英特爾向今年的國際電子器件會議（IEDM）提交了幾篇研究論文，強調(diào)了他們追求新的2D晶體管材料和3D封裝解決方案的計劃。這些新信息支持了首席執(zhí)行官Pat Gelsinger之前關(guān)于英特爾即將進行的微架構(gòu)設(shè)計創(chuàng)新的聲明。據(jù)英特爾的Gary Patton稱，新的進展將在可預(yù)見的未來保持摩爾定律的活力。

今年早些時候，NVIDIA的黃仁勛在4000系列發(fā)布會的問答環(huán)節(jié)中再次宣布摩爾定律已死。這一預(yù)測與他在2017年北京GPU技術(shù)大會上的類似聲明相呼應(yīng)。

該公司提交的2023年IEDM研究報告強調(diào)了幾種工藝、材料和技術(shù)，可以幫助這家半導(dǎo)體巨頭支持他們之前關(guān)于到2030年交付基于芯片的萬億晶體管處理器。

英特爾的新晶體管和封裝技術(shù)研究主要集中在推進CPU的性能和效率，縮小傳統(tǒng)單片處理器和基于芯片的新設(shè)計之間的距離。提交的材料中提出的一些概念包括：大大減少小芯片之間的間隙以提高性能，即使在失去電源后也能保持其狀態(tài)的非易失性晶體管，以及新的可堆疊存儲器解決方案。

英特爾副總裁兼元件研究（CR）和設(shè)計啟用部總經(jīng)理加里·巴頓說："自晶體管發(fā)明以來的75年里，推動摩爾定律的創(chuàng)新繼續(xù)解決世界上成倍增長的計算需求。在IEDM 2022上，英特爾正在展示突破當(dāng)前和未來的障礙所需的前瞻性思維和具體的研究進展，滿足這種永不滿足的需求，并在未來幾年保持摩爾定律的活力。"

CR小組的研究已經(jīng)確定了新的工藝和材料，對推動公司接近其萬億晶體管的里程碑至關(guān)重要。該公司最新的混合鍵合研究顯示，與前一年的報告相比有10倍的改進。英特爾提交的材料所展示的其他研究包括使用厚度不超過三個原子的新型材料的設(shè)計，可以垂直放置在晶體管上方的存儲器，以及對可能對量子數(shù)據(jù)存儲和檢索產(chǎn)生負(fù)面影響的接口缺陷的更多了解。

英特爾的元件研究小組是公司內(nèi)部開發(fā)新的和突破性技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者。部件研究組的工程師們發(fā)明和開發(fā)新的材料和方法，支持半導(dǎo)體制造商在持續(xù)的戰(zhàn)斗中把技術(shù)縮小到原子尺度。該小組負(fù)責(zé)英特爾的極紫外光刻（EUV）技術(shù)，該技術(shù)對于英特爾繼續(xù)縮小節(jié)點尺寸同時提高整體半導(dǎo)體能力是不可或缺的。該小組的工作和時間表通常比商業(yè)上可用的技術(shù)領(lǐng)先5到10年。