在圖1電路中增加一個(gè)調(diào)整管，使線性穩(wěn)壓器（LDO）能夠向負(fù)載提供更多電流。該器件包含詳細(xì)的功耗分析，以幫助電路開發(fā)人員選擇每個(gè)組件的適當(dāng)額定功率。此外，實(shí)驗(yàn)室數(shù)據(jù)顯示，該器件在溫度、線路和負(fù)載范圍內(nèi)都很穩(wěn)定。

在負(fù)線性穩(wěn)壓器（圖1中的U1）上增加四個(gè)元件可使允許負(fù)載電流增加60%。組件的成本在 0.17k 批量中低于 1 美元。

圖1.調(diào)整管和相關(guān)電阻可將該負(fù)線性穩(wěn)壓器中的負(fù)載電流提升 60%。

將SET端子接地可將U1的輸出電壓設(shè)置為-2.5V。U1的最大負(fù)載電流為200mA，額外的元件（Q1， R1， R2和 R3） 從負(fù)載中再吸收 120mA 最大值，產(chǎn)生 （在不降低輸出調(diào)節(jié)的情況下） 320mA 的總最大負(fù)載電流。

R1降低了Q1的功耗，防止Q1的熱失控，并提供瞬時(shí)保護(hù)，防止輸出短路。它還通過限制Q1環(huán)路中的增益來防止振蕩。流過U1的電流從OUT流向VSS，在R2和R3兩端產(chǎn)生VR2的壓降，從而允許Q1在VR2接近Q1的基極至發(fā)射極閾值時(shí)傳導(dǎo)負(fù)載電流。室溫下的閾值 （VBE） 約為 0.7V。

選擇R1、R2和R3的值，以確保R2、R3和Q1在最大負(fù)載電流（本例中為320mA）下消耗最大功率。在320mA時(shí)，U1導(dǎo)通200mA，Q1導(dǎo)通120mA。最大負(fù)載下的組件功耗如下：

PR1 = IR12 × R1 = 120mA2 × 9.1Ω ≈ 131mW
PQ1 = VQ1 × IQ1 = (VSS - VR1 - VOUT) × IQ1 = (5V - 1.1V - 2.5V) × 120mA ≈ 168mW
PR2 = IR22 × R2 = 100mA2 × 18Ω ≈ 180mW
PR3 = IR32 × R3 = 100mA2 × 18Ω ≈ 180mW
PU1 = VU1 × IU1 = (VSS - VR2 - VOUT) × IU1 = (5V - 1.8V - 2.5V) × 200mA ≈ 140mW

為了提供更高的負(fù)載電流，可以通過提高R的功率耗散額定值來輕松修改電路1， R2， R3和 Q1.表1詳細(xì)說明了針對(duì)320mA負(fù)載電流所示的元件。為了提高功耗，電路板應(yīng)有足夠的銅連接到功耗元件的引線。然后熱量通過元件傳導(dǎo)到電路板，擴(kuò)散到銅區(qū)域，并通過對(duì)流從電路板上去除。

表 1.圖1 組件

圖 2b.

圖 2d.

圖 2f.

圖2.曲線和波形表征了圖1的輸出：輸出電壓與負(fù)載電流（a）、輸出電壓與電源電壓（b）、輸出電壓與溫度（c）、線路瞬態(tài)響應(yīng)（d）、負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)（e）和關(guān)斷響應(yīng)（f）。

審核編輯：郭婷