近日，國星光電開發(fā)的1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件成功通過第三方權(quán)威檢測機構(gòu)可靠性驗證，并獲得AEC-Q101車規(guī)級認證。這標(biāo)志著國星光電第三代半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)品從工業(yè)領(lǐng)域向新能源汽車領(lǐng)域邁出堅實步伐。

國星光電SiC-SBD器件采用TO-247-2L封裝形式,在長達1000小時的高溫、高濕等惡劣環(huán)境下驗證，仍能保持正常穩(wěn)定的工作狀態(tài)，可更好地適應(yīng)復(fù)雜多變的車載應(yīng)用環(huán)境，具備高度的可靠性、安全性和穩(wěn)定性。

此外，相比傳統(tǒng)的硅基二極管產(chǎn)品，SiC-SBD器件在高耐壓、高導(dǎo)熱、低損耗等性能方面表現(xiàn)更出色，并且擁有快速的恢復(fù)時間，可以提高開關(guān)速率，減小磁性元件和其它無源元件的尺寸，更節(jié)省空間與重量，可適配尺寸較小的終端產(chǎn)品，適用于新能源電動汽車的車載充電機、控制系統(tǒng)以及汽車充電樁電路等場景。

此次通過認證的車規(guī)級SiC-SBD是國星光電布局車載應(yīng)用推出的首款車載功率器件，此外，公司車規(guī)級SiC-MOSFET分立器件及all-SiC功率模塊系列產(chǎn)品已同步在車規(guī)系列技術(shù)路線中布局，將為國星光電第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品加快滲透新能源車載領(lǐng)域。

審核編輯 ：李倩