SRAM的MBIST測(cè)試結(jié)構(gòu)如下：

SRAM的MBIST測(cè)試波形：

SRAM BIST電路完成插入后，需要做一個(gè)formal check，保證Mbist插入后，logic function不發(fā)生錯(cuò)誤改變。Formal check需要注意常量設(shè)置，具體參見(jiàn)知識(shí)星球的詳細(xì)解釋。

此處分享2個(gè)經(jīng)典問(wèn)題：

定位1：

通過(guò)trace TDO信號(hào)，一直追蹤到SRAM的Q端，發(fā)現(xiàn)Q端數(shù)據(jù)輸出是X態(tài)，通過(guò)分析發(fā)現(xiàn)本質(zhì)上還是時(shí)鐘問(wèn)題，什么問(wèn)題呢？

就是SRAM MBIST_CLK延時(shí)下來(lái)剛好和SRAM測(cè)試地址TADDR的跳變完全對(duì)齊了，造成了SRAM的memory model的建立/保持時(shí)間違例，SRAM model在timing違例情況下Q端輸出為X態(tài)。下文具體內(nèi)容請(qǐng)移步知識(shí)星球查看。

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審核編輯 ：李倩