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如何快速實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)上下電時(shí)間

玩轉(zhuǎn)單片機(jī)與嵌入式 ? 來源:玩轉(zhuǎn)單片機(jī)與嵌入式 ? 作者:玩轉(zhuǎn)單片機(jī)與嵌入 ? 2022-12-20 09:54 ? 次閱讀
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前言

電路設(shè)計(jì)中,滿足MCU的上電時(shí)序,是系統(tǒng)設(shè)計(jì)最基本最重要的要求之一,因此設(shè)計(jì)中我們會(huì)格外關(guān)注系統(tǒng)電源的上下電時(shí)間,如果上下電時(shí)間過長(zhǎng),可能會(huì)導(dǎo)致MCU啟動(dòng)失敗或系統(tǒng)運(yùn)行邏輯混亂,因此縮短MCU電源的上電和放電時(shí)間就顯得尤為重要。

如何加快系統(tǒng)上電時(shí)間?

LDO或Buck類電源為例,之前項(xiàng)目中遇到一個(gè)問題,因?yàn)槭鼓芤_EN輸入電壓范圍跟輸入引腳VIN一樣,因此設(shè)計(jì)時(shí)直接將使能引腳接電源,后面板子回來做硬件測(cè)試時(shí)發(fā)現(xiàn)電源上電期間有抖動(dòng)現(xiàn)象,且上電時(shí)間比較長(zhǎng)。

后來通過分壓電阻將使能引腳用起來,上電抖動(dòng)消失,并且上電時(shí)間明顯減小。那么,為什么會(huì)有這種情況?

原因:使能引腳通過外部上拉來默認(rèn)使能,會(huì)過早地讓電源芯片達(dá)到使能閾值,輸出就會(huì)跟隨輸入,即輸入有多慢輸出就有多慢,且上電時(shí)輸入端的抖動(dòng)也會(huì)傳送給輸出,并且這種接法在輸入電壓不高的情況下打開芯片可能會(huì)導(dǎo)致芯片輸出又跌落的情況發(fā)生。如下圖1所示為設(shè)置EN直接上拉和采用分壓電路時(shí)的輸出曲線示意圖。

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圖1 EN上拉至輸入和采用分壓電路時(shí)的輸出曲線

曲線①,使能上拉至輸入,此時(shí)輸出上升時(shí)間長(zhǎng)且會(huì)受到輸入波動(dòng)的影響;

曲線②,合理采用分壓電阻,當(dāng)VIN上升到70%~80%的時(shí)候,再使EN的電壓到達(dá)使能閾值,此時(shí)輸出上升邊沿陡峭,輸出平穩(wěn),摒除了輸入電源的不穩(wěn)定階段,減小了輸入電壓波動(dòng)的影響。同時(shí)預(yù)留了20%~30%的余量,避免電源波動(dòng)導(dǎo)致輸出關(guān)閉。此時(shí)的上電對(duì)于MCU來說才是干凈利落的!

如何快速使系統(tǒng)下電?

系統(tǒng)快速下電的必要性:

系統(tǒng)在做快速上下電測(cè)試時(shí),經(jīng)常會(huì)遇到由于下電緩慢,導(dǎo)致系統(tǒng)下電不完全導(dǎo)致的重新開機(jī)邏輯混亂問題。如下圖2所示:

f9d1bdb6-7ff1-11ed-8abf-dac502259ad0.jpg

圖 2 掉電緩慢示意圖

如上圖2所示,當(dāng)電源掉電,負(fù)載不能及時(shí)泄放能量時(shí),就會(huì)出現(xiàn)MCU等數(shù)字器件掉電緩慢的情況。若此時(shí)重新上電,由于芯片內(nèi)部無法及時(shí)“歸零”,對(duì)MCU等數(shù)字器件來說,這是一種不確定的狀態(tài),此時(shí)再對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行重新上電的操作,就容易造成MCU邏輯混亂,系統(tǒng)不能啟動(dòng)的情況。

因此電源關(guān)閉后使MCU的電源快速下降至近0V,使系統(tǒng)在短時(shí)間內(nèi)到達(dá)一種確定的狀態(tài),也是快速重新上電時(shí)系統(tǒng)能正常啟動(dòng)的關(guān)鍵因素。

哪些方法:

以LDO為例,有的LDO芯片內(nèi)部是帶有快速泄放電路的,如下圖3規(guī)格書中描述。這是一款帶有快速放電功能的電源芯片。其內(nèi)部功能框圖如下圖4所示,基本原理是使能引腳EN拉低后,通過反相器變?yōu)楦唠娖降竭_(dá)內(nèi)部NMOS,此時(shí)NMOS的Vgs>0,因此導(dǎo)通將輸出VOUT拉低到GND泄放能量。

f9e6850c-7ff1-11ed-8abf-dac502259ad0.png

圖3

fa07fb10-7ff1-11ed-8abf-dac502259ad0.png

圖4

搭建分立電路做快速泄放電路,很多人分享過,這里大概講下原理,電路原理圖如下圖5所示。

開關(guān)SW閉合時(shí):

5V電源通過二極管D1成為電壓4.7V-Out。因?yàn)槎O管D1是一個(gè)肖特基二極管,其正向壓降比較小,約為0.3V。

此時(shí)三極管Q1的b極電壓為5V,e極電壓為4.7V,Q1不導(dǎo)通

開關(guān)SW斷開時(shí):

三極管Q1的e極電壓從4.7V開始下降,b極電壓從4V開始下降,Vbe = -0.7V,將Q1打開,大電容C1的電壓4.7V-Out通過三極管Q1、電阻R2快速泄放到地。

fa22dd40-7ff1-11ed-8abf-dac502259ad0.png

圖 5 電路原理圖

仿真波形圖如下:可以看出加了泄放電路的下電波形明顯要快于未添加的。

fa34651a-7ff1-11ed-8abf-dac502259ad0.png

圖 6 未添加泄放電路的仿真圖

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圖 7添加泄放電路的仿真圖

審核編輯:郭婷

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原文標(biāo)題:系統(tǒng)快速上下電如何實(shí)現(xiàn)?分享幾點(diǎn)經(jīng)驗(yàn)

文章出處:【微信號(hào):玩轉(zhuǎn)單片機(jī)與嵌入式,微信公眾號(hào):玩轉(zhuǎn)單片機(jī)與嵌入式】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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