近幾年，Micro LED顯示技術因其顯著的優(yōu)勢得到快速發(fā)展，但由于該技術不成熟、成本壁壘等因素，讓Micro LED顯示大規(guī)模商業(yè)化障礙重重。

兆馳半導體作為LED芯片領域的新銳企業(yè)，其科研團隊一直致力于攻克Mini/Micro LED技術難題，目前，公司已在Micro LED領域多項關鍵技術上取得突破，可有效解決Micro LED芯片良率低、光效低、巨量轉移難度高的技術痛點，進一步提高良率、降低成本，初步形成具備獨創(chuàng)性的關鍵工藝技術方案，并相應進行了大量的自主知識產(chǎn)權布局。

01 外延技術

對于Micro LED而言，一張4寸外延的片內(nèi)波長差小于2nm才勉強滿足使用要求，除此之外Micro LED對更高光效的外延也提出了要求；如何通過對外延結構以及生長方法和工藝進行一系列優(yōu)化從而降低外延缺陷密度，增加電子和空穴的傳輸?shù)鹊?；為此公司在外延技術方面進行知識產(chǎn)權布局。涉及多種不同外延結構，工藝制程等領域，如：CN114566575A中就是一項關于解決現(xiàn)有技術中外延層中雜質擴散至發(fā)光層中，導致發(fā)光效率低下的技術問題；CN114566575A是一種提高外延層生長平坦化的方法，提高了晶體質量等等。

02 芯片技術

隨著芯片尺寸進入Micro量級，一系列尺寸效應也接踵而至。常規(guī)LED制備時，刻蝕工藝對芯粒的側壁損傷將變的不可忽略。芯粒尺寸減小帶來的同輸入電流下電流密度激增從而導致的溫度效應對缺陷復合產(chǎn)生一系列影響以及帶來的潛在可靠性問題都變得至關重要。在此問題上公司技術人員積極創(chuàng)新，如：CN107658371B中提出來基于激光直寫的Micro-LED的制造方法，CN113206176B是一種選區(qū)刻蝕外延Micro-LED芯片技術的新方法等。

03 巨量轉移技術

另一個技術難題就是“巨量轉移”問題。巨量轉移簡而言之就是將千萬數(shù)量級的Micro尺寸級別的芯粒轉移到基板上。如：CN115692460A中提出來一種巨量轉移技術的對位方式及提高芯片轉移利用率的方法；CN110660717A提出來一種用于轉移Micro-LED的轉移裝置及轉移方法; CN109449266A中基于巨量轉移原理改進芯片結構提高巨量轉移效率的方法等等。

04 全彩化技術

Micro LED的終極目標是實現(xiàn)單像素的全彩化，而具體全彩化方式則多種多樣，如CN115411160B、CN115425127B等就是在垂直RGB像素的一種創(chuàng)新；CN115172403A、CN115662982A等等是一種扇出型封裝RGB領域的設計；CN114759061A、CN109768135B等則是在全彩化電子控制方向的設計。

當前，在國家政策的戰(zhàn)略性支持背景下，新一輪視覺革命蓄勢待發(fā)，以Mini/Micro LED等新型顯示技術為核心的戰(zhàn)略格局正加速形成。兆馳半導體此次新攻克的Micro LED難點，從技術領域和產(chǎn)品應用領域等層面豐富和完善了公司在Micro LED超高清顯示芯片產(chǎn)業(yè)的布局，進一步加強公司在前沿技術的領先優(yōu)勢，鞏固其核心競爭力。

審核編輯 ：李倩