雖然有些人認為 GaN 仍是一種相對較新的技術，但卻無法否認它躋身一流技術行列的事實。GaN（又名“氮化鎵”）技術即將取代硅 LDMOS，后者一直以來都是高功率應用的首選。GaN 是一種 III-V 直接帶隙半導體技術。由于其具備更高的效率、出色的高壓可持續(xù)性、更低的功耗、更高的溫度屬性和功率處理特性，GaN 在功率電子設備領域的應用越來越廣泛。

這些屬性使 GaN 成為 5G 射頻的焦點，尤其是在毫米波 5G 網(wǎng)絡中。雖然我們都“聽說過”5G 的各種前景，隨著主要的無線網(wǎng)絡運營商向其客戶推出 5G 服務，如今大城市中的許多人，更確切地說大約有 500 萬人，開始了解這些前景。但其實我們尚未到那一步。完全不是那么回事。我們的目標是到 2025 年連接 28 億用戶。要實現(xiàn)這一目標，就意味著要改造整個移動基礎設施，雖然這是一項復雜的任務，但卻是能夠完成的。借助 GaN 技術，5G 將在不知不覺中達到數(shù)十億用戶。

最近，Embedded.com邀請 Qorvo 的 Roger Hall 撰寫了一系列 5G 文章，說明構建基礎設施的復雜性，以及在普及 5G 的創(chuàng)新中哪些方面適用 GaN。下面是每篇文章的摘要，并附有鏈接，以便大家深入了解。

5G 和 GaN：全面了解 6GHz 以下大規(guī)模 MIMO 基礎設施

在這篇文章中，Roger 說明了運營商在推出 5G 時，利用大規(guī)模 MIMO 技術最小化成本和提高容量的優(yōu)勢。他還探討了 6GHz 以下技術，并說明了為什么該技術對 5G 的采用和擴展至關重要。 此外，他還談到了如何在大規(guī)模 MIMO 基礎設施應用中使用 GaN。了解更多信息>

5G 和 GaN：從 LDMOS 向 GaN 的轉變

在這篇文章中，Roger 解釋了 6GHz 以下 5G 基站的功率需求如何推動硅 LDMOS 放大器向基于 GaN 的解決方案轉變，以及 GaN 為何能成為許多射頻應用的可行技術。他還回顧了工程師需要在這兩項技術之間進行的一些權衡，以及 GaN 為何能成為許多 5G 解決方案的首選。了解更多信息>

關于 Roger Hall

Roger 是 Qorvo 高性能解決方案部門總經(jīng)理。他負責無線基礎設施、國防和航天以及電源管理市場的項目管理和應用設計。這一領導角色使其能夠以獨特的視角來審視和解釋射頻技術在推動未來創(chuàng)新方面發(fā)揮的重要作用。

5G 和 GaN：嵌入式設計人員需要了解的內容

在前一篇博文的基礎上，Roger 就嵌入式設計人員如何充分發(fā)揮 GaN 的潛力發(fā)表了自己的見解。他還討論了人們對 GaN 的誤解，探討了 GaN 的特性，并提供了最大化 GaN 性能的最佳實踐。了解更多信息>

5G 和 GaN：未來創(chuàng)新

在本系列博文中的第四篇也是最后一篇文章中，Roger 展望了未來 GaN 在基站中的角色。他還簡要介紹了目前正在進行且在未來可提高線性效率、功率密度和可靠性的 GaN 創(chuàng)新，以及這些改進的影響。了解更多信息>

審核編輯黃昊宇