本篇文章是我在學(xué)習(xí)STM32f103時(shí)整理出來的知識(shí)點(diǎn)，知識(shí)點(diǎn)之間沒有連貫性，各位看官可以選擇自己感興趣的知識(shí)點(diǎn)觀看。

01存儲(chǔ)器映射與寄存器映射的區(qū)別

存儲(chǔ)器映射：

存儲(chǔ)器本身不具有地址信息，它的地址是由芯片廠商或用戶分配，給存儲(chǔ)器分配地址的過程就被稱為存儲(chǔ)器映射。

寄存器映射：

有特定功能的內(nèi)存單元，通常我們會(huì)給這個(gè)特殊的內(nèi)存單元一個(gè)名字，這個(gè)給已經(jīng)分配好地址的有特定功能的內(nèi)存單元取別名的過程就叫做寄存器映射。

02何為推挽輸出

1：可以輸出高低電平，用與連接數(shù)字器件，高電平由VDD決定，低電平由VSS決定。

2：推挽結(jié)構(gòu)指兩個(gè)三極管受兩路互補(bǔ)的信號(hào)控制，總是在一個(gè)導(dǎo)通的時(shí)候另外一個(gè)截止，優(yōu)點(diǎn)開關(guān)效率高，電流大，驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)。

3：輸出高電平時(shí)，電流輸出到負(fù)載，叫灌電流，可以理解成推，輸出低電平時(shí)，負(fù)載電流流向芯片，叫拉電流，即挽。

03何為開漏輸出

1：只能輸出低電平，不能輸出高電平。

2：如果要輸出高電平，則需要外接上拉。

3：開漏輸出具有“線與”功能，一個(gè)為低，全部為低，多用于I2C和SMBUS總線。

04文件包含的含義及形式區(qū)別

實(shí)現(xiàn)文件的包含要使用文件包含命令，文件包含命令的特點(diǎn)是能夠在一個(gè)程序源文件中將另一個(gè)源文件的所有內(nèi)容包含進(jìn)來，其一般形式為：

#include<文件名>

#include"文件名"

文件包含可以嵌套使用，即文件B即可以包含文件A，又可以被文件C包含，它們之間的關(guān)系為A包含B包含C，這種嵌套可以達(dá)到10層以上。 但是要注意文件的互相包含，即文件A包含文件B，而文件B又包含文件A，這是不允許的。 通常給文件命名時(shí)可以用以下代碼來解決重復(fù)調(diào)用的問題：

#ifndef  __STM32F10X_H 
#define  __STM32F10X_H 
.
.
#endif

那么尖括號(hào)與雙括號(hào)所表示的文件查找方法又有什么不同：

1：尖括號(hào)表示預(yù)處理程序會(huì)在系統(tǒng)規(guī)定的目錄中查找文件，當(dāng)然也可以由用戶自行設(shè)置。

2：雙括號(hào)表示預(yù)處理程序首先會(huì)在當(dāng)前源文件所在目錄中查找文件，如果無法找到，則轉(zhuǎn)向操作系統(tǒng)的環(huán)境變量所指的目錄中查找，若仍無法找到，最后轉(zhuǎn)向系統(tǒng)規(guī)定的目錄中查找文件。

05模擬示波器與數(shù)字示波器的區(qū)別

模擬示波器:

模擬示波器采用的是模擬電路（示波管，其基礎(chǔ)是電子槍）電子槍向屏幕發(fā)射電子,發(fā)射的電子經(jīng)聚焦形成電子束,并打到屏幕上。 屏幕的內(nèi)表面涂有熒光物質(zhì),這樣電子束打中的點(diǎn)就會(huì)發(fā)出光來。

數(shù)字示波器:

數(shù)字示波器是數(shù)據(jù)采集，A/D轉(zhuǎn)換，軟件編程等一系列的技術(shù)制造出來的高性能示波器。 數(shù)字示波器一般支持多級(jí)菜單，能提供給用戶多種選擇，多種分析功能。 還有一些示波器可以提供存儲(chǔ)，實(shí)現(xiàn)對(duì)波形的保存和處理，現(xiàn)在普遍是使用數(shù)字濾波器。

06keil5魔術(shù)棒配置

keil5如何設(shè)置程序燒寫進(jìn)開發(fā)板直接可以運(yùn)行：打開魔術(shù)棒-Debug-Use旁邊的Settings-Flash Download-將里面的Reset and Run打開就可以了。

既然說魔術(shù)棒的配置，我們就來說一下魔術(shù)棒里面比較重要的一處配置，如下圖所示：

第一個(gè)紅框的意思:

相當(dāng)于我們?cè)谖募惺褂谩癲efine”語(yǔ)句定義宏一樣，在編譯器中添加宏的好處就是，只要用了這個(gè)模板，就不用源文件中修改代碼了。

STM32F101X_HD宏：

為了告訴STM32標(biāo)準(zhǔn)庫(kù)，我們使用的芯片類型是STM32型號(hào)是大容量的，使STM32標(biāo)準(zhǔn)庫(kù)根據(jù)我們選定的芯片型號(hào)來配置。

USE_STDPERIPH_DRIVER宏：

為了讓stm32f10x.h包含stm32f10x_conf.h這個(gè)頭文件。

第二個(gè)紅框“Include Paths”這里添加的是頭文件的路徑，如果編譯的時(shí)候提示說找不到頭文件，一般就是這里配置出了問題。 你把頭文件放到了哪個(gè)文件夾，就把該文件夾添加到這里即可。

07位帶操作公式詳解

位帶區(qū)里面的每一個(gè)位都可以通過位帶別名區(qū)的地址來訪問。 位帶區(qū)的一個(gè)位，對(duì)應(yīng)位帶別名區(qū)的四個(gè)字節(jié)。

STM32F103中外設(shè)位帶區(qū)與外設(shè)位帶別名區(qū)的地址轉(zhuǎn)換：

別名地址 = 0x42000000 + （A-0x40000000）84+n*4

STM32F103中SRAM位帶區(qū)與SRAM位帶別名區(qū)的地址轉(zhuǎn)換：

別名地址 = 0x22000000 + （A-0x20000000）84+n*4

A：表示我們要操作的那個(gè)位所在的寄存器的地址

n：位號(hào)

注意：位帶區(qū)的一個(gè)位在位帶別名區(qū)會(huì)被膨脹成四個(gè)字節(jié)

為了方便操作，我們可以把這兩個(gè)公式合并成一個(gè)，公式如下：

（（addr & 0xF0000000）+0x02000000+（（addr &0x000FFFFF）<<5）+（bitnum<<2））

addr:要操作的位所在寄存器的地址

bitnum:位號(hào)，即在寄存器的第幾位

配方合成原理：

addr & 0xF0000000 是為了區(qū)別 SRAM 還是外設(shè)，實(shí)際效果就是取出 4 或者 2，如果是外設(shè)，則取出的是 4，+0X02000000 之后就等于 0X42000000，0X42000000 是外設(shè)別名區(qū)的起始地址。 如果是 SRAM，則取出的是 2，+0X02000000 之后就等于 0X22000000，0X22000000 是 SRAM 別名區(qū)的起始地址。

addr & 0x00FFFFFF 屏蔽了高三位，相當(dāng)于減去 0X20000000 或者 0X40000000，但是為什么是屏蔽高三位？ 因?yàn)橥庠O(shè)的最高地址是：0X2010 0000，跟起始地址 0X20000000 相減的時(shí)候，總是低 5 位才有效，所以干脆就把高三位屏蔽掉來達(dá)到減去起始地址的效果，具體屏蔽掉多少位跟最高地址有關(guān)。 SRAM 同理分析即可。 <<5 相當(dāng)于2的5次方相當(dāng)于84，<<2 同理。

08啟動(dòng)文件作用及相關(guān)名詞解釋

啟動(dòng)文件的作用：

1-初始化堆棧指針SP

2-初始化PC指針，指向復(fù)位程序

3-初始化中斷向量表

4-配置系統(tǒng)時(shí)鐘

5-調(diào)用C庫(kù)函數(shù)main，最終進(jìn)入C的世界

啟動(dòng)文件中的量：

Stack-棧：

用于局部變量、函數(shù)調(diào)用、函數(shù)形參的開銷，棧是由高向低生長(zhǎng)的。

Heap-堆：

堆用于動(dòng)態(tài)內(nèi)存的分配，malloc函數(shù)

保存8：

指定當(dāng)前文件的堆棧按照 8 字節(jié)對(duì)齊。

拇指：

表示后面指令兼容 THUMB 指令。 （16bit）

拇指-2：

兼容16位和32位

出口：

聲明一個(gè)標(biāo)號(hào)可被外部的文件使用，使標(biāo)號(hào)具有全局屬性。

直流電：

分配一個(gè)或者多個(gè)以字為單位的內(nèi)存，以四字節(jié)對(duì)齊，并要求初始化這些內(nèi)存。 在向量表中，DCD 分配了一堆內(nèi)存，并且以 ESR 的入口地址初始化它們。

弱：

表示弱定義，如果外部文件優(yōu)先定義了該標(biāo)號(hào)則首先引用該標(biāo)號(hào)，如果外部文件沒有聲明也不會(huì)出錯(cuò)。

進(jìn)口：

表示該標(biāo)號(hào)來自外部文件，跟 C 語(yǔ)言中的 EXTERN 關(guān)鍵字類似。

LDR：

LDR是一個(gè)偽指令，可以作為加載一個(gè)立即數(shù)或者一個(gè)地址到一個(gè)寄存器

09何為CMSIS

ARM? Cortex? 微控制器軟件接口標(biāo)準(zhǔn) (CMSIS) 是 Cortex-M 處理器系列的與供應(yīng)商無關(guān)的硬件抽象層。 CMSIS 可實(shí)現(xiàn)與處理器和外設(shè)之間的一致且簡(jiǎn)單的軟件接口，從而簡(jiǎn)化軟件的重用，縮短微控制器開發(fā)人員新手的學(xué)習(xí)過程，并縮短新設(shè)備的上市時(shí)間。

10何為TLE-TDD

LTE是基于OFDMA技術(shù)、由3GPP組織制定的全球通用標(biāo)準(zhǔn)，包括FDD和TDD兩種模式用于成對(duì)頻譜和非成對(duì)頻譜。
LTE-TDD，國(guó)內(nèi)亦稱TD-LTE，即 Time Division Long Term Evolution(分時(shí)長(zhǎng)期演進(jìn))，由3GPP組織涵蓋的全球各大企業(yè)及運(yùn)營(yíng)商共同制定，LTE標(biāo)準(zhǔn)中的FDD和TDD兩個(gè)模式實(shí)質(zhì)上是相同的，兩個(gè)模式間只存在較小的差異，相似度達(dá)90%。 TDD即時(shí)分雙工(Time Division Duplexing)，是移動(dòng)通信技術(shù)使用的雙工技術(shù)之一，與FDD頻分雙工相對(duì)應(yīng)。 TD-LTE是TDD版本的LTE的技術(shù)，F(xiàn)DD-LTE的技術(shù)是FDD版本的LTE技術(shù)。 TD-SCDMA是CDMA(碼分多址)技術(shù)，TD-LTE是OFDM(正交頻分復(fù)用)技術(shù)。 兩者從編解碼、幀格式、空口、信令，到網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)，都不一樣。

11時(shí)鐘相關(guān)名詞及解釋

RCC:reset clock control復(fù)位和時(shí)鐘控制器

HSE:High Speed External Clock signal高速的外部時(shí)鐘

HSI：Low Speed Internal Clock signal高速的內(nèi)部時(shí)鐘

MCO:microcontroller clock output微控制器時(shí)鐘輸出引腳

AHB：advanced high-performance bus高性能總線

PLLCLK:鎖相環(huán)時(shí)鐘。

SYSCLK：系統(tǒng)時(shí)鐘

HCLK：AHB高速總線時(shí)鐘

PCLK1：APB1低速總線時(shí)鐘

PCLK2：APB2高速總線時(shí)鐘

RTC：為芯片內(nèi)部的RTC外設(shè)提供時(shí)鐘

IWDGCLK:獨(dú)立看門狗時(shí)鐘