集成電路制造中，一片晶圓(wafer)一般含有成千上萬顆晶粒(die，或者稱作裸晶)，晶圓經(jīng)過減薄、切割形成晶粒，最終將晶粒封裝為集成電路的芯片。通常，芯片需要經(jīng)過測試區(qū)分出良品和不良品，良品也要滿足一定的可靠性標準才能上市，不良品最終做報廢處理。集成電路工業(yè)不僅需要保證芯片的質(zhì)量和可靠度，也需要持續(xù)的提升良率，降低成本；因此就需要對測試不良品或失效芯片進行分析定位，找到失效的根因，反饋并推動晶圓廠和封測廠持續(xù)提升。因此，對不良品(或失效芯片)進行失效分析(failure analysis，F(xiàn)A)是芯片制造業(yè)的一個關鍵步驟。

在對不良品(或失效芯片)進行失效分析過程中，數(shù)據(jù)排查往往是最先要完成的一環(huán)，如分析芯片制造各環(huán)節(jié)(wafer測試、芯片封裝、芯片測試)的加工和測試數(shù)據(jù)，分析各制造環(huán)節(jié)是否引入了異常。對于一顆失效芯片來說，先要排查它的最終測試數(shù)據(jù)是否有異常，再查上游的封裝過程是否有異常，最后，排查芯片封裝的晶粒在晶圓上是否是良品。但如前所述，一片晶圓上往往有成千上萬顆晶粒，因此就需要對晶粒在晶圓上的位置進行標識以做區(qū)分。

通常，當晶粒包含存儲單元(例如寄存器電路單元)時，晶粒的位置信息數(shù)據(jù)可以直接燒寫到存儲單元中，在后續(xù)需要的時候，通過接口可以讀取之前燒寫的位置信息數(shù)據(jù)。或者，也可以通過物理方式在晶粒上制作出光學可視的位置標識，對于后者通常需要對現(xiàn)有芯片制造工藝作出改進以在晶粒上制作出位置標識，而晶粒上圖形的制作工藝主要采用類似攝影方法的光刻工藝，將光罩(mask)上的圖形轉(zhuǎn)印到晶粒上。制作單獨的光罩在晶粒上制作位置標識通常會增大成本，尤其是高分辨率的光罩制作成本會非常高。因此如何兼容現(xiàn)有制作工藝的基礎上，在晶粒上制作位置標識有待研究。

12月9日，華為最新公開了一件專利，提供一種晶粒、晶圓及晶圓上晶粒位置的標識方法，能夠兼容現(xiàn)有制作工藝的基礎上，在晶粒上制作位置標識，有效地控制了成本。

專利號：CN202080100160.7

專利名稱：晶粒、晶圓及晶圓上晶粒位置的標識方法

數(shù)據(jù)來源：大為innojoy全球?qū)＠麛?shù)據(jù)庫

該專利提供一種晶粒。晶粒包含制作于晶粒上的位置標識；位置標識用于指示晶粒在晶圓上的位置；位置標識包括第一位置標識及第二位置標識；第一位置標識用于指示第二光罩在晶圓上覆蓋區(qū)域的位置，其中，第二位置標識由第二光罩制作于覆蓋區(qū)域內(nèi)的晶粒上；第二位置標識用于指示晶粒在覆蓋區(qū)域內(nèi)的位置；其中，第一位置標識采用第一光罩通過一次曝光工藝制作，同一個覆蓋區(qū)域內(nèi)的晶粒上的第二位置標識采用第二光罩通過一次曝光工藝制作；第一位置標識和第二位置標識分別制作于晶粒上的不同層的材料層。

由于每個晶粒在第二光罩的覆蓋區(qū)域內(nèi)的位置相對固定，因此，可以選用某一層材料層的光罩作為第二光罩，在第二光罩上每個晶粒對應的位 置制作該晶粒在覆蓋區(qū)域內(nèi)的第二位置標識，則通過該第二光罩對覆蓋區(qū)域內(nèi)的晶粒曝光，即可制作出第二位置標識；然而，每一次曝光，第二光罩在晶圓上的覆蓋區(qū)域是不同的，這樣不同的覆蓋區(qū)域內(nèi)的晶粒的第一位置標識是不同的才能區(qū)別各個覆蓋區(qū)域的位置，因此并不能用相同的第二光罩制作第一位置標識，原因是如果采用類似使用第二光罩制作第二位置標識的方式制作第一位置標識的話，由于每個第一位置標識不同，即每個覆蓋區(qū)域都需要一張單獨的第二光罩，則需要制作多張第二光罩，并且每次曝光需要更換一次第二光罩，效率很低，其成本會很高，無量產(chǎn)使用價值。

因此，本申請的實施例中使用第一光罩通過一次單獨的曝光工藝在晶圓上所有晶粒上制作第一位置標識；這樣同一個覆蓋區(qū)域內(nèi)的晶粒上的第一位置標識全部相同；對于不同覆蓋區(qū)域的晶粒，第一位置標識不相同。并且通過第二光罩對整片晶圓上的不同覆蓋區(qū)域依次曝光，制作晶粒上的第二位置標識，通過第一位置標識和第二位置標識組合為位置標識來標識晶粒在晶圓上的位置，第一位置標識和第二位置標識分別制作于晶粒上的不同層的材料層，兼容現(xiàn)有制作工藝的同時，有效控制了成本的增加。

審核編輯 ：李倩