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「專利解密」開元通信聚焦射頻新紀元

jf_tyXxp1YG ? 來源:中科聚智 ? 作者:中科聚智 ? 2022-12-09 14:39 ? 次閱讀
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集微網(wǎng)消息,開元通信聚焦先進濾波器射頻模組芯片能力建設(shè),依托自主創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)合作,實現(xiàn)了國產(chǎn)濾波器及模組的若干重要突破。近日開元通信實現(xiàn)了國產(chǎn)濾波器及模組的重要突破且榮獲中國科學(xué)家論壇中兩項提名。

無論是聲表面波濾波器還是體聲波濾波器,為了保持良好的射頻性能指標,對其工作環(huán)境有一定的要求,需要制備一個相對密閉空腔,用以隔絕外部的水氣,顆粒,玷污等對器件的影響。然而現(xiàn)有的保護性基體的使用,決定了射頻濾波器的整個制備工藝流程較長,工藝實現(xiàn)難度較高,同時材料、工藝和設(shè)備的應(yīng)用導(dǎo)致BAW器件的單顆制備成本昂貴,直接影響產(chǎn)品規(guī)?;瘧?yīng)用和市場競爭力。

為此,開元通信于2020年1月20日申請了一項名為“射頻濾波器”的發(fā)明專利(申請?zhí)? 202010066784.3),申請人為開元通信技術(shù)(廈門)有限公司。

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圖1 具備背電極的射頻濾波器結(jié)構(gòu)剖面示意圖

圖1為具備背電極的射頻濾波器的結(jié)構(gòu)剖面示意圖,包括:基體110、支撐電極200和薄膜結(jié)構(gòu)300。其中支撐電極相對基體向外凸設(shè)于基體的正表面;薄膜結(jié)構(gòu)間隔支撐電極形成于基體上,支撐電極的頂端的端面與薄膜結(jié)構(gòu)的正表面密封接觸?;w還可以提供支撐電極的形成襯底,同時為對應(yīng)的射頻濾波器的諧振結(jié)構(gòu)形成保護空間。

為將基體進行有效密封,同時形成對射頻濾波器的諧振結(jié)構(gòu)的保護作用,提供形成于基體正表面上的支撐電極,該支撐電極相對基體向外凸設(shè)于基體的正表面,可以與基體一體成型。由于薄膜結(jié)構(gòu)的采用,支撐電極材料可以采用銅、或類銅材料、類銅的合金材料等,極大地降低了成本。同時由于銅、類銅材料或類銅合金材料的電阻率比金更低,有利于減小器件的插入損耗,益于在高溫高壓下金屬原子的擴散,使得接觸界面更加模糊,達到了比金材料接觸更好的結(jié)合強度,以及更好的諧振效應(yīng)和密封強度。

薄膜結(jié)構(gòu)至少具有一膜層,通過覆膜的工藝直接貼覆在具有支撐電極的基體上。支撐電極起到對薄膜結(jié)構(gòu)的支撐作用,在薄膜結(jié)構(gòu)和基體之間形成諧振結(jié)構(gòu)的保護空間或諧振空間。為進一步有效的密封器件,可以將密封結(jié)構(gòu)設(shè)置于支撐電極的頂端的端面上,與薄膜結(jié)構(gòu)的膜層的正表面進行接觸密封。

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圖2 射頻濾波器制備流程示意圖

圖2為射頻濾波器制備流程示意圖,包括以下步驟:

首先在基體110的正表面上形成諧振結(jié)構(gòu)(S310);可以在基體的正表面上形成諧振結(jié)構(gòu)的壓電層130、下電極層120等。

然后基于諧振結(jié)構(gòu)在基體110的正表面上形成支撐電極200(S320);具體地,可以在基體的正表面上形成基于支撐電極的諧振結(jié)構(gòu)保護腔。該支撐電極的制備可以在基體的正表面上依據(jù)掩模圖案進行電鍍來實現(xiàn),以加強支撐電極與基體正表面之間的接觸強度。

最后在基體110上形成以支撐電極200為間隔的薄膜結(jié)構(gòu)300,支撐電極200的頂端的端面與薄膜結(jié)構(gòu)300的正表面密封接觸(S330)。具體地,薄膜結(jié)構(gòu)的膜層可以通過貼覆-固化的工藝固定密封在支撐電極的頂端的端面上,實現(xiàn)器件的封裝。

簡而言之,開元通信的射頻濾波器專利,通過薄膜結(jié)構(gòu)替代了傳統(tǒng)的保護性晶圓基體,使得射頻濾波器的封裝通過簡單的覆膜即可實現(xiàn)對器件密封腔的有效封裝,制備流程大幅度縮短,生產(chǎn)效率提高,流程簡單化。

審核編輯 :李倩

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原文標題:「專利解密」開元通信聚焦射頻新紀元

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