一.普通晶體管(Thyristor)也稱可控硅(SCR)，是靠門極電流觸發(fā)的半可控器件，具有正反向阻斷能力，而門極觸發(fā)電流是通過在門極G和陰極K之間施加觸發(fā)電壓產(chǎn)生的。其等效工作原理如圖一所示。

圖一 可控硅等效工作原理

從虛線框內(nèi)的等效電路可以看出，T1、T2彼此基極與集電極互連，門極注入觸發(fā)電流Ig后，形成強(qiáng)烈的正反饋，兩個等效三極管T1、T2進(jìn)入完全飽和狀態(tài)，即SCR導(dǎo)通狀態(tài)，可見，晶閘管一旦被觸發(fā)導(dǎo)通，門極就失去了控制作用，即觸發(fā)脈沖可暫時撤除了。這與全控型器件不同，導(dǎo)通與關(guān)斷期間并不需要持續(xù)的驅(qū)動信號。但高壓大電流SCR需要的短暫觸發(fā)電流比較大，為可靠觸發(fā)SCR開通且縮短開通時間，觸發(fā)脈沖必須前沿陡峭且具有足夠的幅值，圖二的逆變觸發(fā)電路中，采用強(qiáng)觸發(fā)方式，可以較好地解決大功率SCR的觸發(fā)控制問題，觸發(fā)波形如圖二左側(cè)所示。

圖二 SCR觸發(fā)電路及強(qiáng)脈沖波形

圖二中的C5、C6為加速電容，通過脈沖變壓器(PTR)及整形二極管產(chǎn)生脈沖的前沿尖峰，形成SCR強(qiáng)觸發(fā)脈沖，進(jìn)而產(chǎn)生SCR所需的強(qiáng)觸發(fā)門極電流?？梢詮牟煌嵌葋砝斫饧铀匐娙莸淖饔?。PTR初級具有感性，會阻礙電流增大，不利其快速儲能，電容是其對偶元件，電流可以突變，可補(bǔ)償電感阻礙電流的作用，加速了PTR的能量轉(zhuǎn)換和傳輸，有利于輸出尖峰脈沖；也可把T5輸出的信號看成非正弦周期方波，PTR初級同名端也看成輸出方波，按傅里葉級數(shù)，其恒定分量加在電阻上，而對于其他各次正弦諧波分量，因電容阻抗較小，電流可以順利通過，C5旁路了電阻的阻礙作用，進(jìn)而產(chǎn)生加速效果。為全面了解強(qiáng)脈沖產(chǎn)生過程，簡單介紹一下觸發(fā)電路組成。Us為跟蹤觸發(fā)正弦信號，由主電路電壓信號和補(bǔ)償電容(諧振電容)電流信號合成，在a、b兩輸入端分成兩半，分別加于左右電路，在Us由正向負(fù)過渡時出脈沖，相位差為180度。以左側(cè)為例，T3為射極跟隨器，同相放大電流；C3、R11構(gòu)成微分電路，實(shí)質(zhì)為高通濾波器，產(chǎn)生的尖脈沖用于控制達(dá)林頓管T5，尖脈沖寬度決定了最終輸出的強(qiáng)脈沖寬度。

二. 為加深對加速電容的理解，再舉例說明其在IGBT驅(qū)動電路中的應(yīng)用。IGBT為靠柵極電壓觸發(fā)的全控型器件，導(dǎo)通或關(guān)斷期間驅(qū)動信號需要持續(xù)施加，這與SCR的一觸即發(fā)不同，它的驅(qū)動電路需求是既能快速開通，也要能以適當(dāng)?shù)乃俣汝P(guān)斷。IGBT隔離驅(qū)動PTR與SCR觸發(fā)用PTR 的特性是不同的，IGBT的PTR要能比較完整地傳輸、放大PWM信號。以圖三為例，說明加速電容作用及相關(guān)內(nèi)容。

圖三 IGBT驅(qū)動電路

這里的加速電容C1不僅具有加速驅(qū)動脈沖形成，縮短IGBT的開通與關(guān)斷時間，降低開關(guān)損耗的作用，還有保持驅(qū)動脈沖完整性的作用。圖三的T1~T4構(gòu)成橋式脈沖放大電路，跟隨PWM_A、PWM_B信號變化，輸出相位相反的脈沖，A高電平B低電平時，T2、T4導(dǎo)通；B高電平A低電平時，T1、T3導(dǎo)通。如果沒有電容C1，PTR輸入脈沖中的高頻電流分量將會受到PTR初級線圈電感量的抑制而難以通過，加上C1后，補(bǔ)償了電感的作用，驅(qū)動脈沖中的直流分量通過電阻R5施加，而高頻交流分量主要通過C1施加，PTR就能完整地傳輸已放大的PWM信號。改變C1容值，還有調(diào)節(jié)死區(qū)電壓的輔助作用。驅(qū)動電路是為IGBT服務(wù)的，IGBT的特性需要知道，否則對驅(qū)動電路的組成是難以理解的。IGBT的等效電路如圖四所示。

圖四 IGBT等效電路

由虛線框內(nèi)的IGBT等效電路可知，它是一種復(fù)合器件，輸入控制部分為NMOS，輸出級為BJT，內(nèi)部晶體管T1和T2相當(dāng)于是一個寄生晶閘管，過大的集電極電流會引起正反饋擎住效應(yīng)；由于結(jié)電容的存在，過快地關(guān)斷IGBT，du/dt會過大，也會動態(tài)地引起擎住效應(yīng)。無論什么原因引起的擎住效應(yīng)，都會使柵極G失去控制作用，造成主電路短路而燒壞IGBT?；谶@些認(rèn)知，與MOS管一樣，柵射電壓Uge是不能超過±20V的，一般使用15V電壓;DZ1~DZ4就是用來限制柵極電壓的，防止過高電壓擊穿內(nèi)部MOS管柵極絕緣層；C11~C14具有在IGBT關(guān)斷時，避免Uge和Uce變化過快的作用，R11~R14也有減慢IGBT關(guān)斷的作用，這些措施都是防止出現(xiàn)擎住效應(yīng)。主電路中與IGBT并接的RC緩沖器，也有抑制du/dt過大的作用。

審核編輯：郭婷