補償側(cè)墻 （Offset Spacer）和n/p 輕摻雜漏極 (n/ pLDD)工藝

補償側(cè)墻和 n/p 輕摻雜漏極工藝示意圖如圖所示。

首先沉積一薄層氮化硅或氮氧化硅（通常約2nm），然后進行回刻蝕（etch-Back)，在柵的側(cè)壁上形成一個薄層側(cè)墻(Spacer)。在補償側(cè)墻刻蝕后，剩下的氧化層厚度約為 2nm。 在硅表面保留的這一層氧化層，在后續(xù)每步工藝中將發(fā)揮重要的保護作用。補償側(cè)墻用于隔開和補償由于 LDD 離子注入（為了減弱短溝道效應(yīng)）引起的橫向擴散，對于 45nm/28nm 或更先進的節(jié)點，這一步是必要的。 然后分別對n-MOS和 p-MOS 進行輕摻雜漏極（LDD）離子注入。完成離子注入后，用尖峰退火(Spike Anneal)技術(shù)去除缺陷并激活 LDD 注入的雜質(zhì)。nLDD 和pLDD離子注入的順序、能量、劑量，以及尖峰退火或 RTA 的溫度，對晶體管的性能都有重要的影響。

審核編輯 ：李倩