chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

功率mos管燒毀原因分析及導(dǎo)致失效原因

硬件攻城獅 ? 來源:硬件攻城獅 ? 2022-12-29 14:55 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

mos 管可能會遭受與其他功率器件相同的故障,例如過電壓(半導(dǎo)體的雪崩擊穿)、過電流(鍵合線或者襯底熔化)、過熱(半導(dǎo)體材料由于高溫而分解)。

更具體的故障包括柵極和管芯其余部分之前的極薄氧化物擊穿,這可能發(fā)生在相對于漏極或者源極的任何過量柵極電壓中,可能是在低至10V-15V 時發(fā)生,電路設(shè)計必須將其限制在安全水平。

還有可能是功率過載,超過絕對最大額定值和散熱不足,都會導(dǎo)致mos管發(fā)生故障。接下來就來看看所有可能導(dǎo)致失效的原因。

過電壓

mos 管對過壓的耐受性非常小,即使超出額定電壓僅幾納秒,也可能導(dǎo)致設(shè)備損壞。

mos 管的額定電壓應(yīng)保守地考慮預(yù)期的電壓水平,并應(yīng)特別注意抑制任何電壓尖峰或振鈴。

瞬態(tài)電流過載

持續(xù)時間短、大電流過載會導(dǎo)致mos 管器件逐漸損壞,但是在故障發(fā)生前 mos 管的溫度幾乎沒有明顯升高,不太能察覺出來。(也可以看下面分析的直通和反向恢復(fù)部分)

擊穿(交叉?zhèn)鲗?dǎo))

如果兩個相對 mos 管的控制信號重疊,則可能會出現(xiàn)兩個mos 管同時導(dǎo)通的情況,這會使電源短路,也就是擊穿條件。

如果發(fā)生這種情況,每次發(fā)生開關(guān)轉(zhuǎn)換時,電源去耦電容都會通過兩個器件快速放電,這會導(dǎo)致通過兩個開關(guān)設(shè)備的電流脈沖非常短但非常強。

通過允許開關(guān)轉(zhuǎn)換之間的死區(qū)時間(在此期間兩個 mos 管 均不導(dǎo)通),可以最大限度地減少發(fā)生擊穿的機會,這允許一個mos 管在另一個mos 管打開之前關(guān)閉。

沒有續(xù)流電流路徑

當(dāng)通過任何電感負(fù)載(例如特斯拉線圈)切換電流時,電流關(guān)閉時會產(chǎn)生反電動勢。在兩個開關(guān)設(shè)備都沒有承載負(fù)載電流時,必須為此電流提供續(xù)流路徑。

該電流通常通過與每個開關(guān)器件反并聯(lián)連接的續(xù)流二極管安全地引導(dǎo)回電源軌道。

5608bae8-873c-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

當(dāng) mos 管用作開關(guān)器件時,工程師可以簡單獲得 mos 管固有體二極管形式的續(xù)流二極管,這解決了一個問題,但創(chuàng)造了一個全新的問題......

mos 管體二極管的緩慢反向恢復(fù)

諸如特斯拉線圈之類的高 Q 諧振電路能夠在其電感和自電容中存儲大量能量。

在某些調(diào)諧條件下,當(dāng)一個 mos 管 關(guān)閉而另一個器件打開時,這會導(dǎo)致電流“續(xù)流”通過 mos 管的內(nèi)部體二極管。

這個原本不是什么問題,但當(dāng)對面的 mos 管 試圖開啟時,內(nèi)部體二極管的緩慢關(guān)斷(或反向恢復(fù))就會出現(xiàn)問題。

與 mos 管 自身的性能相比,mos 管 體二極管通常具有較長的反向恢復(fù)時間。如果一個 mos 管 的體二極管在對立器件開啟時導(dǎo)通,則類似于上述擊穿情況發(fā)生“短路”。

這個問題通??梢酝ㄟ^在每個 mos 管周圍添加兩個二極管來緩解。

5617f652-873c-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

首先,肖特基二極管與 mos 管 源極串聯(lián),肖特基二極管可防止 mos 管體二極管被續(xù)流電流正向偏置。其次,高速(快速恢復(fù))二極管并聯(lián)到 mos 管/肖特基對,以便續(xù)流電流完全繞過 mos 管 和肖特基二極管。

這確保了 mos 管 體二極管永遠(yuǎn)不會被驅(qū)動導(dǎo)通,續(xù)流電流由快恢復(fù)二極管處理,快恢復(fù)二極管較少出現(xiàn)“擊穿”問題。

過度的柵極驅(qū)動

如果用太高的電壓驅(qū)動 mos 管 柵極,則柵極氧化物絕緣層可能會被擊穿,從而導(dǎo)致mos 管無法使用。

超過 +/- 15 V的柵極-源極電壓可能會損壞柵極絕緣并導(dǎo)致故障,應(yīng)注意確保柵極驅(qū)動信號沒有任何可能超過最大允許柵極電壓的窄電壓尖峰。

柵極驅(qū)動不足(不完全開啟)

mos 管 只能切換大量功率,因為它們被設(shè)計為在開啟時消耗最少的功率。工程師應(yīng)該確保 mos 管硬開啟,以最大限度地減少傳導(dǎo)期間的耗散。

如果 mos 管未完全開啟,則設(shè)備在傳導(dǎo)過程中將具有高電阻,并且會以熱量的形式消耗大量功率,10 到 15 伏之間的柵極電壓可確保大多數(shù) mos 管完全開啟。

緩慢的開關(guān)轉(zhuǎn)換

在穩(wěn)定的開啟和關(guān)閉狀態(tài)期間耗散的能量很少,但在過渡期間耗散了大量的能量。因此,應(yīng)該盡可能快地在狀態(tài)之間切換以最小化切換期間的功耗。

563c7b6c-873c-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

由于 mos 管 柵極呈現(xiàn)電容性,因此需要相當(dāng)大的電流脈沖才能在幾十納秒內(nèi)對柵極進(jìn)行充電和放電,峰值柵極電流可以高達(dá)一個安培。

雜散振蕩

mos 管 能夠在極短的時間內(nèi)切換大量電流,輸入也具有相對較高的阻抗,這會導(dǎo)致穩(wěn)定性問題。在某些條件下,由于周圍電路中的雜散電感和電容,高壓 mos 管 會以非常高的頻率振蕩。(頻率通常在低 MHz),但這樣是非常不受歡迎的,因為它是由于線性操作而發(fā)生的,并且代表了高耗散條件。

這種情況可以通過最小化 mos 管 周圍的雜散電感和電容來防止雜散振蕩,還應(yīng)使用低阻抗柵極驅(qū)動電路來防止雜散信號耦合到器件的柵極。

“米勒”效應(yīng)

mos 管 在其柵極和漏極端子之間具有相當(dāng)大的“米勒電容”。在低壓或慢速開關(guān)應(yīng)用中,這種柵漏電容很少引起關(guān)注,但是當(dāng)高壓快速開關(guān)時,它可能會引起問題。

當(dāng)?shù)撞科骷穆O電壓由于頂部 mos 管 的導(dǎo)通而迅速上升時,就會出現(xiàn)潛在問題。

這種高電壓上升率通過米勒電容電容耦合到 mos 管 的柵極,會導(dǎo)致底部 mos 管 的柵極電壓上升,從而導(dǎo)致mos 管也開啟,就會存在擊穿情況,即使不是立即發(fā)生,也可以肯定 mos 管 故障。

米勒效應(yīng)可以通過使用低阻抗柵極驅(qū)動器來最小化,該驅(qū)動器在關(guān)閉狀態(tài)時將柵極電壓鉗位到 0 伏,這減少了從漏極耦合的任何尖峰的影響。在關(guān)斷狀態(tài)下向柵極施加負(fù)電壓可以獲得進(jìn)一步的保護(hù)。例如,向柵極施加 -10 V電壓將需要超過 12 V的噪聲,以冒開啟本應(yīng)關(guān)閉的 mos 管 的風(fēng)險。

控制器的輻射干擾

想象一下,將 1pF 的電容從你的火花特斯拉線圈的頂部連接到固態(tài)控制器中的每個敏感點的效果,存在的數(shù)百千伏射頻可以毫無問題地驅(qū)動大量電流通過微型電容器直接進(jìn)入控制電路。

如果控制器沒有放置在屏蔽外殼中,這就是實際會發(fā)生的情況。

控制電路的高阻抗點幾乎不需要雜散電容即可導(dǎo)致異常操作,但運行不正常的控制器可能會嘗試同時打開兩個相反的 mos 管 ,控制電子設(shè)備的有效射頻屏蔽至關(guān)重要。

分離電源和控制電路也是非常理想的,電源開關(guān)電路中存在的快速變化的電流和電壓仍然具有輻射顯著干擾的能力。

對控制器的傳導(dǎo)干擾

大電流的快速切換會導(dǎo)致電源軌上的電壓驟降和瞬態(tài)尖峰。如果電源和控制電子設(shè)備共用一個或多個電源軌,則可能會對控制電路產(chǎn)生干擾。

良好的去耦和中性點接地是應(yīng)該用來減少傳導(dǎo)干擾影響的技術(shù)。作用于驅(qū)動 mos 管 的變壓器耦合在防止電噪聲傳導(dǎo)回控制器方面非常有效。

靜電損壞

安裝 mos 管 或 IGBT 器件時,應(yīng)采取防靜電處理措施,以防止柵氧化層損壞。

高駐波比

這里要著重說一下,來自一位專業(yè)射頻工程師的解釋:在脈沖系統(tǒng)中,VSWR 不像在 CW 系統(tǒng)中那么大,但仍然是一個問題。

在CW系統(tǒng)中,典型的發(fā)射器設(shè)計用于50歐姆的電阻輸出阻抗。工程師通過某種傳輸線連接到負(fù)載,希望負(fù)載和線路也是50歐姆,并且電力沿電線很好地流動。

但如果負(fù)載阻抗不是50歐姆,那么一定量的功率會從阻抗不連續(xù)處反射回來。但反射功率會導(dǎo)致幾個潛在問題:

1、發(fā)射器看起來像一個負(fù)載并吸收了所有的功率,這不是一個好的現(xiàn)象。

例如,你的放大器效率為80%,你輸入的功率 1 KW,通常情況下,設(shè)備的功耗為200W,最終的功耗為800W,如果所有800W的功耗都被反射回來,忽然之間,這些設(shè)備就需要消耗全部的功耗。

2、前向波和反射波的組合會在傳輸線中產(chǎn)生駐波,在相距1/2波長的點處會變得非常高,從而導(dǎo)致?lián)舸┗蛘咂渌涣记闆r,這本質(zhì)上是表現(xiàn)負(fù)載阻抗不是預(yù)期的結(jié)果。

如果你有一個射頻電源在幾十兆赫茲,你可以裝配一個開放的平行線傳輸線,在脈沖系統(tǒng)中,你可能會遇到沿線路傳播的脈脈沖、阻抗不連續(xù)性、反射回以及與發(fā)送的下一個脈沖相加的問題。

反射脈沖是相同極性還是不同極性取決于距離和相對阻抗。

如果你有幾個不匹配,可能會得到很多來回移動的脈沖,這些脈沖會加強或者取消。這個對于商業(yè)配電來說是一個真正的大問題,因為沿線路的傳播時間是線路頻率周期的很大一部分,當(dāng)斷路器打開和關(guān)閉以及雷擊時會引起問題。

以上就是關(guān)于mos管燒毀的原因分析,希望能夠幫助到大家。

編輯:黃飛

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 二極管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    149

    文章

    10367

    瀏覽量

    177405
  • MOS管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    111

    文章

    2778

    瀏覽量

    75928
  • 功率器件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    43

    文章

    2098

    瀏覽量

    94852
  • 柵極驅(qū)動
    +關(guān)注

    關(guān)注

    8

    文章

    220

    瀏覽量

    23893

原文標(biāo)題:功率mos管燒毀原因分析

文章出處:【微信號:mcu168,微信公眾號:硬件攻城獅】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    功率MOS燒毀原因? 我們幫你總結(jié)出了這些原因

    今天給大家講一下關(guān)于MOS燒毀原因,文字比較多點,不容易讀,希望大家可以認(rèn)真看完。 MOS
    的頭像 發(fā)表于 04-24 09:55 ?2886次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b><b class='flag-5'>燒毀</b><b class='flag-5'>原因</b>? 我們幫你總結(jié)出了這些<b class='flag-5'>原因</b>

    MOS熱阻測試失效分析

    MOS瞬態(tài)熱阻測試(DVDS)失效分析如何判斷是封裝原因還是芯片原因,有什么好的建議和思路
    發(fā)表于 03-12 11:46

    功率MOS燒毀原因

    ,截止損耗(漏電流引起的,這個忽略不計),還有雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在mos承受規(guī)格之內(nèi),mos即會正常工作,超出承受范圍,即發(fā)生損壞。而開關(guān)損耗往往大于導(dǎo)通狀態(tài)損耗(不同mos這個差距可能很大。
    發(fā)表于 07-05 07:19

    電容失效原因分析

    電容失效原因分析 電容失效原因很多很多時候并不是電容的質(zhì)量不好而是有很多因素造成以下是一人之言請各位指正并探討: 1
    發(fā)表于 01-14 10:34 ?6627次閱讀

    什么原因導(dǎo)致功率無刷直流電機的MOS被燒壞

    什么原因導(dǎo)致控制小功率無刷直流電機的MOS被燒壞呢?若能夠提供詳細(xì)電路圖及各元器件的型號(比如MOS
    的頭像 發(fā)表于 02-15 11:20 ?2550次閱讀
    什么<b class='flag-5'>原因</b><b class='flag-5'>導(dǎo)致</b>小<b class='flag-5'>功率</b>無刷直流電機的<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>被燒壞

    MOS燒毀原因分析

    今天給大家講一下關(guān)于MOS燒毀原因,文字比較多點,不容易讀,希望大家可以認(rèn)真看完。
    的頭像 發(fā)表于 04-18 16:50 ?3824次閱讀

    功率MOS燒毀原因總結(jié)

    MOS 可能會遭受與其他功率器件相同的故障,例如過電壓(半導(dǎo)體的雪崩擊穿)、過電流(鍵合線或者襯底熔化)、過熱(半導(dǎo)體材料由于高溫而分解)。
    的頭像 發(fā)表于 05-05 09:11 ?1551次閱讀

    關(guān)于功率MOS燒毀原因總結(jié)

    MOS 可能會遭受與其他功率器件相同的故障,例如過電壓(半導(dǎo)體的雪崩擊穿)、過電流(鍵合線或者襯底熔化)、過熱(半導(dǎo)體材料由于高溫而分解)。
    發(fā)表于 06-11 15:58 ?1470次閱讀
    關(guān)于<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b><b class='flag-5'>燒毀</b>的<b class='flag-5'>原因</b>總結(jié)

    貼片電容短路燒毀原因分析

    很多人說貼片電容使用時會遇到電容燒毀等現(xiàn)象,那么碰到這些現(xiàn)象該如何應(yīng)對呢,首先我們需要先找到原因,下面小編給大家分析一下原因。   短路燒毀
    的頭像 發(fā)表于 07-04 15:19 ?4691次閱讀

    芯片失效分析方法 芯片失效原因分析

    芯片失效分析方法 芯片失效原因分析? 隨著電子制造技術(shù)的發(fā)展,各種芯片被廣泛應(yīng)用于各種工業(yè)生產(chǎn)和家庭電器中。然而,在使用過程中,芯片的
    的頭像 發(fā)表于 08-29 16:29 ?6477次閱讀

    功率MOS為什么會燒?原因分析

    功率MOS為什么會燒?原因分析? 功率MOS
    的頭像 發(fā)表于 10-29 16:23 ?3544次閱讀

    mos損壞的原因分析

    Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體)是一種常見的半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。然而,在實際應(yīng)用中,MOS可能會因為各種原因而損壞。
    的頭像 發(fā)表于 12-28 16:09 ?5040次閱讀
    <b class='flag-5'>mos</b><b class='flag-5'>管</b>損壞的<b class='flag-5'>原因</b><b class='flag-5'>分析</b>

    場效應(yīng)燒毀的主要原因

    時有發(fā)生,這不僅可能導(dǎo)致電路失效,還可能對設(shè)備造成不可逆的損害。因此,深入探討場效應(yīng)燒毀原因,對于提高電路的可靠性、降低故障率具有重要意
    的頭像 發(fā)表于 05-31 17:58 ?6272次閱讀

    PLC觸點燒毀原因分析與定位

    注意檢查相關(guān)的電路和設(shè)備,看是否有其他異常情況,如電路短路、過載保護(hù)器觸發(fā)等,這些信息有助于判斷觸點燒毀的可能原因。 原因分析與定位 在現(xiàn)象觀察的基礎(chǔ)上,接下來需要深入
    的頭像 發(fā)表于 09-16 11:04 ?2678次閱讀

    功率MOS在電源管理場景下的發(fā)熱原因分析

    功率MOS在電源管理場景下的發(fā)熱原因分析 功率MOS
    的頭像 發(fā)表于 06-25 17:38 ?552次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>在電源管理場景下的發(fā)熱<b class='flag-5'>原因</b><b class='flag-5'>分析</b>