IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品；封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上。

以兩單元舉例：用模擬萬(wàn)用表測(cè)量

靜態(tài)檢測(cè)：把數(shù)字萬(wàn)用表置于×100檔，檢測(cè)黑電筆接1端子、紅電筆接2端子，呈現(xiàn)電阻值為無(wú)窮大;電筆對(duì)調(diào)，呈現(xiàn)電阻值應(yīng)在400Ω左右。

用同樣的方法，檢測(cè)黑電筆接3端子、紅電筆接1端子，呈現(xiàn)電阻值為無(wú)窮大;電筆對(duì)調(diào)，呈現(xiàn)電阻值應(yīng)在400Ω左右。若合乎上述情況說(shuō)明此igbt模塊的2個(gè)單元沒(méi)有明顯的故障。

動(dòng)態(tài)測(cè)試：把數(shù)字萬(wàn)用表的檔位置于乘10K檔，用黑電筆接4端子，紅電筆接5端子，這時(shí)黑電筆接3端子紅電筆接1端子，這時(shí)電阻值為300-400Ω,把電筆對(duì)調(diào)也是有大約300-400Ω的電阻值說(shuō)明此igbt模塊單元是完好的。

用同樣的方法測(cè)試1、2端子間的igbt模塊，若合乎上述的情況說(shuō)明該igbt模塊也是完好的。

將數(shù)字萬(wàn)用表?yè)茉赗×10KΩ擋，用黑電筆接igbt模塊的漏極(D)，紅電筆接igbt模塊的源極(S)，這時(shí)數(shù)字萬(wàn)用表的指針指在無(wú)窮處。

用手指同時(shí)觸及一下柵極(G)和漏極(D)，這時(shí)igbt模塊被觸發(fā)導(dǎo)通，數(shù)字萬(wàn)用表的指針擺向阻值較小的方向，并能站住指示在某一位置。

之后再用手指同時(shí)觸及一下源極(S)和柵極(G)，這時(shí)igbt模塊被阻斷，數(shù)字萬(wàn)用表的指針回到無(wú)窮處。這時(shí)就可以判別igbt模塊是好的。

注意：若進(jìn)第2次檢測(cè)時(shí)，應(yīng)短接一下源極(S)和柵極(G)。

所有指針式萬(wàn)用表皆可用作檢測(cè)igbt模塊。

注意判別igbt模塊好壞時(shí)，一定要將數(shù)字萬(wàn)用表?yè)茉赗×10KΩ擋，因R×1KΩ擋之下各檔數(shù)字萬(wàn)用表內(nèi)部電池電壓太低，檢測(cè)好壞時(shí)沒(méi)法使igbt模塊導(dǎo)通，而沒(méi)法判別igbt模塊的好壞。

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審核編輯：湯梓紅