國產(chǎn)碳化硅肖特基二極管B2D30120HC1

SiC肖特基二極管具有零反向恢復(fù)電流和零正向恢復(fù)電壓，散熱要求低，是高頻和高效率應(yīng)用的理想選擇。目前市場上以選用WOLFSPEED公司的碳化硅為主，但由于供貨周期和價格等因素，許多客戶正在尋求高性價比的替代器件。

本文重點推薦基本半導(dǎo)體的B2D30120HC1，該器件可pin-to-pin替代C4D30120D，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)和引腳定義基本一致，B2D30120HC1和C4D30120D的參數(shù)對比：

●由上圖可知，二者的反向重復(fù)峰值電壓均為1200V，此外，B2D30120HC1反向漏電流（VR=1200V , TJ=25°C）最大值為120uA，C4D30120D最大值為200uA，相比之下，在反向截止?fàn)顟B(tài)時B2D30120HC1具有更低的電能消耗，熱損更低，產(chǎn)品效率高； ●正向平均電流（TC=25?C），B2D30120HC1為108A，C4D30120D為88A； ●正向重復(fù)峰值電流方面，B2D30120HC1為30A，C4D30120D為68A，二者均能抵抗開關(guān)瞬間的電力波動，有較好的安全性； ●結(jié)溫溫度是電子設(shè)備中實際半導(dǎo)體碳化硅二極管所能耐受的最高溫度，反應(yīng)了產(chǎn)品對環(huán)境溫度的適應(yīng)能力。二者的結(jié)溫溫度范圍為-55°C-175°C，均符合軍工級器件的溫度要求，能夠適應(yīng)苛刻的溫度環(huán)境。綜合以上參數(shù)及封裝對比，B2D30120HC1碳化硅二極管與C4D30120D，典型電性能參數(shù)、內(nèi)部結(jié)構(gòu)和引腳定義基本一致，可實現(xiàn)完美的pin-to-pin兼容設(shè)計，無需更改任何外部電路。國芯思辰批量供應(yīng)基本半導(dǎo)體B2D30120HC1，

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