EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)難點(diǎn)，為此氮化鎵電源芯片U8726AHE通過(guò)DEM管腳集成了驅(qū)動(dòng)電流分檔配置功能。通過(guò)配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅(qū)動(dòng)電流，進(jìn)而調(diào)節(jié)GaN FET的開(kāi)通速度，系統(tǒng)設(shè)計(jì)者可以獲得最優(yōu)的EMI性能和系統(tǒng)效率的平衡。

氮化鎵電源芯片U8726AHE引腳：

1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳

2 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳

3 DEM I/O 消磁檢測(cè)、輸出 OVP 檢測(cè)、驅(qū)動(dòng)能力分檔判定管腳

4 VDD P 芯片供電管腳

5 SW P Boost 電路內(nèi)置 MOS 的漏極管腳

6 GND P 芯片參考地

7 DRAIN P 內(nèi)置高壓 GaN FET 漏極、高壓?jiǎn)?dòng)供電管腳

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氮化鎵電源芯片U8726AHE特點(diǎn)：

1. 集成 高壓 E-GaN

2. 集成高壓?jiǎn)?dòng)功能

3. 超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗 <30mW

4. 谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(diào)(220kHz，130kHz)

5. 集成 EMI 優(yōu)化技術(shù)

6. 驅(qū)動(dòng)電流分檔配置

7. 集成 Boost 供電電路

8. 集成完備的保護(hù)功能：

VDD 過(guò)壓/欠壓保護(hù) (VDD OVP/UVLO)

輸出過(guò)壓/欠壓保護(hù) (DEM OVP/UVP)

輸入過(guò)壓/欠壓保護(hù) (LOVP /BOP)

片內(nèi)過(guò)熱保護(hù) (OTP)

逐周期電流限制 (OCP)

異常過(guò)流保護(hù) (AOCP)

短路保護(hù) (SCP)

過(guò)載保護(hù) (OLP)

前沿消隱 (LEB)

CS 管腳開(kāi)路保護(hù)

9. 封裝類(lèi)型 ESOP-7

氮化鎵電源芯片U8726AHE集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)電壓為VDRV (典型值 6.4V)。U8726AHE還集成輕載SR應(yīng)力優(yōu)化功能，在驅(qū)動(dòng)電流配置為第一、第二、第三檔位時(shí)，當(dāng)芯片工作于輕載模式時(shí)，將原邊開(kāi)通速度減半，減小空載時(shí)SR的Vds應(yīng)力過(guò)沖。