)|VOUT|/VIN下降時(shí),或者說(shuō),VIN增大,以提供固定的|VOUT|時(shí),D非常緩慢地下降。圖6左側(cè)圖中的綠色曲線顯示了這一點(diǎn),當(dāng)VIN升高62.5%,從48V升高到78V時(shí),占空比僅損失25%。由于D的下降不能抵消VIN的升高,線圈電流紋波會(huì)隨VIN升高而大幅增加,如圖6右側(cè)圖中的綠色曲線所示。 總體來(lái)說(shuō),與升壓拓?fù)湎啾?,反相降?升壓拓?fù)湓诟邏簵l件下具有更高的線圈電流紋波,所以,在相同的fSW下,反相降壓-升壓拓?fù)湫枰叩木€圈值。我們可以借助圖7,根據(jù)具體情況運(yùn)用這一知識(shí),當(dāng)然,也是基于一階近似值。

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圖7. 反相降壓-升壓轉(zhuǎn)換器中,VOUT= –12V和–150V時(shí)占空比和線圈電流紋波與VIN的關(guān)系。

具有寬輸入電壓范圍

和高輸出電流的應(yīng)用

我們考慮一下VIN= 7V至72V,VOUT= –12V,電流為5A的應(yīng)用。在這個(gè)高輸出電流下,我們選擇使用同步控制器(LTC3896)來(lái)實(shí)現(xiàn)高效率。

選擇電感

在CCM中使用LTC3896時(shí),建議將ΔIL保持在IOUT,MAX(例如,為5A時(shí))的30%和70%之間。因此,我們?cè)谠O(shè)計(jì)時(shí),希望在整個(gè)輸入電壓范圍內(nèi),ΔIL保持在1.5A和3.5A之間。此外,保持在這個(gè)推薦的范圍內(nèi),也就是IOUT,MAX的30%和70%之間意味著比率最多能達(dá)到2.33,即70%除以30%,也就是輸入電壓范圍內(nèi)最高電流紋波與最低電流紋波之間的比率。如之前觀察到的結(jié)果,對(duì)于反相降壓-升壓拓?fù)溥@類(lèi)ΔIL會(huì)隨VIN大幅變化的拓?fù)鋪?lái)說(shuō),這并不是一項(xiàng)簡(jiǎn)單的任務(wù)。 參考圖7可以看出,當(dāng)fSW= 1MHz,L = 1μH時(shí),線圈電流紋波會(huì)在4.42A和10.29A之間變化,這個(gè)值太高了。要使最低ΔIL達(dá)到我們建議的下限1.5A或IOUT,MAX的30%,我們需要將現(xiàn)在的值4.42A降低三倍。我們可以將fSW設(shè)置為300 kHz,選擇10μH電感,加上FREQ引腳上的47.5 k?電阻來(lái)實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)。實(shí)際上,這會(huì)使ΔIL降低,(1μH×1MHz)/(300kHz×10μH) =1/3。 由于這種降低,現(xiàn)在在整個(gè)輸入電壓范圍內(nèi),線圈電流紋波(ΔIL)會(huì)在1.5A和3.4A之間(IOUT,MAX的30%和68%之間)變化。我們會(huì)獲得 LTC3896 數(shù)據(jù)手冊(cè)最后一頁(yè)所提供的電路,如圖8所示。

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圖8. LTC3896電路:VIN= 7V至72V,VOUT- = –12V,fSW= 300 kHz。

使用LTspice驗(yàn)證我們的電感選擇

對(duì)于線圈電流紋波,我們可以使用LTspice來(lái)仿真相同的LTC3896電路,如圖9所示,以得出更準(zhǔn)確的值。在圖10中,VIN= 7V和72V時(shí),ΔIL分別等于約1.45A和3.5A,這與之前根據(jù)圖7以及降低fSW和L獲取的一階近似值一致。請(qǐng)注意,圖10所示的線圈電流在流向RSENSE時(shí),被視為是正電流。 使用LTspice仿真還有一個(gè)好處,可以確定運(yùn)行期間的峰值線圈電流,即在最低輸入電壓為7V時(shí)的電流。

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圖9. 使用LTspice仿真的LTC3896電路。

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圖10. 測(cè)量VIN= 7V和72V時(shí)ΔIL的值,使用之前的LTspice電路獲取峰值線圈電流。

如圖10所示,應(yīng)用的峰值線圈電流接近15.4A。獲得這個(gè)值后,可以選擇電流額定值足夠高的功率電感。

設(shè)計(jì)采用更高的輸出電壓時(shí)

回到圖7,在VIN的范圍為12V至40V,VOUT= –150V這個(gè)假設(shè)情況下,其中也提供了電流紋波值。要注意的第一點(diǎn)是,在相同的fSW和L下,要得出更高的VOUT,電流紋波會(huì)大幅增高。如此高的ΔIL往往不可取,因此,與之前的示例相比,我們需要降低更多倍數(shù),這意味著在相同的fSW下,采用更大的電感。 第二點(diǎn)是關(guān)于ΔIL在整個(gè)輸入電壓范圍內(nèi)的變化。在之前的示例中,VOUT= –12V,從最低紋波到最高紋波,ΔIL只增加了約2.33倍,輸入電壓卻增長(zhǎng)了超過(guò)10倍。在當(dāng)前的示例中,VOUT= –150V,從最低電流紋波到最高電流紋波,ΔIL已經(jīng)增大2.85倍,但輸入電壓只增大了3.33倍,從12V增大到40V。 還好,這種挑戰(zhàn)只存在于CCM情況下。在斷續(xù)導(dǎo)通模式(DCM)下,IOUT(MAX)的30%至70%這種限制不再適用。無(wú)論如何,在IOUT(MAX)= 5A時(shí),要一步將VIN= 12V轉(zhuǎn)換為VOUT= –150V還是太過(guò)費(fèi)力。在任何情況下,要進(jìn)行這種電壓轉(zhuǎn)換時(shí),需要的輸出電流一般很低,表示我們采用DCM模式。例如,LTC3863數(shù)據(jù)手冊(cè)最后一頁(yè)所示的電路就是如此,如圖11所示。 因?yàn)镈C電流低,所以在這些情況下使用非同步控制器(例如LTC3863)就足以提供不錯(cuò)的效率。關(guān)于在DCM下的這種LTC3863設(shè)計(jì),LTspice提供的LTC3863電路是一個(gè)不錯(cuò)的工具,可用于優(yōu)化線圈選擇。

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圖11. LTC3863電路:VIN= 12V至40V,

VOUT- = –150V,fSW= 320kHz。

結(jié)論

反相降壓-升壓拓?fù)涞臒峄芈钒挥谳斎牒洼敵龆说慕M件,所以其布局難度要高于降壓拓?fù)浜蜕龎和負(fù)?。雖然與升壓拓?fù)溆行╊?lèi)似的地方,但在類(lèi)似的應(yīng)用條件下,反相降壓-升壓拓?fù)涞碾娏骷y波更高,這是因?yàn)榫€圈是其唯一的輸出來(lái)源(如果我們忽略輸出電容)。

對(duì)于具有高輸入和/或輸出電壓的反相降壓-升壓應(yīng)用,線圈電流紋波可能更高。為了控制電流紋波,與升壓拓?fù)湎啾?,反相降?升壓拓?fù)鋾?huì)使用更高的電感值。我們通過(guò)一個(gè)實(shí)例展示了如何根據(jù)應(yīng)用條件來(lái)快速調(diào)節(jié)電感。

審核編輯 :李倩

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原文標(biāo)題:【世說(shuō)設(shè)計(jì)】如何在高壓應(yīng)用中利用反相降壓-升壓拓?fù)洌?/p>

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    的工作狀態(tài)及工作條件對(duì)于理解和設(shè)計(jì)相關(guān)電路至關(guān)重要。以下是MOSFET的三種主要工作狀態(tài)及其工作條件的介紹。 一、MOSFET的三種工作狀態(tài) MOSFET根據(jù)其柵源電壓(VGS)和漏源電壓(VDS
    的頭像 發(fā)表于 10-06 16:51 ?6237次閱讀

    隔離開(kāi)關(guān)的三種連鎖方式介紹

    的必要手段。通過(guò)連鎖機(jī)制,可以有效防止在斷路器未斷開(kāi)的情況下對(duì)隔離開(kāi)關(guān)進(jìn)行操作,從而避免潛在的安全隱患。 隔離開(kāi)關(guān)的三種連鎖方式 隔離開(kāi)關(guān)與斷路器之間的閉鎖:這種閉鎖方式確保了在斷路器
    的頭像 發(fā)表于 09-19 11:54 ?2812次閱讀

    單片機(jī)的三種總線結(jié)構(gòu)

    單片機(jī)的三種總線結(jié)構(gòu)包括地址總線(Address Bus, AB)、數(shù)據(jù)總線(Data Bus, DB)和控制總線(Control Bus, CB)。這三種總線在單片機(jī)內(nèi)部及與外部設(shè)備之間的數(shù)據(jù)傳輸
    的頭像 發(fā)表于 09-10 11:32 ?7190次閱讀

    隔離電源與隔離電源如何區(qū)分

    隔離電源與隔離電源是兩常見(jiàn)的電源類(lèi)型,它們?cè)陔姎膺B接、安全性、應(yīng)用場(chǎng)景等方面存在顯著差異。以下將從定義、工作原理、安全性、應(yīng)用場(chǎng)景、優(yōu)缺點(diǎn)等方面對(duì)兩者進(jìn)行詳細(xì)區(qū)分。
    的頭像 發(fā)表于 08-23 11:36 ?9320次閱讀