chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

氮化硅提供從研發(fā)進展到量產(chǎn)的靈活性

半導體芯科技SiSC ? 來源:半導體芯科技SiSC ? 作者:半導體芯科技SiS ? 2023-02-10 17:10 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

來源:《半導體芯科技》雜志 12/1月刊

現(xiàn)今,氮化硅(SiN)為光子集成提供了更多的途徑,包括新的200mm、高產(chǎn)量、汽車級CMOS生產(chǎn)線。在過去的幾年里,SiN緊隨確立已久的硅光子學之后,該材料平臺已經(jīng)成熟,并在光子集成電路PIC)市場上,為那些需要非常低傳播損耗、可見波長或高激光功率的應用提供了新的機會。

光子集成電路(PIC)即將重演電子集成電路(IC)的成功故事。PIC的運行使用的是光,而不是電子。在未來的通信、傳感和交通運輸領(lǐng)域的基礎(chǔ)設(shè)施中,PIC將發(fā)揮重要作用。雖然硅光子學已經(jīng)存在了20多年,但是在過去的10年里引入了新的材料平臺,這些材料平臺可以提供額外的好處。

使用氮化硅(SiN)波導的動機是多方面的。首先,氮化硅是一種眾所周知的可以兼容CMOS的材料,而且已經(jīng)在半導體行業(yè)廣泛使用。這使得能夠利用標準的CMOS工藝來開發(fā)制備方法和工藝設(shè)計套件(PDK)。當后來根據(jù)批量生產(chǎn)要求對工藝流程進行調(diào)整時,或者更重要的是,當使用已有的基礎(chǔ)設(shè)施來運行工藝流程時,這是主要的要求之一。其次,作為一種材料,氮化硅為PIC市場提供了新的可能性。例如,如果我們將應用波長視作一個主要參數(shù),可以看到,在經(jīng)典的硅光子學中(光波在硅材料中被引導),透明度開始于一微米以上。這一點非常適合許多光纖應用,特別是通信。

然而,還有更多需要在較低波長下進行光傳播的應用,這是硅光子學不能滿足的。氮化硅具有從可見光到中紅外的透明度窗口(transparency window),這為實現(xiàn)新的應用開辟了道路。除此之外,與硅或磷化銦相比,氮化硅的傳播損耗極低。最后(但并非最不重要的)一點是,由于氮化硅具有大帶隙,因此幾瓦特CW激光功率的高功率傳播是可能的。這就是氮化硅能夠提供出色性能以控制芯片電路中的光,同時具備前所未有的低傳播損耗和高功率處理能力的原因所在。

現(xiàn)有的應用

電信和數(shù)據(jù)通信行業(yè)是目前最大的PIC消費用戶群之一。降低光學損耗在這些領(lǐng)域變得越來越重要,因為光學損耗不僅影響能耗,還會影響器件的性能。用于波分(比如MUX和DEMUX)的陣列波導光柵(AWG)的串擾性能與光傳播損耗成正比。具有高傳播損耗的AWG在其臂中逐步累積相位誤差,因而導致通道之間的串擾增加。另一個關(guān)鍵參數(shù)是使AWG具有低溫度依賴性,以盡量減少力的原因所在。熱效應對器件性能的影響。

氮化硅的溫度依賴性比硅低10倍。此外,還需要一種優(yōu)良的過程控制,以確保正確的波段選擇。統(tǒng)計過程控制利用LIGENTEC公司的制備平臺保證了這一點。特別是對于AWG,LIGENTEC的專有技術(shù)提供了競爭優(yōu)勢,因為不僅波導的損耗非常低,而且由于該平臺常見的小彎曲半徑,所以陣列波導光柵的面積尺寸很小。波導中的光學模式的高約束使之成為可能。LIGENTEC平臺提供了非常低的相位誤差以及小的占位面積。

2f7c0eade6ff4be19856d2b2951a38bc~noop.image?_iz=58558&from=article.pc_detail&x-expires=1676624739&x-signature=yG6shMhEZu8nooepG5q%2Bk2AZV6Y%3D

新的應用

上述優(yōu)點對于其他新的應用也是具有極為重要意義的。例如,為了實現(xiàn)全自動駕駛,預計用于長距離傳感的下一代LiDAR傳感器將基于相干檢測。這里,反射的光束與一個局部振蕩器混合,濾除所有并非從物體反射回來的光。這些相干檢測方案相當復雜,并且顯著得益于光子集成。

fdcd64e3829541e6b1560e11705d897d~noop.image?_iz=58558&from=article.pc_detail&x-expires=1676624739&x-signature=pCg%2BAwNmQ53lHeUeAqaQNcmZIu4%3D

此類調(diào)頻連續(xù)波激光雷達(FMCW LiDAR)的關(guān)鍵要求是:能夠傳輸高的光學功率;具有低傳播損耗和低相位誤差;最后(但同樣重要的)一點是發(fā)送和接收通道之間的串擾應很低。這里的一個關(guān)鍵構(gòu)建塊是用于控制激光信號調(diào)制的延遲線干涉儀。延遲線的長度是一個至關(guān)重要的性能參數(shù),因為它直接關(guān)系到距離測量的精度。由于傳播損耗低,彎曲半徑短,因此芯片上的延遲線長度可以達到1m。這與低相位噪聲相結(jié)合,實現(xiàn)了高分辨率的FMCW LiDAR解決方案。

要使量子計算機成為現(xiàn)實,最有希望的途徑之一是運用光子。實現(xiàn)可擴展光子量子計算機的唯一方法是借助光子集成,這里,量子態(tài)是以光學方式生成和處理的。各個組件之間的高相位穩(wěn)定性是保持量子態(tài)的一項絕對要求。芯片技術(shù)提供的相位穩(wěn)定性是分立光學組件無法實現(xiàn)的。此外,量子計算機需要數(shù)百個節(jié)點才能與經(jīng)典計算機競爭,同時,用于每個節(jié)點的組件必需很小,并有可擴展性?;谏鲜鏊性颍庾蛹墒菍崿F(xiàn)光子量子計算機的唯一途徑。在量子光子學中,每個光子都很重要,面臨的最大挑戰(zhàn)是需將光子損失保持在最低限度。因此,低損耗的PIC平臺是實現(xiàn)成功光子集成的一個關(guān)鍵要求。

最近,領(lǐng)先的量子計算公司Xanadu首次演示了在室溫下使用LIGENTEC氮化硅芯片技術(shù)的云量子計算。

為了應對現(xiàn)有應用和新的應用,LIGENTEC開發(fā)了一款可以與廣泛的工藝設(shè)計套件(PDK)配合使用的工藝制備產(chǎn)品。波導寬度是一個設(shè)計參數(shù),有10多個工藝模塊可用于創(chuàng)建多種有用的功能,例如:脊型波導、雙層波導、熱調(diào)諧元件以及用于傳感應用或與其他材料的異質(zhì)集成的局部包層開口。

另外,PDK庫還包括一大批具有已知性能和統(tǒng)計數(shù)據(jù)的組件和構(gòu)建塊,供設(shè)計人員作為構(gòu)件用于構(gòu)建電路。這些構(gòu)建塊從各種波導到分路器、交叉點、延遲線到濾波器、偏振旋轉(zhuǎn)器和偏振濾光器等均在其列。其他構(gòu)建塊包括反射鏡,以及用于光纖輸入和輸出耦合的組件等等。這得到了具有商用軟件的設(shè)計流程和擁有平臺專業(yè)知識的設(shè)計公司的支持。

由于氮化硅是一種固有的無源材料,因此LIGENTEC開發(fā)了特殊的制備模塊以集成活性材料。通過異質(zhì)集成,可以將選擇的材料置于SiN波導的頂部。例如,考慮一個基于Mach-Zehnder干涉儀的調(diào)制器,其中光相位在一個臂上改變,組合產(chǎn)生的輸出被調(diào)制,以實現(xiàn)調(diào)制速度達到幾十GHz的快速開關(guān)或調(diào)制器。通過將一塊鈮酸鋰直接放在SiN波導的頂部,部分光線將在上部材料中傳播,這樣就可以對其進行操縱了。

相同的原理可以應用于黏合III-V族化合物半導體材料組件,如激光器或檢測器。

2021年9月,LIGENTEC宣布在X-FAB代工廠生態(tài)系統(tǒng)內(nèi)實施其專有的低損耗氮化硅工藝技術(shù)。憑借這一合作關(guān)系,PIC生態(tài)系統(tǒng)所有的基本元件現(xiàn)在都可以在歐洲達到批量上市的水平,對于實現(xiàn)自動駕駛汽車、量子計算機、生物傳感器和其他應用所需的大量傳感器的安全、獨立供應來說,這是一個關(guān)鍵的條件。由于和X-FAB的這種戰(zhàn)略合作關(guān)系,LIGENTEC現(xiàn)在可以接受基于200mm晶圓的低損耗SiN PIC的批量生產(chǎn)要求。通過這種方式,LIGENTEC期待著為其現(xiàn)有的客戶群和新客戶擴大其快速周轉(zhuǎn)、高質(zhì)量、低損耗PIC產(chǎn)品供應。

審核編輯黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 激光
    +關(guān)注

    關(guān)注

    20

    文章

    3537

    瀏覽量

    68649
  • PIC
    PIC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    8

    文章

    510

    瀏覽量

    90135
  • Sin
    Sin
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    4

    瀏覽量

    7063
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    氮化硅陶瓷封裝基片

    問題,為現(xiàn)代高性能電子設(shè)備的穩(wěn)定運行提供了堅實的材料基礎(chǔ)。 ? 氮化硅陶瓷封裝基片 一、 氮化硅陶瓷基片的物理化學性能核心分析 氮化硅陶瓷基片的優(yōu)異電學性能源于其固有的材料結(jié)構(gòu)和成分控
    的頭像 發(fā)表于 08-05 07:24 ?390次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化硅</b>陶瓷封裝基片

    熱壓燒結(jié)氮化硅陶瓷逆變器散熱基板

    氮化硅陶瓷逆變器散熱基板在還原性氣體環(huán)境(H2, CO)中的應用分析 在新能源汽車、光伏發(fā)電等領(lǐng)域的功率模塊應用中,逆變器散熱基板不僅面臨高熱流密度的挑戰(zhàn),有時還需耐受如氫氣(H2)、一氧化碳(CO
    的頭像 發(fā)表于 08-03 11:37 ?1069次閱讀
    熱壓燒結(jié)<b class='flag-5'>氮化硅</b>陶瓷逆變器散熱基板

    氮化硅陶瓷基板:新能源汽車電力電子的散熱革新

    組合,正在成為新一代電力電子封裝的首選材料,下面由深圳金瑞欣小編來為大家講解一下: ? 一、“配角”“C位”:氮化硅的逆襲 傳統(tǒng)氧化鋁(Al?O?)基板,工藝成熟、價格低廉,卻在高熱流面前“力不從心”;
    的頭像 發(fā)表于 08-02 18:31 ?4052次閱讀

    氮化硅陶瓷逆變器散熱基板:性能、對比與制造

    氮化硅(Si?N?)陶瓷以其卓越的綜合性能,成為現(xiàn)代大功率電子器件(如IGBT/SiC模塊)散熱基板的理想候選材料。
    的頭像 發(fā)表于 07-25 17:59 ?971次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化硅</b>陶瓷逆變器散熱基板:性能、對比與制造

    氮化硅大功率電子器件封裝陶瓷基板

    氮化硅陶瓷導熱基片憑借其優(yōu)異的綜合性能,在電子行業(yè),尤其是在高功率密度、高可靠性要求領(lǐng)域,正扮演著越來越重要的角色。
    的頭像 發(fā)表于 07-25 17:58 ?436次閱讀

    氮化硅陶瓷射頻功率器件載體:性能、對比與制造

    氮化硅陶瓷憑借其獨特的物理化學性能組合,已成為現(xiàn)代射頻功率器件載體的關(guān)鍵材料。其優(yōu)異的導熱性、絕緣性、機械強度及熱穩(wěn)定性,為高功率、高頻率電子設(shè)備提供了可靠的解決方案。 氮化硅陶瓷載體 一、
    的頭像 發(fā)表于 07-12 10:17 ?1.2w次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化硅</b>陶瓷射頻功率器件載體:性能、對比與制造

    化硅薄膜和氮化硅薄膜工藝詳解

    化硅薄膜和氮化硅薄膜是兩種在CMOS工藝中廣泛使用的介電層薄膜。
    的頭像 發(fā)表于 06-24 09:15 ?1047次閱讀
    氧<b class='flag-5'>化硅</b>薄膜和<b class='flag-5'>氮化硅</b>薄膜工藝詳解

    通過LPCVD制備氮化硅低應力膜

    本文介紹了通過LPCVD制備氮化硅低應力膜 氮化硅膜在MEMS中應用十分廣泛,可作為支撐層、絕緣層、鈍化層和硬掩膜使用。SiN極耐化學腐蝕,疏水性使它可以作為MEMS壓力傳感器、MEMS流量
    的頭像 發(fā)表于 05-09 10:07 ?707次閱讀
    通過LPCVD制備<b class='flag-5'>氮化硅</b>低應力膜

    spm清洗會把氮化硅去除嗎

    很多行業(yè)的人都在好奇一個問題,就是spm清洗會把氮化硅去除嗎?為此,我們根據(jù)實踐與理論,給大家找到一個結(jié)果,感興趣的話可以來看看吧。 SPM清洗通常不會去除氮化硅(Si?N?),但需注意特定條件
    的頭像 發(fā)表于 04-27 11:31 ?598次閱讀

    氮化硅在芯片制造中的核心作用

    在芯片制造這一復雜且精妙的領(lǐng)域中,氮化硅(SiNx)占據(jù)著極為重要的地位,絕大多數(shù)芯片的生產(chǎn)都離不開它的參與。其構(gòu)成來看,氮化硅屬于無機化合物,由硅元素與氮元素共同組成。這種看似普通的元素組合,卻蘊含著諸多獨特的性質(zhì),在芯片制
    的頭像 發(fā)表于 04-22 15:23 ?1689次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化硅</b>在芯片制造中的核心作用

    單晶圓系統(tǒng):多晶硅與氮化硅的沉積

    本文介紹了單晶圓系統(tǒng):多晶硅與氮化硅的沉積。 在半導體制造領(lǐng)域,單晶圓系統(tǒng)展現(xiàn)出獨特的工藝優(yōu)勢,它具備進行多晶硅沉積的能力。這種沉積方式所帶來的顯著益處之一,便是能夠?qū)崿F(xiàn)臨場的多晶硅和鎢硅化物沉積
    的頭像 發(fā)表于 02-11 09:19 ?802次閱讀
    單晶圓系統(tǒng):多晶硅與<b class='flag-5'>氮化硅</b>的沉積

    LPCVD氮化硅薄膜生長的機理

    可以看出, SiH4提供的是Si源,N2或NH3提供的是N源。但是由于LPCVD反應溫度較高,氫原子往往氮化硅薄膜中去除,因此反應物中氫的含量較低。
    的頭像 發(fā)表于 02-07 09:44 ?900次閱讀
    LPCVD<b class='flag-5'>氮化硅</b>薄膜生長的機理

    景嘉微新款圖形處理芯片JM11系列研發(fā)進展公告

    初步的測試中未發(fā)現(xiàn)任何異常情況。這一進展標志著景嘉微在圖形處理芯片的研發(fā)領(lǐng)域取得了重要的階段性成果。 然而,景嘉微也明確表示,JM11系列芯片目前尚未完成全部的測試工作,也尚未形成量產(chǎn)和對外銷售的局面。因此,該產(chǎn)品的
    的頭像 發(fā)表于 12-13 14:52 ?2728次閱讀

    氮化硅薄膜的特性及制備方法

    氮化硅(Si?N?)薄膜是一種高性能介質(zhì)材料,在集成電路制造領(lǐng)域具有廣泛的應用前景。作為非晶態(tài)絕緣體,氮化硅薄膜不僅介電特性優(yōu)于傳統(tǒng)的二氧化硅,還具備對可移動離子的強阻擋能力、結(jié)構(gòu)致密、針孔密度
    的頭像 發(fā)表于 11-29 10:44 ?2816次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化硅</b>薄膜的特性及制備方法

    氮化硅薄膜制備方法及用途

    一、氮化硅薄膜制備方法及用途 氮化硅(Si3N4)薄膜是一種應用廣泛的介質(zhì)材料。作為非晶態(tài)絕緣體,氮化硅薄膜的介電特性優(yōu)于二氧化硅,具有對可移動離子較強的阻擋能力、結(jié)構(gòu)致密、針孔密度小
    的頭像 發(fā)表于 11-24 09:33 ?2266次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化硅</b>薄膜制備方法及用途