軟件提供商正在開發(fā)被稱為IP（知識產權）代碼的復雜中間件解決方案，保護它們對微控制器而言是一個非常重要的問題。為了滿足這一重要要求，STM32L4、STM32L4 +和STM32G4系列MCU可提供以下保護功能：

? 讀取保護（RDP）：防止進行讀取操作

? 寫保護：防止進行不需要的寫入或擦除操作

? 專利代碼讀取保護（PCROP）：防止在閃存和SRAM存儲器上進行讀寫操作。

? 防火墻：針對外部進程為敏感代碼和數(shù)據(jù)提供訪問保護。

本應用筆記對這些閃存保護功能進行了說明，重點介紹了專利代碼讀取保護（PCROP），并提供了PCROP保護的基本示例。防火墻保護（在STM32L4和STM32L4 +系列上可用）在www.st.com上的“ STM32L0 / L4防火墻概述”（AN4729）中進行了介紹。

目錄預覽

1 單分區(qū)存儲器保護說明

2PCROP示例

3 結論

1.單分區(qū)存儲器保護說明

基于Arm(a)內核的STM32L4、STM32L4+和STM32G4系列微控制器采用多種機制，可對整個存儲器或特定存儲段進行讀寫保護。讀保護用于保護代碼免受外部訪問的轉儲（SW IP保護），而寫保護用于保護代碼或數(shù)據(jù)不被意外改寫或擦除。除閃存外，這些保護還擴展到STM32L4和STM32L4+系列的SRAM2，以及STM32G4系列的CCM（內核耦合存儲器）SRAM。STM32L4xx MCU還具有防火墻機制，可在存儲器中創(chuàng)建受信執(zhí)行區(qū)域。

1.1 讀取保護（RDP）

讀取保護是全局閃存讀保護，可保護片內固件代碼，可以預防復制、逆向工程、使用調試工具讀出或其他方式的入侵攻擊。該保護應在二進制代碼載入片內閃存后，由用戶進行設置。讀取保護適用于：

? 主閃存? 實時時鐘（RTC）中的備份寄存器

? SRAM2（STM32L4/STM32L4+）或CCM-SRAM（STM32G4）

? 選項字節(jié)（僅限級別 2）。以下章節(jié)中對三個RDP級別（0，1和2）進行定義和描述

1.1.1 讀保護級別0

級別0是默認級別，閃存完全打開，可在所有引導配置（調試功能，從RAM、從系統(tǒng)內存引導加載程序或從閃存啟動）下進行全部內存操作。在這種模式下沒有保護，該模式可滿足開發(fā)和調試需求。

1.1.2 讀保護級別1

激活讀保護級別1時，即使是從SRAM或系統(tǒng)內存引導加載程序來啟動，也不能使用調試功能（如串行線路或JTAG）分別訪問（讀取，擦除和編程）STM32L4/L4+和STM32G4系列的閃存或SRAM2和CCM-SRAM。在這些情況下，任何對受保護區(qū)域的讀請求都會生成總線錯誤。

但是，當從閃存啟動時，則允許從用戶代碼訪問閃存和SRAM2（STM32L4/L4+）或CCM-SRAM（STM32G4）。

將RDP選項字節(jié)重新編程為級別0，可禁用RDP級別1保護，這會導致閃存被批量擦除；而且SRAM2（STM32L4/L4+）或CCM-SRAM（STM32G4）和備份寄存器會復位。

1.1.3 讀保護級別2

激活RDP級別2時，級別1下提供的所有保護均有效，MCU受到全面保護。RDP選項字節(jié)和所有其他選項字節(jié)都會被凍結，不能再修改。JTAG、SWV（單線查看器）、ETM和邊界掃描全部禁用。

從閃存啟動時，用戶代碼可以訪問內存內容。但是，不再能從SRAM或從系統(tǒng)內存引導加載程序啟動。這種保護是不可逆的（JTAG熔斷），所以不能回到保護級別1或0。

表 1根據(jù)保護級別和執(zhí)行模式總結讀取訪問權限。

? ?

1.1.4 受RDP保護的STM32內部閃存內容更新

當Flash RDP保護激活時（級別1或級別2），內部閃存內容不能通過調試進行更新，或者當從SRAM或系統(tǒng)內存引導程序啟動時也不能更新。

因此對最終產品的一個重要要求就是，能夠將內部閃存中的固件升級為新的固件版本，添加新功能并修正潛在問題。該需求可以通過實現(xiàn)用戶專用固件來解決，使用諸如USART的通信協(xié)議來進行重新編程過程，從而執(zhí)行內部閃存的應用內編程（IAP）。

關于IAP的更多詳細內容，請參考應用筆記AN3965，可在www.st.com上獲取。

1.2 寫保護

寫保護用來保護指定內存區(qū)域的內容，避免更新或擦除代碼段或非易失性數(shù)據(jù)。

1.2.1 閃存寫保護

寫保護區(qū)域的數(shù)量取決于閃存架構。對于STM32L4和STM32L4+系列，每個閃存中可以以2KB粒度定義最多2個區(qū)域。STM32G4 3類設備能夠以單分區(qū)或雙分區(qū)工作。

? 在單分區(qū)模式（DBANK = 0）中，最多能夠以4 KB的粒度定義四個寫保護區(qū)域。

? 在雙分區(qū)模式（DBANK = 1）中，最多可以定義兩個寫保護區(qū)域每個存儲庫中2 KB的粒度。

STM32G4 Cat2設備只能在單個閃存庫中工作。能夠以2 KB粒度定義兩個寫保護區(qū)域。

圖 1中的灰色區(qū)域是具有兩個粒度為2 KB的寫保護（WRP）區(qū)域的雙分區(qū)結構的示例。

受保護區(qū)域無法被擦除和編程，任何寫請求都會產生寫保護錯誤。如果要擦除/編程的地址屬于閃存中處于寫保護狀態(tài)的區(qū)域，則通過硬件將WRPERR標志置位。例如，如果閃存中至少有一頁是寫保護的，則不能對其進行批量擦除，并且設置WRPERR標志。

可通過嵌入式用戶代碼或使用STM32 ST-Link Utility軟件和調試接口，進行使能或禁用寫保護管理

1.2.2SRAM2 CCM-SRAM寫保護

在STM32L4/L4 +上，32KB的SRAM2可以通過1 KB頁面單獨進行寫保護。該保護的設置由32位系統(tǒng)配置寄存器進行控制，并在啟用后，只有系統(tǒng)復位才能對其進行禁用。

在STM32G4中，CCM-SRAM也可以通過1 KB的段進行寫保護（3類設備為32 KB，2類設備為10 KB）。

本文檔隨附的X-CUBE-PCROP固件封裝包含了PCROP示例的源代碼，以及基于STM32L4系列微控制器運行示例所需的所有固件模塊，并且該封裝可輕松移植到STM32L4 +和STM32G4系列微控制器上。

本應用筆記必須與產品數(shù)據(jù)手冊以及以下參考手冊一起閱讀，這些參考手冊可從www.st.com獲得：

? RM0351（STM32L4x5xx、STM32L4x6xx）

? RM0392 (STM32L4x1xx)? RM0394（STM32L43xxx、STM32L44xxx、STM32L45xxx、STM32L46xxx）

? RM0432（STM32L4Rxxx和STM32L4Sxxx）

? RM0440 (STM32G4xx）

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