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新加坡國(guó)立&天大EES:WO3晶面設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)高性能光輔助Li-O2電池!

清新電源 ? 來(lái)源:清新電源 ? 2023-02-03 16:13 ? 次閱讀
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研究背景

鋰空氣電池(LOB)由于其超高理論比能量,近年來(lái)備受關(guān)注。然而,受到放電產(chǎn)物L(fēng)i2O2不溶且絕緣等限制,LOB氧還原反應(yīng)和析氧反應(yīng)(ORR和OER)較慢,導(dǎo)致大過(guò)電位和較差循環(huán)穩(wěn)定性。研究表明,引入電催化劑,如金屬氧化物/硫化物、貴金屬等可以加速ORR和OER反應(yīng),但催化劑存在過(guò)電位高、不穩(wěn)定和成本高以及穿梭效應(yīng)等問(wèn)題。近年來(lái),光激發(fā)半導(dǎo)體被引入到Li-O2電池體系中,為改善其高過(guò)電位提供了新策略,得益于光生空穴的高氧化能力,Li2O2可以在超低充電平臺(tái)上有效分解。而現(xiàn)有研究主要集中在半導(dǎo)體材料選擇和優(yōu)化上,對(duì)半導(dǎo)體材料與Li2O2之間結(jié)構(gòu)-活性關(guān)系仍然不清楚,所以揭示光照下半導(dǎo)體與Li2O2相互作用機(jī)理,對(duì)于深入理解和合理設(shè)計(jì)光輔助電極材料十分重要。

成果簡(jiǎn)介

近期,天津大學(xué)Wei Chen和新加坡國(guó)立大學(xué)Zhangliu Tian等在Energy & Environmental Science上發(fā)表題為“Facet-controlled bifunctional WO3 photocathodes for high-performance photo-assisted Li-O2 batteries”的文章。該工作通過(guò)晶面控制工程來(lái)增強(qiáng)WO3光電極光催化反應(yīng)活性,利用增加暴露(002)晶面,實(shí)現(xiàn)放電產(chǎn)物L(fēng)i2O2從溶液生長(zhǎng)途徑向表面生長(zhǎng)途徑的可控轉(zhuǎn)變。WO3在高催化活性的(002)晶面作用下,解決了傳統(tǒng)表面生長(zhǎng)途徑控制的Li-O2電池過(guò)早失效的問(wèn)題,使高容量和長(zhǎng)壽命光輔助Li-O2電池成為可能。

研究亮點(diǎn)

(1)通過(guò)水熱法可控設(shè)計(jì)合成了具有不同(002)/(020)晶面比的WO3光電極材料,以深入研究晶面對(duì)光輔助電池的影響。 (2)(002)晶面占優(yōu)的WO3電極具有活性面積大、對(duì)O2吸附能力強(qiáng),以及光生載流子多等特點(diǎn),其光輔助Li-O2電池性能顯著增強(qiáng),過(guò)電位僅0.07 V,放電容量達(dá)10500 mAh g-1。 (3)首次證明Li2O2與WO3形成Z型異質(zhì)結(jié),Li2O2可以產(chǎn)生光電子參與電極反應(yīng),從而突破傳統(tǒng)Li-O2電池容量限制。

圖文導(dǎo)讀

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圖1. (a) 晶面控制Li2O2生長(zhǎng)路線(xiàn)和WO3光催化活性示意圖;(b) 光輔助放電過(guò)程機(jī)理圖。WO3放電過(guò)程分析。在各種半導(dǎo)體光催化劑中,WO3具有可控晶面和合適帶隙,展現(xiàn)出良好空穴擴(kuò)散長(zhǎng)度和電子遷移率,被認(rèn)為是一種很有前途的光輔助Li-O2電池電極材料。作者通過(guò)水熱法在碳布(CC)上原位制備出WO3納米盤(pán)、WO3納米棒和WO3納米片(分別記作1-WO3、2-WO3和3-WO3),得到不同(002)/(020)晶面比的WO3光電極材料,系統(tǒng)研究了光電極的晶面依賴(lài)性對(duì)光輔助LOB性能的影響,其中1-WO3和3-WO3分別具有最低和最高(002)/(020)晶面比。 實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),隨(002)晶面增加,放電產(chǎn)物L(fēng)i2O2逐步由溶液生長(zhǎng)模式調(diào)整為表面生長(zhǎng)模式(圖1a),且由于空穴準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)加深,(002)晶面在OER過(guò)程中表現(xiàn)出最高光催化活性。更重要得是,表面生長(zhǎng)模式形成的p型Li2O2,在WO3和Li2O2界面處誘導(dǎo)形成Z型異質(zhì)結(jié),促進(jìn)Li2O2解離為自由載流子來(lái)參與反應(yīng),從而有利于LOB電池性能提升(圖1b)。

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圖2. 晶面控制的Li2O2生長(zhǎng)途徑示意圖。理論計(jì)算分析。作者首先采用密度泛函理論(DFT)研究了中間產(chǎn)物L(fēng)iO2、WO3晶面以及電解質(zhì)之間的關(guān)系。計(jì)算結(jié)果表明,LiO2在(020)和(002)晶面上吸附能分別為1.64和2.22 eV,表明LiO2在(002)晶面上具有較強(qiáng)親和力,而LiO2在四甘醇二甲醚(TEGDME)電解質(zhì)中溶劑化能為1.70 eV。根據(jù)吸附-溶解方程可知,當(dāng)LiO2吸附能高于溶劑化能時(shí),表面生長(zhǎng)路線(xiàn)將占主導(dǎo)地位,否則放電產(chǎn)物則將遵循溶液生長(zhǎng)路線(xiàn)。因此,暴露WO3不同晶面會(huì)導(dǎo)致形成Li2O2生長(zhǎng)途徑不同。

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圖3. 不同晶面比WO3結(jié)構(gòu)形貌表征。(a) WO3/CC光電極制備工藝示意圖;(b) 不同WO3/CC光電極XRD圖;(c-e) 不同WO3/CC光電極SEM圖;(f-k) 不同WO3/CC光電極TEM和HRTEM圖。WO3結(jié)構(gòu)形貌分析。作者使用X射線(xiàn)衍射,及精修和透射電鏡等,對(duì)不同WO3物相和結(jié)構(gòu)等進(jìn)行分析。結(jié)果表明,三種WO3光電極材料,均屬于單斜晶型,空間群為P21/n,且晶格參數(shù)接近。其中,3-WO3的(002)/(020)晶面比最高為1.24,而1-WO3和2-WO3分別僅為1.05和0.85(圖3a-e),該結(jié)果與通過(guò)高分辨透射圖計(jì)算得到的不同晶面比相一致。以上結(jié)果表明,3-WO3納米片暴露出更多(002)晶面。

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圖4. 不同WO3電化學(xué)性能分析。(a) 光照充放電曲線(xiàn);(b) 暗態(tài)充放電曲線(xiàn);(c) 間歇性光響應(yīng)實(shí)驗(yàn);(d) 50 mA g-1下,光照/暗態(tài)條件電池容量對(duì)比;(e) 光照下放電/充電10 h后電極XPS圖,Li 1s;(f) 循環(huán)性能圖。電化學(xué)性能分析。隨后作者通過(guò)一系列電化學(xué)測(cè)試來(lái)探究光輔助LOB電池性能。首次充放電循環(huán)中,相較于暗態(tài)條件,光照下LOB過(guò)電位明顯降低,三種WO3分別僅為0.5 V、0.41 V和0.07 V(圖4a, b)。光響應(yīng)實(shí)驗(yàn)中WO3充放電電位反復(fù)升高和降低的現(xiàn)象證明光照可以加速電池OER/ORR過(guò)程,且光照可以大大增加LOB電池容量(圖4c, d),這是因?yàn)楣馍d流子可以有效地調(diào)節(jié)極化電勢(shì)。更重要得是,研究發(fā)現(xiàn)WO3光電極的充放電性能隨(002)/(020)晶面比增加而顯著提高,三種WO3光電極中,(002)晶面占比最高的3-WO3/CC在光照下深度充放電后,電極XPS圖中Li2O2信號(hào)仍完全消失,表現(xiàn)出高可逆性(圖4e, f),其極化電壓在100次循環(huán)后仍保持在0.9 V以?xún)?nèi),而1-WO3/CC和2-WO3/CC的極化電壓僅循環(huán)30次和56次就超過(guò)0.9 V。

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圖5. WO3光電極結(jié)構(gòu)-性能關(guān)系。(a-c) 放電后WO3電極SEM圖;(d) 10 mV s-1掃速和1600 rpm轉(zhuǎn)速下的RRDE圖;(e) 莫特-肖特基圖;(f) 開(kāi)路電壓曲線(xiàn);(g)能級(jí)結(jié)構(gòu)圖;(h) 穩(wěn)態(tài)PL光譜;(i) 時(shí)間分辨PL光譜。儲(chǔ)能機(jī)理分析。作者通過(guò)SEM圖分析了不同WO3/CC光電極放電過(guò)程中Li2O2生長(zhǎng)路徑。圖5a-c顯示,以(020)晶面為主的1-WO3的催化放電產(chǎn)物表現(xiàn)出典型溶液生長(zhǎng)模式,生成球形Li2O2,直徑約為400-1200 nm。相比之下,隨(002)晶面增加,2-WO3和3-WO3的催化放電產(chǎn)物沿表面生長(zhǎng)模式進(jìn)行,生成薄膜狀Li2O2。旋轉(zhuǎn)圓盤(pán)電極(RRDE)測(cè)試(圖5d)的響應(yīng)電流與電極表面對(duì)O2吸附容量成反比,WO3的響應(yīng)電流隨(002)晶面增加而逐漸減小,證明(002)晶面對(duì)O2具有強(qiáng)吸附能力。 此外,通過(guò)莫特肖特基圖和開(kāi)路電壓曲線(xiàn)以確定光激發(fā)空穴和電子表面帶能,繪制出能級(jí)結(jié)構(gòu)圖(圖5e-g),隨(002)晶面比增加,WO3的空穴準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)逐漸下降,OER活性增加。同時(shí),PL光譜結(jié)果顯示,(002)晶面占優(yōu)勢(shì)的3-WO3中光生載流子復(fù)合率最低。綜上所述,(002)晶面占優(yōu)的3-WO3電極由于活性面積增大、對(duì)O2吸附能力增強(qiáng)以及光生載流子增多等原因,其光輔助LOB性能顯著增強(qiáng)。

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圖6. 3-WO3電極薄膜狀Li2O2放電機(jī)理。(a-c) 初始及光照/暗態(tài)條件下全放電后3-WO3電極SEM圖;(d) 10 mV s-1掃速和1600 rpm轉(zhuǎn)速下,3-WO3電極RRDE圖;(e) 間歇輻照恒電位沉積Li2O2后電極I-t曲線(xiàn);(f) 紫外-可見(jiàn)吸收光譜;(g) 商用Li2O2的莫特肖特基圖;(h) WO3/Li2O2能帶圖;(i) WO3/CC電極在光照下充放電過(guò)程示意圖。對(duì)于傳統(tǒng)表面生長(zhǎng)模式為主的Li-O2電池,形成Li2O2的理論最大電荷隧道厚度為10 nm,易導(dǎo)致容量限制和電池過(guò)早失效。而本文構(gòu)筑的以(002)晶面為主的3-WO3光電極中由表面生長(zhǎng)主導(dǎo)形成的Li2O2膜高達(dá)130nm厚(圖6a-c),遠(yuǎn)超傳統(tǒng)電荷隧穿厚度極限,表明該電池可以克服光照對(duì)電極表面鈍化,有效維持放電過(guò)程(圖6d)。 沉積Li2O2后,Li2O2/WO3電極在每個(gè)循環(huán)光照下顯示出明顯光響應(yīng)電流(圖6e),表明Li2O2/WO3電極可以保持良好光催化活性。有趣得是,單純Li2O2也可以對(duì)O2還原具有明顯光響應(yīng),所以理解光激發(fā)Li2O2的作用及其與光激發(fā)WO3的協(xié)同效應(yīng),對(duì)于揭示光輔助LOB的放電機(jī)制具有重要意義。Li2O2屬于p型半導(dǎo)體,帶隙為3.3 eV(圖f, g),與3-WO3易形成直接Z型異質(zhì)結(jié),Li2O2中局域激子可以解離成自由光電子參與進(jìn)一步放電過(guò)程,同時(shí)剩余光生空穴會(huì)被集流體收集參與電極反應(yīng)(圖6h),使最終Li2O2產(chǎn)率遠(yuǎn)超傳統(tǒng)LOB,突破光照表面鈍化限制,從而大幅增加電池容量。上述分析表明,控制放電路徑和優(yōu)化晶面的協(xié)同作用可以增強(qiáng)光輔助LOB電池性能。

總結(jié)

本文以WO3為研究對(duì)象,深入研究了暴露不同晶面對(duì)其光輔助Li-O2電池性能的影響。結(jié)合理論計(jì)算和實(shí)驗(yàn)證明,發(fā)現(xiàn)WO3隨(002)晶面增加,優(yōu)選表面生長(zhǎng)途徑,以生成Li2O2薄膜,可以有效加速OER過(guò)程。此外,作者首次揭示了在光照下形成的Li2O2與WO3形成Z型異質(zhì)結(jié),Li2O2也可以參與電極反應(yīng),從而突破了由表面生長(zhǎng)引起的電池失效限制,大幅提高電池容量。電化學(xué)測(cè)試結(jié)果表明,(002)晶面占比最高的3-WO3納米片光電極具有0.07 V超低過(guò)電位和高達(dá)10500 mA h g-1放電容量,并展現(xiàn)出超過(guò)200 h高循環(huán)穩(wěn)定性。本工作揭示了晶面工程在改善光電極性能方面的關(guān)鍵作用,為光輔助Li-O2電極材料設(shè)計(jì)提供了新思路。

審核編輯 :李倩

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原文標(biāo)題:新加坡國(guó)立&天大EES:WO3晶面設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)高性能光輔助Li-O2電池!

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    北美運(yùn)營(yíng)商AT&amp;amp;amp;T認(rèn)證的費(fèi)用受哪些因素影響

    申請(qǐng)北美運(yùn)營(yíng)商AT&amp;T認(rèn)證的價(jià)格因多種因素而異,包括產(chǎn)品類(lèi)型、認(rèn)證范圍、測(cè)試難度等。一般來(lái)說(shuō),申請(qǐng)AT&amp;T認(rèn)證的費(fèi)用可能相對(duì)較高,因?yàn)锳T&amp;T作為北美地區(qū)的主要電信運(yùn)營(yíng)商,其
    的頭像 發(fā)表于 10-16 17:10 ?640次閱讀
    北美運(yùn)營(yíng)商AT&<b class='flag-5'>amp</b>;<b class='flag-5'>amp</b>;<b class='flag-5'>amp</b>;T認(rèn)證的費(fèi)用受哪些因素影響

    onsemi LV/MV MOSFET 產(chǎn)品介紹 &amp;amp;amp; 行業(yè)應(yīng)用

    01直播介紹直播時(shí)間2024/10/281430直播內(nèi)容1.onsemiLV/MVMOSFET產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)&amp;市場(chǎng)地位。2.onsemiLV/MVMOSFETRoadmap。3
    的頭像 發(fā)表于 10-13 08:06 ?907次閱讀
    onsemi LV/MV MOSFET 產(chǎn)品介紹 &<b class='flag-5'>amp</b>;<b class='flag-5'>amp</b>;<b class='flag-5'>amp</b>; 行業(yè)應(yīng)用

    思瑞浦車(chē)規(guī)級(jí)產(chǎn)品矩陣,全面覆蓋汽車(chē)級(jí)CAN&amp;amp;amp;LIN、LDO需求

    聚焦高性能模擬芯片和嵌入式處理器近期,思瑞浦為廣大工程師帶來(lái)了《思瑞浦車(chē)規(guī)級(jí)產(chǎn)品矩陣,全面覆蓋汽車(chē)級(jí)CAN&amp;LIN、LDO需求》的在線(xiàn)研討會(huì)直播,重點(diǎn)介紹了思瑞浦汽車(chē)產(chǎn)品布局與技術(shù)優(yōu)勢(shì),同時(shí)
    的頭像 發(fā)表于 09-21 08:10 ?1124次閱讀
    思瑞浦車(chē)規(guī)級(jí)產(chǎn)品矩陣,全面覆蓋汽車(chē)級(jí)CAN&<b class='flag-5'>amp</b>;<b class='flag-5'>amp</b>;<b class='flag-5'>amp</b>;LIN、LDO需求

    FS201資料(pcb &amp;amp; DEMO &amp;amp; 原理圖)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《FS201資料(pcb &amp; DEMO &amp; 原理圖).zip》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 07-16 11:24 ?2次下載