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利用飛秒瞬態(tài)吸收光譜驗(yàn)證S型異質(zhì)結(jié)中的電荷轉(zhuǎn)移機(jī)制

清新電源 ? 來源:清新電源 ? 2023-01-31 13:35 ? 次閱讀
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【研究背景】

太陽(yáng)能-化學(xué)能轉(zhuǎn)換成為實(shí)現(xiàn)碳中和最可行的解決方案。目前,由于光生電子與空穴的快速?gòu)?fù)合,單個(gè)光催化劑的活性并不理想。S型異質(zhì)結(jié)由氧化光催化劑(OP)和還原光催化劑(RP)組成,它們的能帶位置交錯(cuò),可以最大限度地發(fā)揮其氧化還原能力。

基于CdS的S型異質(zhì)結(jié)由于其合理的能帶結(jié)構(gòu)和自身的可見光吸收而引起了人們的極大興趣。S型電荷轉(zhuǎn)移機(jī)制已經(jīng)進(jìn)行了充分的研究,然而缺失了一個(gè)關(guān)鍵的部分是激子弛豫過程(俘獲和重組)的瞬態(tài)動(dòng)力學(xué)。因此,對(duì)動(dòng)力學(xué)的深入研究成為一個(gè)重要問題。飛秒瞬態(tài)吸收(fs-TA)光譜是研究光生載流子動(dòng)力學(xué)中電子轉(zhuǎn)移路徑的有力工具。通過提取光譜的衰減特征,可以在飛秒和皮秒時(shí)間尺度上模擬載流子的猝滅路徑及其壽命。

【成果簡(jiǎn)介】

中國(guó)地質(zhì)大學(xué)余家國(guó)、張留洋教授、湖北文理學(xué)院梁桂杰構(gòu)建了一系列硫化鎘/芘-替代二氟苯并噻二唑異質(zhì)結(jié),并通過飛秒瞬態(tài)吸收光譜研究了其光物理過程。在異質(zhì)結(jié)的光譜中檢測(cè)到一個(gè)界面電荷轉(zhuǎn)移信號(hào),這為S型電荷轉(zhuǎn)移提供了堅(jiān)實(shí)的證據(jù),補(bǔ)充了已有方法的結(jié)果。該工作“Verifying the Charge-Transfer Mechanism in S-Scheme Heterojunctions Using Femtosecond Transient Absorption Spectroscopy“為題發(fā)表在《Angewandte Chemie International Edition》上。

【研究亮點(diǎn)】

1. 界面電荷轉(zhuǎn)移壽命為~78.6 ps; 2. S型異質(zhì)結(jié)光催化劑比硫化鎘具有更高的1,2-二醇轉(zhuǎn)化率和H2產(chǎn)率。

【圖文導(dǎo)讀】

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圖 1. a) Pd(0)催化PDB的Suzuki-Miyaura縮聚路線。b)CPDB復(fù)合材料的制備示意圖。c),d) CPDB10 TEM圖像。e) CdS納米晶體的高分辨率TEM圖像。f-j) CPDB5的元素映射。

該復(fù)合材料是通過在聚合物PDB上原位生長(zhǎng)CdS制備的,如圖1a,b所示。聚合物PDB是通過鈴木偶聯(lián)反應(yīng)獲得的。如圖1c,d所示,對(duì)于CPDB復(fù)合材料,CdS納米顆粒均勻分布在PDB表面。HRTEM (圖1e)顯示原子有序排列和晶格間距為3.36?,與立方CdS的 (111)面一致。CPDB5的元素映射進(jìn)一步表明了CdS在PDB表面的均勻分布。

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圖 2. a) CdS和CPDB復(fù)合材料的穩(wěn)態(tài)PL。b)光生載流子的重組過程示意圖。c) CPDB電荷密度差。

在原始CdS上可以檢測(cè)到兩個(gè)PL峰值(圖2a)。在520 nm處的峰值(PL1)為本征發(fā)射,歸因于CBM電子和VBM空穴的重組。617 nm處的峰值(PL2)可歸因于阱態(tài)發(fā)射,這對(duì)應(yīng)于CBM電子和阱穴的結(jié)合(圖2b)。CdS和PDB復(fù)合后,PL1和PL2接近淬滅,意味著兩個(gè)重組過程受到抑制。CPDB電荷密度差的DFT計(jì)算(圖2c)顯示電子從PDB轉(zhuǎn)移到CdS。

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圖 3. a) N 1s和b) Cd 3d的高分辨率XPS。c) S型電荷轉(zhuǎn)移機(jī)理示意圖

如圖3a,b所示,光生電子從CdS轉(zhuǎn)移到PDB?;谏鲜鼋Y(jié)果,提出了CdS與PDB之間的S-型電荷轉(zhuǎn)移路徑,如圖3c所示。

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圖 4. a)純CdS和b) CPDB5的二維映射TA光譜。fs-ns時(shí)間尺度上c)、d) CdS和e)、f) CPDB復(fù)合材料的TA光譜信號(hào)。g) CdS的CBM與PDB的HOMO能級(jí)之間的能帶示意圖。h)添加或不添加清除劑時(shí)CdS和CPDB5 TA譜中GSB峰的歸一化衰變動(dòng)力學(xué)曲線。

fs-TA光譜分析(圖4a-f)表明在被波長(zhǎng)為400 nm的泵浦脈沖激發(fā)后,CdS的TA光譜在~510nm處出現(xiàn)明顯的負(fù)峰,該峰屬于基態(tài)漂白劑(GSB),除GSB峰外,在~710 nm處還觀察到一個(gè)額外的負(fù)峰這一發(fā)現(xiàn)表明,該峰值是由于CdS和PDB之間的電荷轉(zhuǎn)移。

該峰值的波長(zhǎng)與CBM之間的能級(jí)差(Eb)一致 (圖4g)。因此,這個(gè)負(fù)峰可以合理地解釋為從CdS到PDB的界面電荷轉(zhuǎn)移(標(biāo)記為ICT信號(hào))引起的光致發(fā)射過程,為S型電荷轉(zhuǎn)移途徑提供了直接證據(jù)。如圖4h所示,CdS- LA配合物的GSB信號(hào)表現(xiàn)出與原始CdS相似的恢復(fù)過程,而CdS-Cr的信號(hào)則是完全淬滅。這些光譜特征表明GSB信號(hào)主要由電子貢獻(xiàn),而不是空穴。

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圖 5. a) CdS和b) CPDB5在510 nm處的歸一化衰變動(dòng)力學(xué)曲線。c) CdS和CPDB復(fù)合材料中光生電子的衰變路徑示意圖。

已經(jīng)證實(shí),光生電子主要參與了轉(zhuǎn)移過程。因此,進(jìn)一步研究了它們?cè)贑dS和CPDB復(fù)合材料中的衰減時(shí)間(圖5a,b)。衰減軌跡擬合為一個(gè)三指數(shù)模型,表明三個(gè)途徑主導(dǎo)了光生電子的弛豫。如圖5c所示,電子在晶格上擴(kuò)散的壽命很短(幾皮秒),兩個(gè)較慢的猝滅過程可以解釋為CBM中的電子分別與VBM中的空穴(PL1)和俘獲態(tài)(PL2)復(fù)合,由于空穴捕獲態(tài)高于VBM,第二電子衰變路徑(τ2 = 171.9 ps)被分配給了光生電子與空穴的復(fù)合,延長(zhǎng)的壽命(τ3 = 1523.4 ps)被認(rèn)為是電荷載流子重組的結(jié)果。

對(duì)于CPDB復(fù)合材料,由于界面電子傳遞過程的參與,GSB信號(hào)的衰減采用四指數(shù)函數(shù)擬合如圖5b所示,CPDB5內(nèi)的電子擴(kuò)散壽命(τ1 = 1.8 ps)與純CdS相同,而PL2 (τ2 = 147.5 ps)和PL1 (τ3 = 1051.1 ps)的壽命因部分光生電子從CdS的CBM注入到PDB的HOMO中而縮短。因此,新擬合的壽命(τ4)為78.6 ps歸因于界面電子轉(zhuǎn)移。

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圖 6. a)CdS和CPDB復(fù)合材料產(chǎn)H2的Gibbs自由能譜。b)循環(huán)伏安曲線。c)樣品的能帶位置和1-苯基-1,2-乙醇的氧化電位圖。d)樣品光催化產(chǎn)氫速率的比較。e)時(shí)間分辨HPLC信號(hào)。

S或N為活性位點(diǎn)時(shí),計(jì)算得到CdS和CPDB的ΔGH*分別為?1.24 eV和0.36 eV(圖6a),這表明CPDB具有比CdS更低的光催化產(chǎn)氫能壘。循環(huán)伏安法測(cè)定1-苯基-1,2-乙醇的單電子氧化電位為+1.53 V vs. NHE,相應(yīng)的氧化峰電流密度為0.32 mA cm-2(圖6b),在相同電流密度下,水的氧化電位為+1.76 V。CdS (圖6c)能氧化1-苯基-1,2-乙醇,而PDB不能。其次,1-苯基-1,2-乙醇優(yōu)先于水被氧化。如圖6d所示,光照4小時(shí)后,PDB沒有活性。原始CdS的中H2生成速率為1.15 mmolh?1 g?1,1-苯基-1,2-乙醇轉(zhuǎn)化率為17%。CdS/PDB復(fù)合材料表現(xiàn)出顯著增強(qiáng)的性能。1-苯基-1,2-乙醇的轉(zhuǎn)化采用高效液相色譜法(HPLC,圖6e)進(jìn)行監(jiān)測(cè)。

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圖 7. a) EPR。b) CPDB復(fù)合材料的光催化1-苯基-1,2-乙醇氧化路徑。

如圖7a所示,光照2min后,檢測(cè)到典型的芐基碳自由基信號(hào),表明αC-H鍵的裂解是該反應(yīng)的決速步,對(duì)照實(shí)驗(yàn)表明光生空穴是主要的活性物種。光催化 機(jī)理如圖7b所示。

【總結(jié)與展望】

綜上所述,制備了無機(jī)/有機(jī)復(fù)合材料CPDB。除了常用的開爾文探針和原位光照XPS外,fs-TA的結(jié)果為S-型載流子轉(zhuǎn)移機(jī)制提供了堅(jiān)實(shí)的證據(jù)。在TA光譜中檢測(cè)到一個(gè)S型電荷轉(zhuǎn)移信號(hào)(ICT峰)。面電子轉(zhuǎn)移過程的壽命為78.6 ps。這種S型異質(zhì)結(jié)表現(xiàn)出優(yōu)越的光催化1-苯基-1,2-乙醇轉(zhuǎn)化率(> 98%)和優(yōu)越的H2生產(chǎn)效率。EPR分析顯示苯碳自由基的形成是該反應(yīng)的決速步驟,清除劑光催化實(shí)驗(yàn)證明光生空穴是主要的活性物質(zhì),而不是自由基。這項(xiàng)工作拓展了fs-TA對(duì)界面電荷轉(zhuǎn)移研究的應(yīng)用。






審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:余家國(guó)Angew:利用飛秒瞬態(tài)吸收光譜驗(yàn)證S型異質(zhì)結(jié)中的電荷轉(zhuǎn)移機(jī)制

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    當(dāng)電子束或X射線白光照射到固體物質(zhì)時(shí)能發(fā)射特征X射線譜線,這是電鏡能譜元素分析或X熒光元素分析的基本原理。這些元素特征光譜與元素核外電子能級(jí)差相關(guān)。這些發(fā)射的光譜屬于X射線,波長(zhǎng)在0.1至1nm,其
    的頭像 發(fā)表于 01-21 10:09 ?1170次閱讀
    原子<b class='flag-5'>吸收光譜</b>的原理的新思考及應(yīng)用