來(lái)源：半導(dǎo)體芯科技SiSC

第十五屆晶芯研討會(huì)

“復(fù)雜動(dòng)蕩國(guó)際局勢(shì)下中國(guó)半導(dǎo)體制程供應(yīng)鏈的應(yīng)對(duì)之策”

已經(jīng)成功舉辦了！

會(huì)議當(dāng)天，演講嘉賓們的精彩分享

引起在線聽眾踴躍提問(wèn)

由于時(shí)間原因

很多問(wèn)題嘉賓們都未能及時(shí)回復(fù)

現(xiàn)在小芯與演講嘉賓共同整理了問(wèn)題匯總

接下來(lái)

快來(lái)看看您的問(wèn)題有沒(méi)有被解答呢？

問(wèn)

1、請(qǐng)問(wèn)如何看待臺(tái)積電搬遷到美國(guó)？我們?cè)撊绾畏e極應(yīng)對(duì)？

答

政治化的產(chǎn)物，對(duì)公司所言，無(wú)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，可能對(duì)營(yíng)收有大的沖擊，對(duì)于臺(tái)積電員工是好機(jī)會(huì)，對(duì)技術(shù)優(yōu)勢(shì)倒不是太大的問(wèn)題，問(wèn)題是財(cái)務(wù)的破口可能成為技術(shù)創(chuàng)新失去競(jìng)爭(zhēng)力。

問(wèn)

1、特種氣體容器這邊，生產(chǎn)設(shè)備有什么難點(diǎn)？

答

國(guó)內(nèi)基礎(chǔ)機(jī)加工對(duì)于特種容器的能力沒(méi)有問(wèn)題，難點(diǎn)不在加工上，主要在幾個(gè)方面:

1.認(rèn)證: ?；沸枰蠻N認(rèn)證，這個(gè)在國(guó)內(nèi)不普遍，而且這個(gè)標(biāo)準(zhǔn)是國(guó)外制定的。定期還得更新認(rèn)證。對(duì)容器流轉(zhuǎn)的管理能力挑戰(zhàn)度很高。

在客戶端認(rèn)證的困難度也很高，國(guó)內(nèi)并無(wú)專責(zé)針對(duì)半導(dǎo)體客戶使用場(chǎng)景的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)及相關(guān)認(rèn)證。也造成客戶不愿意成為第一個(gè)試驗(yàn)者。

2.專利: 很多容器是受國(guó)外設(shè)備商/材料商以專利形式擁有獨(dú)家使用權(quán)，如欲使用需繳納高額的專利授權(quán)費(fèi)用，或是投入大量的研發(fā)經(jīng)費(fèi)繞過(guò)專利。

3.國(guó)內(nèi)市場(chǎng)體量不夠大，進(jìn)而使容器的制造單價(jià)居高不下。

4.周邊配套的零件國(guó)內(nèi)尚無(wú)法制作。如氣動(dòng)閥、逆止閥，安全閥，等，目前均為日本及歐美供貨商壟斷。容器的制作時(shí)間，取決于閥門的到貨時(shí)間。

問(wèn)

2、在這種材料和設(shè)備受限情況下，哪類產(chǎn)品受到的影響會(huì)大一些，比如功率器件等？

答

我們業(yè)內(nèi)一般的分法是邏輯代工，儲(chǔ)存器、三代半導(dǎo)體，獨(dú)立組件，等，我個(gè)人認(rèn)為對(duì)高階工藝產(chǎn)品影響較大，如28nm 以下，相關(guān)的設(shè)備和材料等是被禁運(yùn)的主要對(duì)象。和什么產(chǎn)品倒比較沒(méi)有關(guān)系。主要是材料、裝備，設(shè)計(jì)軟件等。國(guó)外卡法也是以工藝節(jié)點(diǎn)來(lái)卡。

問(wèn)

3、目前，針對(duì)晶圓fab和先進(jìn)封裝廠，光刻膠，cmp研磨液，濕法刻蝕液，銅電鍍液等等，哪些材料目前國(guó)產(chǎn)替代最為成功？

答

這個(gè)是個(gè)人觀點(diǎn)了，我個(gè)人認(rèn)為以濕法刻蝕液及特氣的替代最為成功。目前國(guó)產(chǎn)化程度較高，也對(duì)外出口。

問(wèn)

4、確定晶圓級(jí)雜質(zhì)時(shí)有哪些重要考慮因素？

答

這個(gè)問(wèn)題我不確定是指硅片，還是材料，我分別說(shuō)下：

1.硅片方面: 目前主要是以阻抗、導(dǎo)電率，及良率為主。內(nèi)部的雜質(zhì)業(yè)內(nèi)對(duì)雜質(zhì)已經(jīng)非常了解，主要是金屬雜質(zhì)的控制較為重要。因?yàn)檫@個(gè)直接影響芯片的良率。

2.工藝材料就會(huì)位工藝應(yīng)用上不同而有不同的要求，像濕法蝕刻液，對(duì)金屬含量要求就非常高，在ppt 等級(jí)，針對(duì)不同的工藝節(jié)點(diǎn)，也會(huì)有不同的要求，130nm 要求就在ppm級(jí)，在28nm 以下，都在ppm級(jí)以下了。

問(wèn)

5、之前聽別人提過(guò)，未來(lái)的氟碳類特氣發(fā)展趨勢(shì)是向氟碳比1:1靠攏，您怎么看呢？

答

是有這個(gè)說(shuō)法，但目前看來(lái)，即使在1nm 工藝中也尚未使用1:1的氟碳類氣體，只能說(shuō)目前還不成熟，以目前現(xiàn)有的碳氟類氣體在使用上尚能滿足客戶的要求。目前比較大的挑戰(zhàn)反而不在工藝上，而是GWP ，全球變暖指數(shù)，研發(fā)更低的GWP值的材料是業(yè)界的主要方向之一。

問(wèn)

6、請(qǐng)問(wèn)一下，光刻膠印刷這塊氦氣的用量可以簡(jiǎn)單地分析一下嗎？

答

氦氣在光刻區(qū)，是用1.5% O2 混氦，或是1.2%氮?dú)饣旌?，不是主要材料的?yīng)用，用量非常少。氦用量一年少于100公斤。( 以量產(chǎn)5萬(wàn)片的12吋代工廠來(lái)看) ，其它區(qū)用的也不多，主要用于測(cè)漏，或部分用于退火，因?yàn)樵缙诤ぬF，都找了相對(duì)應(yīng)替代的東西替代掉了。

問(wèn)

1、一種14nm光刻需要多少種光刻膠？是否存在杜邦等國(guó)外公司限制1-2種A膠，就卡死產(chǎn)業(yè)鏈的問(wèn)題？

答

20-30種, 目前看來(lái)不會(huì)。

問(wèn)

2、光刻膠在半導(dǎo)體制造成本里占比大概多少？

答

整個(gè)芯片制造過(guò)程中可能需要進(jìn)行數(shù)十次的光刻，光刻工藝成本占到整個(gè)芯片制造工藝的約三分之一，耗時(shí)約占整個(gè)芯片生產(chǎn)環(huán)節(jié)的40％－50％，光刻膠材料總成本占比約為5－6％。根據(jù)SEMI的預(yù)測(cè)，2021年掩模板、光刻膠、光刻膠配套試劑在半導(dǎo)體材料中的占比分別為13.1%， 12.6%和5.7%。

問(wèn)

3、能否請(qǐng)教下飛凱光刻膠在第三代半導(dǎo)體制程中應(yīng)用目前是什么狀況？占比怎樣？飛凱針對(duì)第三代市場(chǎng)后續(xù)的布局規(guī)劃是怎樣的？

答

iline+配套試劑

問(wèn)

4、krf及arf的原料也基本依賴進(jìn)口，請(qǐng)問(wèn)一下，后續(xù)國(guó)內(nèi)企業(yè)何時(shí)能夠?qū)崿F(xiàn)大規(guī)模的替代？在沒(méi)有國(guó)產(chǎn)替代前，原料進(jìn)口有保障嗎？

答

飛凱材料的主體樹脂可以自己合成。

問(wèn)

5、目前國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)度最快的光刻膠是哪種?

答

PCB光刻膠中的濕膜光刻膠，幾乎能做到50％以上國(guó)產(chǎn)；LCD光刻膠中的彩色光刻膠和黑色光刻膠，5％左右能實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代；半導(dǎo)體光刻膠中g(shù)線，i線光刻膠國(guó)產(chǎn)化率約10%。KrF、ArF作為高端光刻膠，我國(guó)的市占率僅1％，而更高端的EUV光刻膠目前處于研發(fā)階段。

問(wèn)

6、請(qǐng)問(wèn)從光刻膠研發(fā)角度來(lái)說(shuō)，是人才的數(shù)量還是質(zhì)量（例如在海外巨頭工作過(guò)，還是有博士學(xué)歷等等）更重要？

答

光刻膠開發(fā)存在大量know-how。有過(guò)成功研發(fā)經(jīng)驗(yàn)的團(tuán)隊(duì)可以大大減少走彎路的時(shí)間。

問(wèn)

7、光刻膠的保存時(shí)間，容器要求？

答

光刻膠對(duì)光敏感，在光照或高溫條件下其性能會(huì)發(fā)生變化。隨著保存時(shí)間的增加，光敏組分越來(lái)越多地從光刻膠中沉淀出來(lái)，這不僅會(huì)導(dǎo)致顯影速度降低，而且還會(huì)產(chǎn)生更高的暗腐蝕和較低的附著力。隨著使用時(shí)間的延長(zhǎng)，每次打開瓶蓋都會(huì)使瓶子中填充的溶劑氣氛破壞掉，從而導(dǎo)致光刻膠溶劑的持續(xù)揮發(fā)（一般開蓋100次會(huì)有明顯的變化），甚至是1%的溶劑變化都會(huì)導(dǎo)致光刻膠的粘度變化。容器要求潔凈度高，顆粒、金屬析出等滿足COA要求。

問(wèn)

8、國(guó)內(nèi)（比如飛凱材料等）光刻膠在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用主要有哪幾種，哪些是替代國(guó)外材料而開發(fā)的？以I線為例，謝謝！

答

有可以替代國(guó)外材料的i-line高分辨率正膠，顯影液等。

問(wèn)

1、 大宗氣站由投資模式怎么選，廠中廠，與廠外投資各有什么優(yōu)劣？

答

主流模式是廠中廠，性價(jià)比高；大規(guī)模的Fab和面板廠有廠外廠的模式，投資成本高，價(jià)格會(huì)高。如果工廠內(nèi)有氣站土地規(guī)劃，建議廠中廠模式。

問(wèn)

2、如何看待當(dāng)今工業(yè)氣體對(duì)電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的供應(yīng)鏈安全問(wèn)題？

答

長(zhǎng)期供應(yīng)鏈安全及卡脖子問(wèn)題，本土工業(yè)氣體推行國(guó)產(chǎn)化及研發(fā)實(shí)現(xiàn)自主可控是大趨勢(shì)。

問(wèn)

3、在關(guān)鍵設(shè)備和材料的研發(fā)方面，宏芯有沒(méi)有哪些規(guī)劃和研究？

答

宏芯有清晰的規(guī)劃及研究，有計(jì)劃的實(shí)施推進(jìn)中。

問(wèn)

4、電子大宗氣體供應(yīng)統(tǒng)應(yīng)從哪些方面精度要求來(lái)保證氣體的品質(zhì)及可靠性？

答

技術(shù)方案的確認(rèn)（氣體品質(zhì)要求、氣量爬坡計(jì)劃、主要設(shè)備品牌表）、氣站建設(shè)質(zhì)量、氣站運(yùn)行（人員配置與培訓(xùn)、運(yùn)行體系完善性及執(zhí)行、緊急供應(yīng)方案）、外購(gòu)氣體的物流配送保障（合格氣源的選擇及長(zhǎng)期供應(yīng)可靠性、品質(zhì)管理流程及體系）、技術(shù)支持團(tuán)隊(duì)等。

問(wèn)

5、可否談下要實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代，國(guó)內(nèi)電子氣體供應(yīng)商面臨著哪些苛刻的挑戰(zhàn)？

答

合格供應(yīng)商認(rèn)證、資金實(shí)力、團(tuán)隊(duì)完整性、歷史經(jīng)驗(yàn)積累、成功案例。

問(wèn)

6、特氣產(chǎn)業(yè)中有沒(méi)有專利卡脖子問(wèn)題？

答

白總：有的，比如前軀體就有專利IP問(wèn)題。

陳總補(bǔ)充：特氣產(chǎn)業(yè)中專利卡的較少。因?yàn)榇蠖酁閭鹘y(tǒng)材料，專利大多在容器上。主要是設(shè)備商，及部分材料商與設(shè)備商合作時(shí)，做了一個(gè)深度的綁定，主要是卡在這個(gè)地方。另外，對(duì)于材料的不純物含量，一般以商業(yè)機(jī)密形式存在，而不是專利。實(shí)際上使用的特氣/材料，實(shí)際上的不純物控制才是真正難點(diǎn)。

問(wèn)

7、國(guó)產(chǎn)氣體液體管路上的氟材料閥門，三通接頭可以符合要求，能大量替代進(jìn)口產(chǎn)品嗎？

答

目前了解還不可以，還是需要進(jìn)口。

問(wèn)

8、請(qǐng)問(wèn)白總，剛才提到的一些過(guò)濾系統(tǒng)等全進(jìn)口的零部件，未來(lái)有沒(méi)有可能被美國(guó)禁運(yùn)？如何解決？

答

這個(gè)應(yīng)該不會(huì)被禁止，國(guó)產(chǎn)產(chǎn)品已經(jīng)開始大量使用。

問(wèn)

9、目前咱們這個(gè)電子級(jí)TEOS市場(chǎng)驗(yàn)證什么進(jìn)展？

答

目前宏芯氣體還沒(méi)有開發(fā)TEOS產(chǎn)品。

審核編輯黃昊宇