來源：佳能

佳能于3月13日發(fā)售面向前道工序的半導(dǎo)體***新產(chǎn)品----i線※1步進(jìn)式***“FPA-5550iX”，該產(chǎn)品能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn)0.5μm（微米※2）高解像力與50×50mm大視場(chǎng)曝光。

新產(chǎn)品“FPA-5550iX”能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn)50×50mm大視場(chǎng)及0.5μm高解像力曝光，在不斷趨向高精尖化的全畫幅CMOS傳感器制造領(lǐng)域中，使得單次曝光下的高解像力成像成為可能。同時(shí)，通過充分利用高解像力與大視場(chǎng)的優(yōu)勢(shì)，“FPA-5550iX”也可應(yīng)用于頭戴式顯示器等小型顯示設(shè)備制造的曝光工序中。此外，隨著先進(jìn)的XR器件顯示器需求增加，該產(chǎn)品也可廣泛應(yīng)用于大視場(chǎng)、高對(duì)比度的微型OLED顯示器※3制造。新產(chǎn)品“FPA-5550iX”不僅能夠應(yīng)用于半導(dǎo)體器件制造，也可以在最先進(jìn)的XR器件顯示器制造等更廣泛的器件制造領(lǐng)域發(fā)揮其作用。

1. 通過制造方法的革新，兼顧高解像力與大視場(chǎng)曝光，實(shí)現(xiàn)更加穩(wěn)定的鏡頭供應(yīng)

新產(chǎn)品“FPA-5550iX”通過繼承現(xiàn)款機(jī)型“FPA-5510iX”（2015年9月發(fā)售）中采用的投影鏡頭，實(shí)現(xiàn)了0.5μm的高解像力成像。同時(shí)，通過實(shí)現(xiàn)50×50mm的大視場(chǎng)曝光，讓全畫幅CMOS傳感器及XR顯示器制造中所需的大視場(chǎng)、高解像力單次曝光成為可能。此外，通過制造方法的革新，能夠?qū)崿F(xiàn)更優(yōu)質(zhì)、更穩(wěn)定的投影鏡頭供應(yīng)，滿足半導(dǎo)體光刻設(shè)備制造的旺盛需求。

2. 通過采用可讀取各類對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的調(diào)準(zhǔn)用示波器，進(jìn)一步加強(qiáng)制程對(duì)應(yīng)能力

調(diào)準(zhǔn)用示波器不僅具備檢測(cè)直射光的“明場(chǎng)檢測(cè)”功能，還新增了檢測(cè)散射光和衍射光的“暗場(chǎng)檢測(cè)”功能，用戶可根據(jù)使用需求選擇相應(yīng)的檢測(cè)方法。通過可選波長(zhǎng)范圍的擴(kuò)大、區(qū)域傳感器的應(yīng)用，加之可進(jìn)行多像素測(cè)量，最終實(shí)現(xiàn)更低噪點(diǎn)的檢測(cè)效果，即使是低對(duì)比度的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，也可以進(jìn)行檢測(cè)。此外，可以應(yīng)用于各類對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的測(cè)量，加強(qiáng)對(duì)用戶多樣制程的支持能力。比如，作為選裝功能，用戶可以選擇配備能夠穿透硅片的遠(yuǎn)紅外線波長(zhǎng)，以便在背照式傳感器制造過程中對(duì)晶圓背面進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)測(cè)量。

3. 通過與Lithography Plus的協(xié)同，提高運(yùn)轉(zhuǎn)效率

通過與解決方案平臺(tái)“Lithography Plus”（2022年9月上市）的協(xié)同，對(duì)光刻設(shè)備的狀態(tài)進(jìn)行監(jiān)測(cè)、分析，實(shí)現(xiàn)光刻設(shè)備良好的品質(zhì)管控以及更高的運(yùn)轉(zhuǎn)效率。

※1. 使用了i線（水銀燈波長(zhǎng) 365nm）光源的半導(dǎo)體光刻設(shè)備。1nm（納米）是10億分之1米。

※2. 1μm（微米）是100萬分之1米（＝1000分之1mm）。

※3. 通過有機(jī) EL（OLED）獨(dú)有的高畫質(zhì)，使用硅片實(shí)現(xiàn)超高解像力的顯示器制造形式。

※4. 為了對(duì)半導(dǎo)體電路進(jìn)行多層疊加制造，以定位為目的在晶圓上作的標(biāo)識(shí)

〈主要特點(diǎn)〉

1.通過制造方法的革新，兼顧高解像力與大視場(chǎng)曝光，實(shí)現(xiàn)更加穩(wěn)定的鏡頭供應(yīng)

l通過繼承現(xiàn)款機(jī)型“FPA-5510iX”（2015年9月發(fā)售）采用的1/2縮小投影鏡頭，實(shí)現(xiàn)0.5μm的高解像力。

l50×50mm大視場(chǎng)曝光可以對(duì)全畫幅CMOS傳感器以及下一代XR顯示器上所需的大視場(chǎng)實(shí)現(xiàn)高解像力單次曝光。

l通過鏡頭制造方法的革新，可以滿足半導(dǎo)體設(shè)備制造的旺盛需求，實(shí)現(xiàn)高品質(zhì)鏡頭的穩(wěn)定供應(yīng)。

2.通過采用可讀取各類對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的調(diào)準(zhǔn)用示波器，進(jìn)一步加強(qiáng)制程對(duì)應(yīng)能力

l在檢測(cè)直射光的“明場(chǎng)檢測(cè)”功能基礎(chǔ)上，新增了可以檢測(cè)散射光和衍射光的“暗場(chǎng)檢測(cè)”功能。針對(duì)僅憑“明場(chǎng)檢測(cè)”功能難以檢測(cè)與晶圓的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，“暗場(chǎng)檢測(cè)”功能也非常有效。因此，用戶可根據(jù)需求選擇合適的檢測(cè)方式。

對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記示例

l可選波長(zhǎng)范圍擴(kuò)大。采用區(qū)域傳感器※1。通過多像素測(cè)量，選取已獲取信息的平均值，實(shí)現(xiàn)更低噪點(diǎn)。此外，低對(duì)比度的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記也可以測(cè)量。

l可以應(yīng)用于各類對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的測(cè)量，強(qiáng)化對(duì)應(yīng)用戶各類制程的能力，比如，作為選裝功能，用戶可以選擇能穿透硅片的遠(yuǎn)紅外線波長(zhǎng)，以便在背照式傳感器制造過程中對(duì)晶圓背面進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)測(cè)量。

※1. 如數(shù)碼相機(jī)上搭載的長(zhǎng)方形傳感器。能以二維形式獲取圖像。

〈關(guān)于對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記〉

半導(dǎo)體制作需要堆疊多層回路，因此需要精確對(duì)準(zhǔn)電路圖，對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記是其達(dá)成精確堆疊半導(dǎo)體回路的標(biāo)準(zhǔn)。根據(jù)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記可以檢測(cè)出正確的位置信息。

（關(guān)于調(diào)準(zhǔn)用示波器）

是一種可以讀取晶圓上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記并進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)的顯微鏡。其原理是從對(duì)準(zhǔn)光源將光照射到對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記上，透過鏡頭，在區(qū)域傳感器上感光從而進(jìn)行檢測(cè)。

光刻設(shè)備要對(duì)電路圖進(jìn)行多次重復(fù)曝光。其定位精度是非常高的。如果不能對(duì)已經(jīng)曝光的下層部分進(jìn)行準(zhǔn)確定位的話，整個(gè)電路的質(zhì)量會(huì)降低，進(jìn)而導(dǎo)致生產(chǎn)良品率的降低。

3. 通過與Lithography Plus的協(xié)同，提高運(yùn)轉(zhuǎn)效率

l通過與解決方案平臺(tái)“Lithography Plus”（2022年9月上市）的協(xié)同，對(duì)光刻設(shè)備的狀態(tài)進(jìn)行監(jiān)測(cè)分析，實(shí)現(xiàn)光刻設(shè)備良好的品質(zhì)管控以及更高的運(yùn)轉(zhuǎn)效率。

〈大視場(chǎng)半導(dǎo)體光刻設(shè)備的市場(chǎng)動(dòng)向〉

在全畫幅CMOS傳感器的制造中，通過高精度工藝的高解像力一次性曝光的需求不斷增加。同時(shí)，為了營(yíng)造更好的沉浸體驗(yàn)，元宇宙XR器件顯示器等領(lǐng)域?qū)τ诟邔?duì)比度的微型OLED顯示器的需求也日漸增加。因此，不僅在半導(dǎo)體領(lǐng)域，在高精度顯示器制造等領(lǐng)域，新產(chǎn)品也將得到廣泛應(yīng)用。（佳能調(diào)查）

審核編輯黃宇