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SPAD陣列讀出電路關(guān)鍵技術(shù)與發(fā)展趨勢

MEMS ? 來源:紅外芯聞 ? 2023-04-03 10:38 ? 次閱讀
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近年來,具有單光子檢測能力的單光子雪崩二極管(SPAD)以其靈敏度高、響應(yīng)速度快、抗干擾能力強(qiáng)、體積小等優(yōu)點(diǎn),在諸如激光雷達(dá)、量子通信、熒光光譜分析等弱光探測領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。SPAD探測器作為一種新型非線性器件,制作工藝復(fù)雜。而且SPAD陣列的各類應(yīng)用需要檢測傳感信號的讀出電路(ROIC)與之配套,以實(shí)現(xiàn)SPAD探測器雪崩信號的提取和處理。

各類應(yīng)用對陣列規(guī)模、探測器信號的提取和處理能力的要求也越來越高。同時(shí)大規(guī)模陣列導(dǎo)致的寄生效應(yīng)、功耗、面積等問題越來越突出,嚴(yán)重影響成像質(zhì)量,陣列型SPAD讀出電路的設(shè)計(jì)面臨很大的挑戰(zhàn)。而如果要與高性能SPAD陣列匹配,讀出電路就必須具備高速、高精度、低功耗的性能特點(diǎn)。因此,單光子紅外探測技術(shù)的發(fā)展既依賴于先進(jìn)傳感器的研制,又離不開具備雪崩信號檢測與處理能力的專用集成電路的研發(fā)。

據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道,近期,東南大學(xué)集成電路學(xué)院的科研團(tuán)隊(duì)在《紅外與激光工程》期刊上發(fā)表了以“SPAD陣列讀出電路關(guān)鍵技術(shù)與發(fā)展趨勢(特邀)”為主題的文章。該文章第一作者為鄭麗霞副教授,主要從事數(shù)?;旌霞呻娐贩矫娴难芯抗ぷ?。通訊作者為孫偉鋒教授,主要從事智能功率器件及可靠性、智能功率集成電路與系統(tǒng)、數(shù)?;旌霞呻娐贩矫娴难芯抗ぷ鳌?/p>

文中首先針對SPAD陣列讀出電路的特點(diǎn),將電路主要分成接口電路與信號處理電路兩大部分,其次根據(jù)單光子雪崩光電探測器的陣列的不同應(yīng)用場景,闡述了集成讀出電路中核心電路模塊設(shè)計(jì)的關(guān)鍵技術(shù)。分別從SPAD的接口電路設(shè)計(jì)、兩種典型應(yīng)用成像模式(光子計(jì)時(shí)、光子計(jì)數(shù))中核心電路的設(shè)計(jì)方面,詳細(xì)分析此類電路的關(guān)鍵技術(shù)以及國內(nèi)外研究團(tuán)隊(duì)在此類電路的研究進(jìn)展與存在的問題。最后根據(jù)目前國內(nèi)外研究的進(jìn)展情況,分析了SPAD陣列集成讀出電路的發(fā)展趨勢以及各類電路存在的設(shè)計(jì)重點(diǎn)與難點(diǎn),為SPAD陣列讀出電路的設(shè)計(jì)提供一些參考。

SPAD陣列接口電路技術(shù)

SPAD正常工作時(shí)主要有待測、雪崩、截止三種狀態(tài)。處于雪崩狀態(tài)時(shí),SPAD會(huì)產(chǎn)生能夠自維持的雪崩電流,需要采用相應(yīng)的電流抑制措施使得雪崩過程及時(shí)停止,否則器件將造成不可逆的損壞。因此,雪崩淬滅電路被提出用來解決上述問題。淬滅電路屬于動(dòng)態(tài)偏置電路,能夠通過切換反偏電壓來控制SPAD的工作狀態(tài)和工作模式,即雪崩倍增效應(yīng)發(fā)生之后,SPAD兩端電壓會(huì)降低使得SPAD快速恢復(fù)到初始狀態(tài),為探測下一個(gè)光子做準(zhǔn)備。

根據(jù)反偏電壓受控方式的不同,淬滅方式主要分為被動(dòng)淬滅、主動(dòng)淬滅以及主、被動(dòng)混和淬滅三類,三種方式在電路復(fù)雜程度、淬滅和復(fù)位時(shí)間、檢測準(zhǔn)確率等方面各有優(yōu)劣。

被動(dòng)淬滅電路的結(jié)構(gòu)示意圖如圖1(a)所示,主要通過與SPAD串聯(lián)的大電阻實(shí)現(xiàn)淬滅功能,此方式結(jié)構(gòu)簡單,但是感應(yīng)電阻會(huì)產(chǎn)生較大的面積消耗,且感應(yīng)電阻與寄生電容共同形成的RC時(shí)間常數(shù)較大,會(huì)導(dǎo)致SPAD的恢復(fù)時(shí)間較長。該方式一般應(yīng)用于單個(gè)探測器或?qū)z測速度要求不高的場景。

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圖1 (a)被動(dòng)淬滅電路,(b)主動(dòng)淬滅電路

主動(dòng)淬滅電路的結(jié)構(gòu)示意圖如圖1(b)所示,在被動(dòng)淬滅電路的基礎(chǔ)上增加了反饋回路和控制開關(guān),從而實(shí)現(xiàn)雪崩電流的主動(dòng)淬滅。該方式電路結(jié)構(gòu)較為復(fù)雜,但是復(fù)位時(shí)間明顯降低,有效減小了死區(qū)時(shí)間,提高了最高工作頻率。

在SPAD陣列的實(shí)際應(yīng)用中,要求接口電路能快速提取雪崩信號并進(jìn)行淬滅。但是由于像素電路的面積和功耗有限,所以主動(dòng)淬滅電路的具體實(shí)現(xiàn)有多種方式??梢圆捎?a target="_blank">電阻或電容感應(yīng)雪崩電流,其中電阻或電容的取值大小仍是關(guān)鍵,需要兼顧電路的速度、功耗和面積。其次檢測閾值的選取也比較關(guān)鍵,閾值的選取與探測器的暗電流、雪崩電流相關(guān)。該參數(shù)可以通過電路建模計(jì)算與仿真擇優(yōu)選擇,從而實(shí)現(xiàn)較高的信噪比。

近年來,隨著SPAD陣列規(guī)模的不斷擴(kuò)大,各研究團(tuán)隊(duì)對SPAD接口電路也有了更高的要求和更深入的研究。

為了解決SPAD擊穿電壓不一致的問題,許多接口電路具備了區(qū)域級或像素級調(diào)節(jié)SPAD反向偏壓的功能,可以分區(qū)域,甚至逐個(gè)像素精確調(diào)節(jié)反向偏壓。東南大學(xué)提出了一種可用于陣列的反偏電壓調(diào)節(jié)電路。如圖2所示,SPAD增益波動(dòng)抑制電路采用DAC方式提供偏置點(diǎn)電壓,位于像素外部,而像素內(nèi)部則采用主動(dòng)淬滅方式,工作原理如下:根據(jù)每個(gè)SPAD探測器的擊穿電壓,確定每個(gè)數(shù)據(jù)選擇器的輸入信號。將一連串的預(yù)設(shè)置的輸入信號DIN通過移位寄存器傳輸給每個(gè)數(shù)據(jù)選擇器并鎖存,同時(shí)將電壓調(diào)節(jié)器各結(jié)點(diǎn)輸出電壓提供給每個(gè)選擇該電壓的像素,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)多像素APD的反偏電壓可調(diào),調(diào)節(jié)之后,陣列的暗計(jì)數(shù)一致性得到明顯改善。

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圖2 偏壓調(diào)節(jié)電路架構(gòu)圖

在光子計(jì)數(shù)應(yīng)用中,探測器工作于自由探測模式,根據(jù)探測器特性及應(yīng)用場景靈活設(shè)置死區(qū)時(shí)間,可以在滿足較高探測效率的前提下減少電路的后脈沖及暗計(jì)數(shù)。2019年,西南技術(shù)物理研究所的團(tuán)隊(duì)提出了一種鐘控死區(qū)時(shí)間可調(diào)架構(gòu),電路架構(gòu)如圖3所示。該架構(gòu)引入了時(shí)鐘信號,在雪崩信號的觸發(fā)下,驅(qū)動(dòng)判別模塊進(jìn)行時(shí)鐘周期的計(jì)數(shù),當(dāng)計(jì)數(shù)碼與調(diào)節(jié)碼一致時(shí),觸發(fā)復(fù)位脈沖的產(chǎn)生,因此調(diào)節(jié)輸入時(shí)鐘的周期即可控制死區(qū)時(shí)間調(diào)節(jié)分辨率及最小死區(qū)時(shí)間。

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圖3 鐘控死區(qū)時(shí)間可調(diào)架構(gòu)

此外,一般SPAD使用的電壓均為10 V以上,遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于ROIC的電源電壓,為了保護(hù)讀出電路,需要在電路上加入高壓擊穿保護(hù)電路,但由于ROIC的工藝一般為普通CMOS工藝,耐壓能力在5 V以內(nèi),而高壓管非常占用面積,無法在像素集成,目前有一些研究團(tuán)隊(duì)提出了一些電路結(jié)構(gòu),但在陣列應(yīng)用中目前尚無較好的解決方案。

SPAD接口電路需要具有雪崩信號提取和淬滅功能,并根據(jù)應(yīng)用需求有像素級SPAD反偏電壓調(diào)節(jié)和死區(qū)時(shí)間調(diào)節(jié)、自恢復(fù)等額外功能。在緊湊的像素面積條件限制下實(shí)現(xiàn)雪崩信號的快速淬滅、提取以及各類功能是當(dāng)前SPAD接口電路面臨的主要問題。

基于光子飛行時(shí)間測量的讀出電路技術(shù)

典型的基于光子飛行時(shí)間(TOF)的成像系統(tǒng)架構(gòu)如圖4所示。系統(tǒng)工作時(shí),首先由主機(jī)/延時(shí)器發(fā)出系統(tǒng)啟動(dòng)指令,ROIC完成測量前的電路復(fù)位,系統(tǒng)處于待測狀態(tài)。隨后主機(jī)發(fā)出激光發(fā)射指令EN,激光器向目標(biāo)發(fā)射激光,同時(shí)ROIC中所有像素的時(shí)間-數(shù)字轉(zhuǎn)換器(TDC)開始計(jì)時(shí)。直到像素的探測器檢測到反射的光子,TDC才停止計(jì)時(shí)。ROIC再將各個(gè)像素量化后的數(shù)據(jù)逐像素傳出,實(shí)現(xiàn)圖像處理與顯示。

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圖4 基于SPAD陣列的TOF成像系統(tǒng)

TDC直接將時(shí)間模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號,同樣需要具有高精度和高轉(zhuǎn)換速度的性能。而利用時(shí)間放大、時(shí)間追趕等電路架構(gòu),傳統(tǒng)獨(dú)立TDC的時(shí)間分辨率已經(jīng)可以達(dá)到1 ps以下。但是,由于像素電路受到嚴(yán)格的面積和功耗限制(一般要求像素中心間距在50 μm以下),所以上述高精度TDC中常用的實(shí)現(xiàn)方法無法用于陣列TDC,導(dǎo)致陣列型TDC的精度難以提升。

在轉(zhuǎn)換位數(shù)有限的條件下,TDC的量化精度和量程相互制約。對于寬動(dòng)態(tài)范圍的量化場合,傳統(tǒng)的單模式TDC難以協(xié)調(diào)精度和量程之間的矛盾。而且單模式TDC如需改善分辨率、提高精度,就需要不斷減小量化單位,導(dǎo)致時(shí)鐘頻率不斷提高、功耗顯著增大,因此,量化精度的提高也會(huì)受到系統(tǒng)功耗的限制。而由不同類型的單模式TDC共同組合(時(shí)空域變換)構(gòu)成的分段式TDC,即有多種不同最低有效位(LSB)作為量化單位的組合式TDC,能夠以更低的代價(jià)高效實(shí)現(xiàn)多位量化,兼顧量程和精度,同時(shí)可以避免時(shí)鐘頻率和系統(tǒng)功耗的過度增加。

光子計(jì)時(shí)讀出電路的主要性能指標(biāo)為陣列規(guī)模、像素面積、時(shí)間分辨率、計(jì)時(shí)量程、幀頻。其中時(shí)間分辨率是關(guān)鍵指標(biāo),陣列時(shí)間-數(shù)字轉(zhuǎn)換電路受像素面積的嚴(yán)格限制,不能采用復(fù)雜電路結(jié)構(gòu),因此是一個(gè)較難實(shí)現(xiàn)的技術(shù)。同時(shí)時(shí)間分辨率與計(jì)時(shí)量程也是一個(gè)折中的關(guān)系,在像素面積和功耗的嚴(yán)格限制下,需要根據(jù)應(yīng)用需求,選擇到底是要看的遠(yuǎn),還是要看的更清的問題。表1從工藝、像素規(guī)模、像元中心距、時(shí)間分辨率、計(jì)時(shí)量程、幀率和系統(tǒng)功耗對比了當(dāng)前先進(jìn)的光子計(jì)時(shí)讀出電路的研究情況。

表1 光子計(jì)時(shí)讀出電路的性能對比

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其次隨著陣列規(guī)模的增大,TDC的功耗成為制約ROIC規(guī)模擴(kuò)大的主要因素。瑞士洛桑理工學(xué)院是較早實(shí)現(xiàn)大面陣讀出電路的研究機(jī)構(gòu)之一,2008年,該機(jī)構(gòu)提出了一種基于TDC共享架構(gòu)的低功耗ROIC,陣列規(guī)模擴(kuò)展至128×128,時(shí)間分辨率最高可達(dá)97 ps,系統(tǒng)架構(gòu)如圖5所示。在該陣列ROIC中僅有32個(gè)TDC模塊,采用行掃描機(jī)制分時(shí)共享TDC,且一行中每四個(gè)像素為一組,一組共享一個(gè)TDC。由于采用TDC共享機(jī)制和逐行掃描方案,所以該系統(tǒng)僅需32個(gè)TDC即可實(shí)現(xiàn)128×128陣列的量化工作,極大地降低了系統(tǒng)功耗。又因?yàn)門DC位于像素陣列外部,面積較為寬裕,所以可以采用一種較為復(fù)雜的多段式TDC架構(gòu),最終系統(tǒng)的時(shí)間分辨率能夠達(dá)到百皮秒以內(nèi)。

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圖5 基于TDC共享方案的ROIC架構(gòu)

TDC共享方案通過減少系統(tǒng)中TDC的個(gè)數(shù)來實(shí)現(xiàn)低功耗,同時(shí)TDC面積不受單個(gè)像素單元的限制,因此可以采用多段式TDC、時(shí)間放大等方法改善時(shí)間分辨率。TDC共享方案可以兼顧功耗與精度,但犧牲了成像分辨率和檢測效率。共享架構(gòu)導(dǎo)致使用同一個(gè)TDC的像素每幀只能探測一個(gè)返回光子,因此TDC共享技術(shù)主要適用于成像幀頻要求不高、光子稀疏的特定應(yīng)用場合。

基于光子計(jì)數(shù)的讀出電路技術(shù)

與基于TOF測量的ROIC不同,基于光子計(jì)數(shù)的ROIC在一個(gè)曝光時(shí)間內(nèi)可以對光子到達(dá)信號進(jìn)行多次檢測。單位曝光時(shí)間內(nèi)檢測到的光子數(shù)量對應(yīng)了不同的目標(biāo)灰度信息,因此該類電路主要用于灰度成像。

光子計(jì)數(shù)讀出電路的基本性能指標(biāo)為陣列規(guī)模,像素面積、計(jì)數(shù)動(dòng)態(tài)范圍。像素面積越小,分辨率越高,成像質(zhì)量越好。計(jì)數(shù)動(dòng)態(tài)范圍則是指一幀曝光內(nèi)能檢測到的光子個(gè)數(shù)的范圍,動(dòng)態(tài)范圍受像素面積的限制。表2為光子計(jì)數(shù)讀出電路的主要研究進(jìn)展。

表2 光子計(jì)數(shù)讀出電路研究進(jìn)展情況

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2015年,林肯實(shí)驗(yàn)室提出了一種基于硅蓋革模式雪崩光電二極管(GM-APD)的256×256光子計(jì)數(shù)系統(tǒng)。該系統(tǒng)將一種硅GM-APD陣列與數(shù)字CMOS計(jì)數(shù)芯片混合集成,其單像素結(jié)構(gòu)框圖如圖6所示,由APD探測器、APD接口電路、APD狀態(tài)鎖存器和7 bit計(jì)數(shù)器構(gòu)成。像素中心距為25 μm,所有探測器的陽極被統(tǒng)一施加偏置電壓,通過全局同步的脈沖信號來調(diào)控APD探測器的工作狀態(tài)。

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圖6 256×256光子計(jì)數(shù)系統(tǒng)的單像素結(jié)構(gòu)框圖

由于每個(gè)像素接受到的光子個(gè)數(shù)不同,因此,每個(gè)像素都具有光子計(jì)數(shù)功能,可以對雪崩信號進(jìn)行計(jì)數(shù)。理論上探測器在檢測到光子并雪崩淬滅后,應(yīng)立即復(fù)位以便準(zhǔn)備下一次檢測。但是,受探測器性能的限制,即連續(xù)工作會(huì)導(dǎo)致探測器的后脈沖發(fā)生率和暗計(jì)數(shù)率較高,所以還要加入探測器死區(qū)時(shí)間調(diào)節(jié)電路。死區(qū)時(shí)間的選取和確定需要綜合多種因素,包括光子密度分布、光子探測率、精度、曝光時(shí)間、最大計(jì)數(shù)率等等,從而在不同光強(qiáng)條件下均能實(shí)現(xiàn)高精度的光子計(jì)數(shù)及數(shù)據(jù)讀出。因此,在該類電路中,死區(qū)時(shí)間的調(diào)節(jié)方法是一個(gè)較為關(guān)鍵的技術(shù)。

2019年,東南大學(xué)提出一種光子時(shí)間自適應(yīng)調(diào)節(jié)的讀出電路結(jié)構(gòu),在電路系統(tǒng)中設(shè)置了判斷電路,將一幀內(nèi)檢測到的光子個(gè)數(shù)與最佳死區(qū)時(shí)間存儲(chǔ)于電路內(nèi),在實(shí)時(shí)檢測光子過程中,對光子個(gè)數(shù)進(jìn)行判斷并與芯片內(nèi)存儲(chǔ)的死區(qū)時(shí)間進(jìn)行對比,實(shí)時(shí)調(diào)節(jié)SPAD的死區(qū)時(shí)間,達(dá)到了最優(yōu)的探測率。

光子計(jì)時(shí)是通過TDC對光子的飛行時(shí)間直接測量,在有限像素面積下,TDC精度和量程受到制約,且隨著陣列規(guī)模擴(kuò)大,TDC功耗會(huì)成倍增加。目前主流的解決方法是TDC共享,多個(gè)像素共享同一個(gè)TDC,節(jié)省了面積和功耗,但也帶來了檢測效率下降、成像分辨率下降的問題。光子計(jì)數(shù)是在像素中內(nèi)置計(jì)數(shù)器,對探測到的光子計(jì)數(shù)。由于計(jì)數(shù)器不像TDC需要同時(shí)保證精度和量程,計(jì)數(shù)器所占的面積要遠(yuǎn)小于TDC,光子計(jì)數(shù)受到的像素面積的制約較小。但光子計(jì)數(shù)要求電路能夠自恢復(fù)SPAD,這面臨著后脈沖和暗計(jì)數(shù)問題,如何在保證探測效率的同時(shí),最小化SPAD的后脈沖和暗計(jì)數(shù)是光子計(jì)數(shù)面臨的關(guān)鍵問題。

ROIC發(fā)展趨勢

傳統(tǒng)ROIC的主要功能包括雪崩電流的檢測與淬滅、光子飛行時(shí)間的測量或返回光子個(gè)數(shù)的計(jì)數(shù)、數(shù)據(jù)輸出。數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)和處理一般在片外進(jìn)行。隨著陣列規(guī)模的擴(kuò)大、數(shù)據(jù)量的增加,ROIC的功能也變得更加豐富。近年來主要新出現(xiàn)了以下幾個(gè)趨勢:

(1)片上數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。一般ROIC的像素內(nèi)的寄存器是復(fù)位的,作為TDC將TOF進(jìn)行量化,同時(shí)將量化后的數(shù)據(jù)進(jìn)行存儲(chǔ)傳輸,因此在一幀成像中量化后的數(shù)據(jù)需要實(shí)時(shí)傳輸?shù)叫酒?。隨著陣列規(guī)模的增大,數(shù)據(jù)量急劇增加,但是由于數(shù)據(jù)傳輸速度和數(shù)據(jù)端口數(shù)量的限制,傳統(tǒng)的數(shù)據(jù)傳輸方案越來越成為限制成像幀頻提高的主要因素,片上存儲(chǔ)技術(shù)因此應(yīng)運(yùn)而生。此類ROIC一般將若干個(gè)TDC編為一組,每組共享一個(gè)片上存儲(chǔ)單元。當(dāng)像素檢測到光子觸發(fā)信號后,TDC會(huì)將量化后的數(shù)據(jù)緩存至片上存儲(chǔ)單元,不再占用像素內(nèi)的寄存器,將數(shù)據(jù)量化與傳輸進(jìn)行分離。片上數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)極大地減小了數(shù)據(jù)讀出時(shí)間對系統(tǒng)幀頻的限制,使系統(tǒng)能夠達(dá)到很高的幀頻。然而該技術(shù)需要在電路中設(shè)計(jì)相應(yīng)的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)。還需要解決如何對像素陣列空間進(jìn)行仲裁、尋址,如何將TDC中的數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)單元、再有序讀出等問題,數(shù)字時(shí)序復(fù)雜,需要相關(guān)電路的精密配合。

(2)返回光子事件多回波探測。由于傳統(tǒng)的基于TOF測量的成像系統(tǒng)在每一幀曝光時(shí)間內(nèi),最多只檢測一次返回光子,并且暗計(jì)數(shù)和空氣中顆粒物等因素導(dǎo)致像素的虛假探測率較高,所以很容易出現(xiàn)像素在一幀內(nèi)發(fā)生了一次虛假檢測并停止繼續(xù)檢測的情況。ROIC檢測到的大量雪崩信號并不是目標(biāo)光子回波產(chǎn)生的,而是其他因素造成的虛假回波,這也是導(dǎo)致SPAD陣列的實(shí)際成像幀頻無法提升的主要因素之一。多回波探測技術(shù)使ROIC在一幀內(nèi)可以檢測兩次或以上的光子回波,并測量對應(yīng)的TOF。這就提高了每一幀檢測到目標(biāo)光子回波的概率,也便于利用目標(biāo)光子回波的時(shí)空相關(guān)性快速篩選出有效數(shù)據(jù)。多回波探測技術(shù)帶來的問題是寄存器數(shù)量倍增以及邏輯控制電路更加復(fù)雜,這在像素面積嚴(yán)格限制的ROIC電路中是一個(gè)需要折中取舍的問題,因此在實(shí)際應(yīng)用中,多回波檢測電路需要與像素共享或片上存儲(chǔ)等架構(gòu)一起使用,才能實(shí)現(xiàn)多次回波檢測。

(3)自由探測模式。迄今為止,門控模式能夠滿足三維激光雷達(dá)在內(nèi)的大部分應(yīng)用,但其固定時(shí)間間隔使能的操作方式也將SPAD探測器的曝光時(shí)間限制在了門控信號與激光信號同步的低占空比應(yīng)用中。為了將SPAD探測器應(yīng)用在連續(xù)光子事件探測場景中,工作在自由探測模式的SPAD陣列讀出電路近年被開發(fā)。自由探測模式中,各探測器工作于自由模式,相互獨(dú)立、不受統(tǒng)一的門控信號控制。探測器可以在待測、淬滅狀態(tài)之間自由切換,并為每次探測到的光子事件記錄時(shí)間戳。為保證探測的連續(xù),所記錄的時(shí)間戳數(shù)據(jù)還需進(jìn)行實(shí)時(shí)讀出。自由探測模式的時(shí)序邏輯控制比門控模式更復(fù)雜,電路功耗和面積也更大。2017年,普林斯頓光波公司Merlin實(shí)驗(yàn)室研制了一款運(yùn)行在自由探測模式下的讀出電路,像素規(guī)模為32×32,采用蜂窩狀非常規(guī)像素布局,像元中心距為66 μm。自由探測模式讀出電路控制復(fù)雜,精度要求高,電路功耗較傳統(tǒng)門控模式大大提高,成為限制自由探測模式陣列擴(kuò)大的一個(gè)主要因素,因此,自由探測模式目前陣列規(guī)模較小,像素面積也較大。

結(jié)束語

縱觀國內(nèi)外SPAD陣列讀出電路的發(fā)展,電路的性能在提升,但是其提升速度遠(yuǎn)不及其他集成電路。主要的原因是隨著陣列規(guī)模的增大,電路功耗成比例增加,尤其對于普遍需要制冷的SPAD探測器來說,此類問題影響更為嚴(yán)重,成為限制SPAD面陣規(guī)模進(jìn)一步擴(kuò)大的主要因素。事件驅(qū)動(dòng)型TDC、像素共享型TDC的架構(gòu)提出解決了一部分的功耗問題,但是隨著ROIC時(shí)間分辨率精度要求的提升,電路工作頻率的提高,以及電路功能的增加,功耗仍是一個(gè)較難解決的問題。其次,SPAD探測器由于極高的增益,易產(chǎn)生暗計(jì)數(shù),而暗計(jì)數(shù)引起的雪崩與光計(jì)數(shù)類似,電路難以區(qū)分,導(dǎo)致電路TOF的量化數(shù)據(jù)是大量的無效數(shù)據(jù),需要多幀檢測進(jìn)行數(shù)量融合,實(shí)際成像速度非常低。如何在電路硬件中融合去噪算法,也是今后讀出電路需要重點(diǎn)解決的問題。

隨著SPAD陣列應(yīng)用需求的進(jìn)一步發(fā)展,讀出電路將集成更多的功能,進(jìn)一步向感、存、算一體化方向發(fā)展,最終真正實(shí)現(xiàn)單芯片成像。






審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:綜述:SPAD陣列讀出電路關(guān)鍵技術(shù)與發(fā)展趨勢

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