SOAtherm模型與LTspice軟件一起分發(fā),并通過直接在電路仿真中驗(yàn)證未超出特定MOSFET的安全工作區(qū)(SOA)來簡(jiǎn)化熱插拔和浪涌抑制器設(shè)計(jì)。本文假定對(duì) SOAtherm 模型有基本的了解。
通常,電路設(shè)計(jì)人員獨(dú)立使用 LTspice SOAtherm-NMOS 符號(hào)來驗(yàn)證特定 MOSFET 的 SOA 是否適合給定應(yīng)用;無需額外的散熱器或PCB散熱模型。然而,在一些要求特別苛刻的應(yīng)用中,特別是那些高功率瞬變持續(xù)時(shí)間超過10毫秒的應(yīng)用中,可能需要利用散熱器或PCB提供的額外熱容量和耗散。以前,這是通過將電阻電容網(wǎng)絡(luò)連接到SOAtherm-NMOS模型的Tc引腳來實(shí)現(xiàn)的。
現(xiàn)在,使用SOAtherm-PCB和SOA-HeatSink符號(hào),可以通過指定一些物理參數(shù)來模擬散熱器和PCB熱行為,而不是根據(jù)公式計(jì)算組件值數(shù)組。
索熱多氯聯(lián)苯
要使用SOAtherm-PCB符號(hào),請(qǐng)將其連接到SOAtherm-NMOS符號(hào)的Tc引腳,如下所示。

SOAtherm-PCB符號(hào)
在大多數(shù)模擬中,只需提供以下信息:
| 參數(shù) | 描述 | 例子 |
| Area_Contact_mm2 | 接觸PCB的裸露焊盤/凸片區(qū)域(mm2) | 功率-SO8: 15, D2PAK: 70 |
| Area_PCB_mm2 | 專用于MOSFET功耗的PCB銅面積(mm2) | 50毫米×50毫米:2500 |
| Copper_Thickness_oz | 印刷電路板銅厚度(盎司) | 1盎司銅平面:1 |
| 環(huán)境 | 環(huán)境溫度(°C) | 85°C: 85 |
| 低頻機(jī) | 氣流 (LFM) | 100LFM: 100 |
| PCB_FR4_Thickness_mm | 印刷電路板厚度(毫米) | 2毫米厚FR4:2 |
使用 SOAtherm-PCB 符號(hào)時(shí),保守的做法是將 SOAtherm-NMOS RthetaJA 參數(shù)更改為較大的值(例如 1k),以消除仿真中 MOSFET 的默認(rèn)功耗值。

SOAtherm-PCB組件屬性
請(qǐng)記住,熱行為,尤其是氣流的熱行為,涉及許多變量之間的復(fù)雜相互作用。雖然SOAtherm-PCB是電路設(shè)計(jì)人員武器庫中的有用工具,但它不能替代更復(fù)雜的軟件,該軟件結(jié)合三維氣流行為和對(duì)相鄰組件的輻射來實(shí)現(xiàn)PCB布局的有限元分析。
SOAtherm-HeatSink
要使用 SOAtherm-HeatSink 模型,請(qǐng)將該符號(hào)連接到 SOAtherm-NMOS 符號(hào)的 Tc 引腳。

SOAtherm-HeatSink 符號(hào)
您可以通過右鍵單擊散熱器符號(hào)來指定散熱器是銅還是鋁,然后雙擊“SpiceModel”字段以生成下拉菜單。

SOAtherm-散熱器符號(hào)組件屬性
在大多數(shù)模擬中,您只需要提供以下信息:
| 參數(shù) | 描述 | 例子 |
|
Area_Contact_mm2 |
接觸散熱器的 MOSFET 片面積(mm2) | TO-220: 100, TO-3P: 200 |
| Volume_mm3 | 形成散熱器的銅或鋁的總體積(mm3) | 愛美德ML26AAG TO-220散熱器:1800 |
| 瑞塔 | 散熱器的熱阻,包括氣流(°C/W)。不包括界面材料的電阻 | Aavid ML26AAG TO-220 散熱器,每分鐘 200 英尺氣流:10 |
| 接口(可選) | 界面材料的熱阻(°C/W)。默認(rèn)值為 (100°C/W) / Area_Contact_mm2 | 100毫米2伯格奎斯特的西爾-帕德400:7 |
| 環(huán)境 | 環(huán)境溫度(°C) | 85°C: 85 |
請(qǐng)注意,Rtheta是散熱器數(shù)據(jù)表中的熱阻,包括氣流的影響。例如,在Aavid ML26AAG數(shù)據(jù)表中,提供了以下圖。

愛美德ML26AAG熱阻圖
在每分鐘200英尺的空氣速度下,熱阻為10°C / W。
有了這些信息,SOAtherm-HeatSink模型能夠提供散熱器瞬態(tài)熱行為的一階估計(jì)。它并不意味著取代更復(fù)雜的有限元軟件。
高級(jí)主題
以上信息足以開始運(yùn)行SOAtherm-PCB和SOAtherm-HeatSink仿真,但勤奮的工程師很快就會(huì)質(zhì)疑正在建模的內(nèi)容以及所做的簡(jiǎn)化。
SOAtherm-HeatSink 模型
SOAtherm-HeatSink模型相當(dāng)簡(jiǎn)單。它假裝散熱器形成一條銅條或鋁條,其橫截面與 MOSFET 片 (Area_Contact_mm2) 的接觸面積相匹配。棒材的長(zhǎng)度由指定的金屬體積(Volume_mm3)除以接觸面積確定。熱界面材料(導(dǎo)熱硅脂、硅焊盤等)由Rinterface參數(shù)提供的值的單個(gè)電阻器建模。如果未指定該參數(shù),則根據(jù) (100°C/W) / Area_Contact_mm2 計(jì)算默認(rèn)值。棒的另一端通過單個(gè)Rtheta值電阻連接到周圍環(huán)境。如上所述,這模擬了對(duì)環(huán)境的功耗。
由于該條在Cauer熱模型中建模為一系列電阻-電容抽頭,因此瞬態(tài)和穩(wěn)態(tài)行為反映在這個(gè)簡(jiǎn)單模型中。
SOAtherm-PCB模型
SOAtherm-PCB模型假設(shè)PCB在PCB的一側(cè)只有一層銅,并且該銅的總面積由Area_PCB_mm2參數(shù)定義。銅被建模為一個(gè)圓,MOSFET在中心。銅圓進(jìn)一步分為十個(gè)同心圓,最小圓的內(nèi)半徑由Area_Contact_mm2參數(shù)確定。SOAtherm-PCB熱模型將每個(gè)圓的熱阻和熱容量集中到一個(gè)R-C對(duì)中,形成Cauer熱模型的十個(gè)抽頭之一。
假設(shè)功率通過對(duì)流和輻射從PCB的頂部和底部耗散。對(duì)流和輻射在上述Cauer模型的十個(gè)抽頭中的每一個(gè)都獨(dú)立建模。這提供了比試圖描述整個(gè)PCB的對(duì)流和輻射的閉式方程更準(zhǔn)確的結(jié)果。
注意自然對(duì)流(無氣流)換熱系數(shù)值為1.1625e-5寬/(°C?毫米2) 在默認(rèn)對(duì)流模型中假定。該值可能會(huì)因結(jié)構(gòu)形狀、PCB 的方向、層流與湍流氣流等而異。如果需要,可以使用 hconv0 參數(shù)覆蓋此值。
氣流是通過根據(jù)以下公式調(diào)整對(duì)流模型的傳熱系數(shù)來建模的:
hconv = hconv0 (1 + 0.013 ? LFM0.8)
下面列出了可用于SOAtherm-PCB模型的完整參數(shù)集。在大多數(shù)情況下,只有本文檔上一節(jié)中列出的參數(shù)子集是必需的。
| 參數(shù) | 描述 | 例子 |
| Area_Contact_mm2 | 接觸PCB的裸露焊盤(或片)區(qū)域(mm2) | 功率-SO8: 15, D2PAK: 70 |
| Area_PCB_mm2 | 專用于MOSFET功耗的PCB銅面積(mm2) | 50毫米×50毫米:2500 |
| Copper_Thickness_oz | 印刷電路板銅厚度(盎司) | 1盎司銅平面:1 |
| 環(huán)境 | 環(huán)境溫度(°C) | 85°C: 85 |
| 低頻機(jī) | 氣流 (LFM) | 100LFM: 100 |
| PCB_FR4_Thickness_mm | 印刷電路板厚度(毫米) | 2毫米厚FR4:2 |
| Enable_Radiation | 用于啟用或禁用熱輻射建模。大于零的值會(huì)啟用輻射。默認(rèn)值 1(啟用)。 |
禁用輻射:0 啟用輻射:1 |
| 環(huán)境輻射 | 熱輻射模型目標(biāo)的溫度(°C)。默認(rèn)環(huán)境。 | 85°C目標(biāo):85 |
| 環(huán)境對(duì)流 | 對(duì)流模型中使用的周圍環(huán)境溫度(°C)。默認(rèn)環(huán)境。 | 85°C 環(huán)境:85 |
| 發(fā)射 | 熱輻射模型中使用的PCB的發(fā)射率。默認(rèn)值 0.8。 |
阻焊層:0.8 氧化銅:0.8 拋光銅:0.05 |
| HCOV0 | 指定對(duì)流方程中使用的自然對(duì)流(無氣流)傳熱系數(shù)。默認(rèn)值 1.1625e-5寬/°C?毫米2. | 1.1625E-5 |
審核編輯:郭婷
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