三代USB大有門(mén)道，快看你用的是哪一種？
本期我們對(duì)比市面上常見(jiàn)的三代USB標(biāo)準(zhǔn)：USB2.0、USB3.0、USB4。
白色或者黑色長(zhǎng)方形口，是USB2.0，發(fā)布于2000年，最高理論傳輸速度為60M/S，最大輸出電流5V/500mA；能支持?jǐn)?shù)據(jù)傳輸、圖像視頻、大容量存儲(chǔ)需求。
藍(lán)色長(zhǎng)方形口，是USB3.0，發(fā)布于2008年，最高理論傳輸速度為500M/S，最大輸出電流5V/900mA；可以比USB2.0更快進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸、圖像視頻、大容量存儲(chǔ)。
銀色扁圓口，是USB4 ，發(fā)布于2019年，最高理論傳輸速度為5G/S，最大輸出電流能達(dá)到48V/5A ，除了滿(mǎn)足數(shù)據(jù)傳輸、圖像視頻、大容量存儲(chǔ)需求，還可以更高效的支撐VR/AR，支持輸出HDR10顏色、60Hz的8K分辨率超高清畫(huà)質(zhì)。
可以發(fā)現(xiàn)，USB標(biāo)準(zhǔn)每隔十年更新一代，隔代性能差異很大。
審核編輯：湯梓紅
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
USB3.0
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
277瀏覽量
81643 -
usb
+關(guān)注
關(guān)注
60文章
8327瀏覽量
279723 -
USB2.0
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
190瀏覽量
47469 -
USB4
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
145瀏覽量
7118
原文標(biāo)題：三代USB大有門(mén)道，快看你用的是哪一種？
文章出處：【微信號(hào)：KeysightGCFM，微信公眾號(hào)：是德科技快訊】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
開(kāi)啟連接新紀(jì)元——芯科科技第三代無(wú)線(xiàn)SoC現(xiàn)已全面供貨
搭載第三代無(wú)線(xiàn)SoC中的Secure Vault安全技術(shù)率先通過(guò)PSA 4級(jí)認(rèn)證
第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域
隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展，半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進(jìn)。傳統(tǒng)的硅（Si）半導(dǎo)體已無(wú)法滿(mǎn)足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和高頻性能的需求，因此，第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)運(yùn)而生。第三代半導(dǎo)體主要包括氮化鎵（GaN
SMT FUJI NXT三代CPU卡 2EGTBC0302**/ 2EGTBC049700, PDS-BX01E0906
SMT FUJI NXT三代CPU卡 2EGTBC0302**/ 2EGTBC049700, PDS-BX01E0906
發(fā)表于 04-22 14:32
第三代半導(dǎo)體器件封裝：挑戰(zhàn)與機(jī)遇并存
一、引言隨著科技的不斷發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件在電力電子系統(tǒng)、電動(dòng)汽車(chē)、智能電網(wǎng)、新能源并網(wǎng)等領(lǐng)域發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用。近年來(lái)，第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件以其獨(dú)特的高溫、高頻、高耐壓等特性，逐漸
選購(gòu)真空共晶爐也有門(mén)道，快來(lái)get新技能！
在電子封裝領(lǐng)域，真空共晶爐作為一種重要的焊接設(shè)備，其性能直接影響到焊接質(zhì)量和生產(chǎn)效率。然而，面對(duì)市場(chǎng)上琳瑯滿(mǎn)目的真空共晶爐產(chǎn)品，如何做出明智的選擇成為了許多企業(yè)面臨的難題。本文將從真空度、漏率、加熱板材質(zhì)及冷卻方式等關(guān)鍵要素出發(fā)，為您詳細(xì)闡述真空共晶爐的選擇指南。
EE-230：第三代SHARC系列處理器上的代碼疊加
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-230：第三代SHARC系列處理器上的代碼疊加.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 01-08 14:43
?0次下載
第三代半導(dǎo)體廠(chǎng)商加速出海
近年來(lái)，在消費(fèi)電子需求帶動(dòng)下，加上新能源汽車(chē)、數(shù)據(jù)中心、光伏、風(fēng)電、工業(yè)控制等產(chǎn)業(yè)的興起，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體廠(chǎng)商發(fā)展迅速。
季豐電子全新推出MonitorMaster三代
在芯片測(cè)試領(lǐng)域，精準(zhǔn)的電壓、電流監(jiān)控是確保產(chǎn)品性能和穩(wěn)定性的關(guān)鍵。季豐電子全新推出的MonitorMaster三代，為高溫操作壽命測(cè)試（HTOL）和高加速溫濕度偏壓測(cè)試（HAST）提供了更強(qiáng)大的技術(shù)支持，助力芯片測(cè)試邁上新臺(tái)階！
第三代半導(dǎo)體對(duì)防震基座需求前景?
隨著科技的發(fā)展，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于快速擴(kuò)張階段。在全球范圍內(nèi)，各國(guó)都在加大對(duì)第三代半導(dǎo)體的投入，建設(shè)了眾多新的晶圓廠(chǎng)和生產(chǎn)線(xiàn)。如中國(guó)，多地都有相關(guān)大型項(xiàng)目規(guī)劃與建設(shè)，像蘇州的國(guó)家第三代半導(dǎo)體
用ADS124S08實(shí)現(xiàn)高精度溫度采集，用內(nèi)部時(shí)鐘源好還是外部時(shí)鐘源好？
ADS124S08的規(guī)格書(shū)里說(shuō)明其系統(tǒng)時(shí)鐘可以由內(nèi)部集成的4.096MHz振蕩器提供，也可以由外部時(shí)鐘源提供。我想請(qǐng)問(wèn)一下兩者在轉(zhuǎn)換精度上有多大差異？我要用ADS124S08實(shí)現(xiàn)高精度溫度采集，用內(nèi)部時(shí)鐘源好還是外部時(shí)鐘源好？采用哪一
發(fā)表于 12-20 08:12
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展
當(dāng)前，第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展。其中，新能源汽車(chē)市場(chǎng)的快速發(fā)展是第三代半導(dǎo)體技術(shù)推進(jìn)的重要?jiǎng)恿χ?b class='flag-5'>一，新能源汽車(chē)需要高效、高密度的功率器件來(lái)實(shí)現(xiàn)更長(zhǎng)的續(xù)航里程和更優(yōu)的能量管理。
第三代寬禁帶半導(dǎo)體:碳化硅和氮化鎵介紹
，被稱(chēng)為第三代寬禁帶半導(dǎo)體。 優(yōu)勢(shì) 高溫、高頻、高耐壓：相比第一代（Si、Ge）和第二代（GaAs、InSb、InP）半導(dǎo)體材料，第三代半導(dǎo)體材料在這些方面具備明顯優(yōu)勢(shì)。 導(dǎo)通電阻小：
第三代半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)基礎(chǔ)知識(shí)
第三代半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）。它以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，在科技界掀起了一陣熱潮。 ? 今天我要和你們聊一聊半導(dǎo)體領(lǐng)域的一顆“新星”——第三代
第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用
隨著科技的發(fā)展，半導(dǎo)體技術(shù)經(jīng)歷了多次變革，而第三代半導(dǎo)體材料的出現(xiàn)，正在深刻改變我們的日常生活和工業(yè)應(yīng)用。
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論