氮化鎵是目前全球最快功率開關器件之一，氮化鎵本身是第三代的半導體材料，許多特性都比傳統(tǒng)硅基半導體更強。

氮化鎵相比傳統(tǒng)硅基半導體，有著更加出色的擊穿能力，更高的電子密度和電子遷移率，還有更高的工作溫度。能夠帶來低損耗和高開關頻率：低損耗可降低導阻帶來的發(fā)熱，高開關頻率可減小變壓器和電容的體積，有助于減小充電器的體積和重量。同時GaN具有更小的Qg，可以很容易的提升頻率，降低驅動損耗。

氮化鎵（GaN）為便攜式產品提供更小、更輕、更高效的臺式AC-DC電源。氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶半導體材料。當在電源中使用時，GaN比傳統(tǒng)的硅具有更高的效率、更小的尺寸和更輕的重量。傳統(tǒng)硅晶體管的損耗有兩類，傳導損耗和開關損耗。功率晶體管是開關電源功率損耗的主要原因。為了阻止這些損耗，GaN晶體管（取代舊的硅技術）的發(fā)展一直受到電力電子行業(yè)的關注。

氮化鎵芯片未來會取代硅芯片嗎

和硅芯片相比：

1、氮化鎵芯片的功率損耗是硅基芯片的四分之一

2、大小是硅基芯片的四分之一

3、重量是硅基芯片的四分之一

4、并且比基于硅的解決方案便宜

然而，雖然GaN似乎是一個優(yōu)越的選擇，但在一段時間以內它不會在所有應用中取代硅片。原因如下：

1、需要克服的第一個障礙是GaN晶體管的耗盡性質。有效功率和邏輯電路需要常開和常關兩種類型的晶體管。雖然可以生產常關型GaN晶體管，但它們要么依賴于典型的硅MOSFET，要么需要特殊的附加層，這使得它們難以收縮。不能以與當前硅晶體管相同的規(guī)模生產GaN晶體管也意味著它們在CPU和其他微控制器中使用是不實際的。

2、GaN晶體管的第二個問題是，用于制造增強型GaN晶體管的唯一已知方法（在寫入時）是使用獲得專利的松下方法來使用額外的AlGaN層。這意味著涉及這種晶體管類型的任何創(chuàng)新將依賴于Panasonic，直到可以研究其他方法。

自21世紀初以來，GaN器件的工作已經出現(xiàn)，但GaN晶體管仍處于起步階段。毫無疑問，他們將在未來十年內取代電力應用中的硅晶體管，但它們仍遠未用于數據處理應用。

氮化鎵有哪些好處

氮化鎵的出現(xiàn)，降低了產品成本。擁有元件數量少，易于調試、可以高頻工作實現(xiàn)高轉換效率等的優(yōu)勢，搭載氮化鎵的充電器可以簡化設計，降低氮化鎵快充的開發(fā)難度，助力實現(xiàn)小體積高效率的氮化鎵快充設計。氮化鎵內置多種功能，可以大幅度減少產品的設計復雜程度和減少多余器件的使用，在提高空間利用率的同時降低了生產難度，也有助于降低成本，加快出貨。

氮化鎵龍國內三大企業(yè)

近年來第三代半導體的性價比優(yōu)勢逐漸顯現(xiàn)，正在打開應用市場：SiC元件已用作汽車逆變器，GaN快速充電器也大量上市

1、聞泰科技：龍頭

聞泰科技是全球領先的集研發(fā)設計和生產制造于一體的基礎半導體、光學/顯示模組、產品集成企業(yè)，主要為全球客戶提供半導體功率器件、模擬芯片的研發(fā)設計、晶圓制造和封裝測試；光學模組和顯示模組的研發(fā)制造；手機、平板、筆電、服務器、IoT、汽車電子等終端產品研發(fā)制造服務。

聞泰科技發(fā)布2022年第三季度財報，實現(xiàn)營業(yè)收入135.89億元，同比增長-2.07%，歸母凈利潤7.62億，同比-5.83%；每股收益為0.62元。

2、士蘭微：龍頭

杭州士蘭微電子股份有限公司（600460），是專業(yè)從事集成電路芯片設計以及半導體微電子相關產品生產的高新技術企業(yè)。是第一家在中國境內上市的集成電路芯片設計企業(yè)。得益于中國電子信息產業(yè)的飛速發(fā)展，士蘭微電子已成為國內規(guī)模最大的集成電路芯片設計與制造一體（IDM）的企業(yè)之一。3、捷捷微電：龍頭

公司主要是從事功率半導體分立器件的研發(fā)、設計、生產和銷售。

公司目前的股價是23.2元，總市值為170個億，市盈率為42倍。

公司的產品，橫跨功率半導體器件、芯片和封測三大領域，

來源：知乎（Datasheet）、iWALK愛沃可、賢集網