傳導(dǎo)損耗是由設(shè)備寄生電阻阻礙直流電流在DC/DC變換器中的傳導(dǎo)產(chǎn)生的。傳導(dǎo)損耗與占空比有直接關(guān)系。當(dāng)電流較高一側(cè)的MOSFET打開后，負(fù)載電流就會從其中通過。漏源通道電阻(RDSON)產(chǎn)生的功率耗散可以用公式1表示：

其中D = VOUT/VIN= 占空比

對于LM2673這樣的非同步設(shè)備，在MOSFET關(guān)閉時，二極管被正向偏置。在此期間，電感電流通過輸出電容、負(fù)載和正向偏置二極管。負(fù)載電流流過二極管產(chǎn)生的功率耗散可以用公式2表示：

其中VF是選定二極管的正向電壓降。

除了集成MOSFET與環(huán)流二極管中的傳導(dǎo)損耗，電感器中也有傳導(dǎo)損耗，因?yàn)槊恳粋€電感器都有有限的直流電阻（DCR），即線圈中導(dǎo)線的電阻。公式3表示電感器中的功率耗散：

傳導(dǎo)損耗取決于負(fù)載電流。負(fù)載增大時，MOSFET中的傳導(dǎo)損耗會增加，而且是主要損耗因素。傳導(dǎo)損耗加上開關(guān)、驅(qū)動和低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）損耗會產(chǎn)生很多的熱量，增加集成電路（IC）的結(jié)溫。增加的結(jié)溫可以用公式4表示：

其中ICTj是IC的結(jié)溫，TA是環(huán)境溫度，θJA是IC到空氣的熱阻，ICPd是IC中總功率耗散。

MOSFET的RDSON通常有一個溫度系數(shù)(RdsonTco)。當(dāng)IC的結(jié)溫升高時，RDSON會在溫度系數(shù)的基礎(chǔ)上超出額定值。數(shù)據(jù)表可能不含有這一參數(shù)，而TI的WEBENCH? Power Designer軟件可以提供這一信息，用以計算設(shè)計效率，讓計算結(jié)果更精確。公式5可以根據(jù)結(jié)溫調(diào)整RDSON：

其中RdsonNom是 RDSON的額定值，可以在數(shù)據(jù)表中找到。

RDSON的增加取決于設(shè)備的散熱性能和結(jié)溫。不正確的散熱可以導(dǎo)致RDSON的大幅增加，引起最大負(fù)載效率的大幅下降。當(dāng)IC的連接焊盤（DAP）與IC板上的焊接不正確時，就會出現(xiàn)上述情況。

計算損耗是一個迭代過程。在每一次迭代計算IC功率損耗時，都需要評估結(jié)溫和相應(yīng)的RDSON，以得到精確的效率結(jié)果。WEBENCH Power Designer能很好的處理這一過程；還能顯示被動元件損耗的計算結(jié)果。了解這些損耗是非常重要的，因?yàn)檫@可以幫助選擇正確的元件和DC/DC穩(wěn)壓器，以保持良好的效率?，F(xiàn)在，總傳導(dǎo)損耗可以用公式6表示：

有了上述所有損耗，公式7對其進(jìn)行加總得到總損耗：

公式8是得到的DC/DC穩(wěn)壓器設(shè)計效率：

圖1是LM2673在不同輸入電壓時的負(fù)載電流曲線對應(yīng)的整體效率?？梢宰⒁獾截?fù)載電流低時，效率會變差；從文章的第1和第2部分可以知道，這是開關(guān)損耗以及驅(qū)動與LDO的損耗造成的。還需注意在最大負(fù)載電流時，輸入電壓 (VIN)越高效率越低，這是因?yàn)殡妷涸礁唛_關(guān)損耗就越高。負(fù)載電流在1A以上時，低VIN效率會相對較高，因?yàn)殚_關(guān)損耗降低。

圖1：LM2673效率

至此，我的關(guān)于數(shù)據(jù)表中效率的三篇博客文章就全部結(jié)束了?，F(xiàn)在，你應(yīng)當(dāng)能夠理解DC/DC穩(wěn)壓器設(shè)計中不同元件的損耗。根據(jù)你的應(yīng)用需求，你現(xiàn)在可以清楚地確定何時選擇DC/DC穩(wěn)壓器及其開關(guān)頻率、散熱電路板空間，以及何時選擇二極管和電感器等被動元件。

審核編輯：郭婷