碳化硅二極管 碳化硅肖特基二極管 碳化硅肖特基勢壘二極管 SiC SBD 碳化硅功率器件 碳化硅半導(dǎo)體

碳化硅二極管 碳化硅肖特基二極管 SiC SBD和碳化硅MOSFET 碳化硅MOS SiC MOSFET有幾種電壓介紹

碳化硅二極管和碳化硅MOSFET都屬于碳化硅功率器件，又稱為碳化硅電力電子器件，屬于主動元器件，也屬于半導(dǎo)體元器件。我們現(xiàn)在不得不重新認(rèn)識什么是碳化硅，首先碳化硅不是天然的元素和物質(zhì)，區(qū)別于自然礦物質(zhì)硅物質(zhì)，硅基功率器件屬于第二代半導(dǎo)體，現(xiàn)在我們說的碳化硅是碳和硅的化學(xué)化合物，屬于合成的物質(zhì)，他們經(jīng)過研磨、襯底、外延、晶圓制造、裸芯粒、封裝測試才能制造成碳化硅功率器件。

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碳化硅功率器件主要可以分為3類，第一個裸芯片，無封裝芯片，該類產(chǎn)品用于終端半導(dǎo)體廠商做模塊封裝或其他特定封裝。第二個碳化硅二極管和碳化硅MOSFET，他們的封裝有貼片型和插件型，主要封裝型號有：碳化硅二極管為貼片封裝：DFN5×6、DFN8×8、TO-252-2L、TO-263-2L插件封裝：TO-220-2、TO-247-2、TO-247-3；碳化硅MOSFET為貼片封裝： TO-263-7L 插件封裝：TO-247-3、TO-247-4；第三個碳化硅模塊，如肖特基二極管模塊，主要用于一些特大功率的工業(yè)儀器電源，或超級充電樁。

下面我們拿慧制敏造出品的KNSCHA品牌碳化硅功率器件說明。碳化硅 (SiC）二極管采用全新技術(shù)，提供比硅材質(zhì)更勝一籌的開關(guān)性能和可靠性。目前主流的能量產(chǎn)而且性能穩(wěn)定的碳化硅二極管電壓為650V、900V、1200V、1700V，當(dāng)然還有超高壓3300V，目前正在研發(fā)中，主要應(yīng)用于UPS、快充、微逆、電源、電動工具、消費類產(chǎn)品、工控，電源、工控、空調(diào)等、電動工具、儲能等。碳化硅 (SiC) MOSFET高速且堅固，并具備效率高、尺寸小、成本低的系統(tǒng)優(yōu)勢，目前主流的量產(chǎn)型號電壓為650V和1200V，主要應(yīng)用于新能源、汽車、逆變、光伏、工控、工業(yè)電源、充電樁、儲能。

審核編輯黃宇