摘要：射頻濾波器是當前5G通訊建設所需的核心器件，而壓電晶體則是制造射頻濾波器的基礎材料。本文就當前射頻濾波器所用的壓電材料的技術現(xiàn)狀進行了描述，對當前國內(nèi)外產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀進行簡要總結。

1引言

當前，第五代移動通信技術（5G）正在闊步前行，人類將開啟萬物廣泛互聯(lián)、人機深度交互的新時代。2020年3月，工信部發(fā)布的《工業(yè)和信息化部關于推動5G加快發(fā)展的通知》中強調，要“加快5G網(wǎng)絡建設部署、加大基站站址資源支持、加強電力和頻率保障”。

5G時代，智能終端需要接收（5G/4G/3G/2G）多個頻段，同時還要對WIFI/GPS等信號進行處理，需要在收發(fā)鏈路中使用多個濾波器避免信號互相干擾。射頻濾波器能夠在通信系統(tǒng)中對通信鏈路中的信號頻率進行選擇和控制，將帶外干擾和噪聲濾除。5G通訊對濾波器提出了高頻帶選擇性、高品質因子（Q）、低插入損耗等要求，當前主流技術路線產(chǎn)品是聲表面波（SAW）濾波器、溫度補償型聲表面波濾波器（TC-SAW）和薄膜體聲波濾波器（FBAR）。

2常見射頻濾波器

SAW濾波器是利用壓電材料表面的聲波來濾除雜波的濾波器。該類產(chǎn)品插入損耗低、抑制性能優(yōu)良、成本低，主要聚焦于10MHz-3GHz之間的頻段應用，但易受溫度變化的影響。為改善SAW的溫度特性，在其表層增加溫度補償薄膜制成TC-SAW濾波器。該類產(chǎn)品比普通的SAW濾波器結構和工藝更復雜，其制造成本也相對較高。

FBAR是體聲波（BAW）濾波器的薄膜化和微機電系統(tǒng)（MEMS）化技術分支，是利用在頻率元件晶體腔體內(nèi)部傳播的聲波來實現(xiàn)濾波的一類濾波器。FBAR的工作頻率可高達10GHz，能承受更大的功率，具有更高的可靠性和Q值，且對溫度變化的敏感度低，適合高頻率、大帶寬要求的5G通信濾波。但其制造需要使用較高難度的薄膜沉積與微機械加工技術，價格也是SAW濾波器的數(shù)倍。

隨著5G通訊的大力發(fā)展，以及物聯(lián)網(wǎng)接入設備和其他近場連接方式的增加，射頻濾波器市場的將獲得空前巨大的發(fā)展空間。當前智能手機仍是濾波器的消費藍海（約占市場的80%），且由于消費者對高質量通信的依賴，5G手機的消費市場將擁有更廣闊的消費前景。據(jù)統(tǒng)計，要實現(xiàn)2G+3G+4G+5G全球通，可能需要支持90多個頻段，而一個頻段通常需要兩個濾波器，這也意味著一部5G手機可能需要上百個濾波器。目前，一款4G手機需要用到的濾波器數(shù)量僅為30多個，5G時期全球射頻濾波器市場空間將達到4G時期的2～3倍。而價格方面，4G時代單部手機射頻器件價值平均在7.5美金，5G通訊對射頻器件的尺寸、頻率、帶寬提出了更高要求，F(xiàn)BAR的需求將大幅度增加，預計單臺手機中濾波器的價值將達到8~12美元。據(jù)預測，全球射頻濾波器市場規(guī)模將在2020年增至130億美金，到2022年濾波器市場將增至163億美元。

縱觀移動通訊用射頻濾波器產(chǎn)業(yè)鏈，上游的關鍵原材料主要包括兩大類，一個是壓電晶片（SAW常用的壓電材料是鉭酸鋰、鈮酸鋰等，F(xiàn)BAR常用的壓電材料是氮化鋁等），另一類是陶瓷基板，上游材料產(chǎn)業(yè)鏈主要集中在日本。中游為器件制造環(huán)節(jié)，主要集中在日本和美國。下游市場主要受智能手機、VR設備、車載終端等移動智能終端需求的推動，其中智能手機中射頻濾波器用量最大，應用企業(yè)主要在中國。

3射頻濾波器用壓電材料

3.1鉭酸鋰晶體

鉭酸鋰（Lithium tantalate，簡稱LT）是一種三方晶系的化學晶體，化學式LiTaO3，作為一種非線性光學材料，其應用范圍十分廣泛。LT以其優(yōu)良的非線性光學效應、壓電效應和光折變效應被廣泛用于高頻寬帶濾波器、二次諧波發(fā)生器、電光調Q元件、激光倍頻器等，在軍事、民用領域有著廣泛的用途。在射頻濾波器領域，因其卓越的壓電性質而被大量用作SAW濾波器的襯底材料，特別是在制作頻率3GHz以下SAW器件襯底中具有絕對的優(yōu)勢，沒有其他材料可替代其地位。

3.2鈮酸鋰晶體

與鉭酸鋰類似，鈮酸鋰（Lithium niobate，簡稱LN）也是三方晶系的化學晶體，屬鈦鐵礦型結構。經(jīng)過畸化處理的鈮酸鋰晶體具有壓電、鐵電、光電、非線性光學、熱電等多性能的材料，在軍事、民用領域有著廣泛的用途，可用于制造調Q開關、光電調制等；摻加一定量的鐵和其他金屬雜質的LN晶體，可用作全息記錄介質材料、二次諧波發(fā)生器、相位光柵調解器、大規(guī)模集成光學系統(tǒng)、高頻寬道帶濾波器等。LN也可作為壓電襯底在制造SAW濾波器中廣泛應用，其用量僅次于LT。

鉭酸鋰和鈮酸鋰晶體的制備通常都采用提拉法，直接從熔體中拉制出具有各種截面形狀晶體，鉭酸鋰晶體通常使用碳酸鋰和氧化鉭混合制備而成，鈮酸鋰晶體通常使用碳酸鋰、五氧化二鈮為原料制備而成。

3.3氮化鋁

氮化鋁（AlN）是一種六方纖鋅礦結構的共價鍵化合物。通常狀態(tài)下為灰色或灰白色，具有高熱導率、高溫絕緣性、介電性能好、高溫下材料強度大以及熱膨脹系數(shù)低等優(yōu)點。AlN在射頻濾波器中有兩方面的應用。其中一種是作為壓電薄膜用于制造薄膜體聲波濾波器（FBAR）。由于AlN沿c軸取向壓電效應明顯，在電極材料上制備ｃ軸擇優(yōu)取向的AlN薄膜可獲得高性能薄膜體聲波器件。AlN薄膜通常采用金屬化合物氣相沉積、脈沖激光沉積、磁控濺射等方法制備。另一方面應用場景是作為一種高溫耐熱陶瓷用作射頻濾波器的基板。AlN熱導率高，較氧化鋁陶瓷高5倍以上，同時其膨脹系數(shù)低，與硅性能一致。使用氮化鋁陶瓷為主要原材料制造而成的基板，具有高熱導率、低膨脹系數(shù)、高強度、耐腐蝕等特性，是理想的散熱基板和封裝材料。

氮化鋁粉體的制備方法很多，目前國內(nèi)外研究的主要有以下幾種方法：鋁粉直接氮化法、Al2O3碳熱還原法、自蔓延高溫合成法、溶膠-凝膠法、等離子化學合成法、化學氣相沉積法等。氮化鋁粉體在制備過程中容易氧化和水解，從而影響制品的純度和品質，因此采取適當措施來抑制和防止其氧化和水解，成為氮化鋁粉體制備技術當中的重要環(huán)節(jié)和今后研究的重點。

其他還有多種壓電材料也可用于射頻濾波器的制造，包括石英、鈮酸鉀、四硼酸鋰、鍺酸鎵鍶和鎵鑭系列等，隨著人們的不斷探索，多種優(yōu)異性能的壓電晶體也不斷被挖掘開發(fā)，但現(xiàn)階段用于制造SAW濾波器的壓電材料中用量最大的仍是鉭酸鋰和鈮酸鋰，而用于制造FBAR的壓電材料中用量最大的則是氮化鋁。其中石英是最早用于制造SAW濾波器的壓電晶體，但由于其自身機電耦合系數(shù)的限制，難以應用于高頻、寬帶的射頻濾波器，已逐步被淘汰。

4射頻濾波器壓電材料發(fā)展現(xiàn)狀

LT、LN晶體較大的壓電系數(shù)可以制作低插入損耗的SAW濾波器，但其光透過和高熱釋電等性能也給SAW器件的制作工藝帶來很多不便。在SAW或BAW器件生產(chǎn)過程中，高熱釋電系數(shù)使得晶片表面很容易形成大量靜電荷，這些電荷會在叉指電極間、晶片間自發(fā)釋放。當靜電場足夠高時，靜電荷釋放容易損傷晶片，燒毀叉指電極，特別是在制作高頻和細指條產(chǎn)品時尤為明顯。此外，在傳統(tǒng)壓電晶片上進行光刻工藝時，材料的透光性導致晶片背面形成漫散射，從而降低了光刻電路的襯度，導致失真的線寬。

針對SAW器件制作中存在的這些問題，近年來國際上興起對LN、LT晶片進行化學還原的工藝。經(jīng)處理過的LN和LT晶片，基本上都呈黑色，因此也稱為黑片。雖然LT黑片有效地減少了晶片的熱釋電效應，但過黑的LT晶片會對SAW濾波器的插入損耗造成影響，還易導致晶片的加工性差。晶片電阻率在1010Ω·cm量級范圍內(nèi)，可同時兼顧晶片可加工性和防靜電損傷的特點。

相較于氧化鋁陶瓷基板，受制于生產(chǎn)工藝要求高、價格偏高等因素的影響，現(xiàn)階段氮化鋁陶瓷基板應用范圍相對較窄，主要應用于高端電子領域。但隨著電子信息產(chǎn)業(yè)技術不斷升級，PCB基板小型化、功能集成化成為趨勢，市場對基板的散熱性與耐高溫性要求不斷提升，氮化鋁陶瓷基板的發(fā)展將迎來機遇，將在通信、消費電子、LED、軌道交通、新能源等各個領域得到應用。

現(xiàn)階段，國際上生產(chǎn)LT和LN晶體的主要國家在日本，日本的許多大型企業(yè)如住友化學株式會社、日本信越化學工業(yè)株式會社等都大規(guī)模生產(chǎn)LT、LN晶體，而AlN的主要生產(chǎn)廠商也是集中在日本，如京瓷和TDK等。目前，日本在射頻濾波器用壓電材料的制備和生產(chǎn)方面處于領先，無論是技術工藝水平還是產(chǎn)品質量和產(chǎn)量都占據(jù)龍頭地位。與壓電晶體類似，日本企業(yè)在國際氮化鋁陶瓷基板市場中同樣處于壟斷地位，此外中國臺灣地區(qū)也有部分產(chǎn)能。隨著中國電子信息產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，技術水平不斷提高，國內(nèi)市場對射頻濾波器的需求快速上升，在市場的拉動下，進入行業(yè)布局的企業(yè)開始增多。

射頻濾波器產(chǎn)業(yè)鏈結構整體非常復雜，所涉及的材料、曝光、光刻、工藝參數(shù)等細微變化都會極大影響產(chǎn)品性能。為了最大化的保證最優(yōu)設計結果，國外龍頭企業(yè)多采用IDM（集成器件制造）模式，企業(yè)具備器件設計、材料制備、晶圓及基板制造、封裝和可靠性測試等各環(huán)節(jié)的能力。此外，國際大廠對濾波器的制造工藝和知識產(chǎn)權的掌控也處于領先地位，以LT和LN晶體的發(fā)明專利為例，當前全球范圍內(nèi)專利總數(shù)排名前15的企業(yè)中，有9家日本的公司，而中國企業(yè)只有1家。因此國內(nèi)企業(yè)應加大創(chuàng)新研發(fā)投入，合理布局專利，建立完整系統(tǒng)的知識產(chǎn)權戰(zhàn)略體系。

現(xiàn)階段我國射頻濾波器生產(chǎn)工藝基礎薄弱。國內(nèi)制造廠家并不完全具備寬槽犧牲層材料平坦化、超薄片減薄拋光、Mo薄膜小角度干法刻蝕、高精度/高取向度和高均勻性壓電薄膜制備等多種核心制造技術，難以進行大規(guī)模的生產(chǎn)加工，或者產(chǎn)品批次一致性差，需進行大量的研發(fā)投入和技術摸索。經(jīng)不完全統(tǒng)計，我國2019年鉭酸鋰單晶的產(chǎn)量約為23萬噸，國內(nèi)能夠生產(chǎn)供射頻濾波器用的壓電材料的廠商主要有中國電科26所、浙江天通、上海召業(yè)、德清華瑩等。

5結語

據(jù)了解，中國電科26所生產(chǎn)的鉭酸鋰、鈮酸鋰晶體，雖然其晶體的黑化還原等高端技術仍不如日本企業(yè)，在部分特殊應用環(huán)境領域的應用仍需進口，但在移動通訊領域，其產(chǎn)能基本可滿足企業(yè)自身射頻濾波器產(chǎn)品的制造需求。這說明隨著我國產(chǎn)業(yè)的升級改造，射頻濾波器用壓電材料的產(chǎn)能也得到了逐步的提升。

包括射頻濾波器在內(nèi)的半導體產(chǎn)業(yè)正在度過一個歷史性的艱難階段。本次新型冠狀病毒肺炎疫情也導致了SAW濾波器的漲價和供不應求，在國產(chǎn)化替代需求和國家政策的推動下，國內(nèi)射頻濾波器企業(yè)也吹響了自主可控的旋律，正在圍繞關鍵材料壓電晶片的黑化還原劑設計、有限元分析及高Q值結構、復合薄膜結構層應力補償?shù)群诵募夹g進行攻關突破，以期盡快實現(xiàn)彎道超車。

審核編輯 ：李倩