四面無(wú)引線(xiàn)扁平 (Ouad Flat No-lead Package, QFN)封裝屬于表面貼裝利封裝，是一種無(wú)引腳且星方形的封裝，其封裝四側(cè)有對(duì)外電氣連接的導(dǎo)電焊盤(pán)（引腳），引腳節(jié)距一般為 0.65mm、0.5mm、0.4mm、0.35mm。 由于封裝體外部無(wú)引腳，其貼裝面積和高度比 QFP 小。QPV 封裝底部中央有一個(gè)大面積外歸的導(dǎo)熱焊盤(pán)。QFN 封裝無(wú)鷗翼狀引線(xiàn)，內(nèi)部引腳與焊盤(pán)之問(wèn)的導(dǎo)電路徑短，自感系數(shù)及體內(nèi)線(xiàn)路電阻低，能提供優(yōu)越的電性能。外露的導(dǎo)熱焊盤(pán)上有散熱通道，使 QFN 封裝具有出色的散熱性。

如下圖所示的分別是 WB-QFN ( Wire Bonding-QFN) 和FC-OFN(Filp Chip-QFN)基本結(jié)構(gòu)示意圖。這些結(jié)構(gòu)加上 MCP 技術(shù)和 SiP 等封裝技術(shù)，為 QFN 的靈活多樣性提供了良好的 I/O 設(shè)計(jì)解快方案，也進(jìn)一步提高了封裝密度。

QFN 封裝工藝流程與傳統(tǒng)封裝的接近，主要差異點(diǎn)如下所述。

(1)QPN 產(chǎn)品框架在塑封前一般采取貼膜工藝，進(jìn)行球焊時(shí)的球焊參數(shù)模式與傳統(tǒng)的有差異，若控制不當(dāng)，會(huì)造成焊線(xiàn)第2點(diǎn)的斷裂；另外，矩陣框架的塑封工藝必須采取多段注射方式來(lái)避免氣泡和沖線(xiàn)的發(fā)生。

（2）QFN產(chǎn)品的分離是采取切割工藝來(lái)實(shí)現(xiàn)的，切割過(guò)程中要采取合適的工藝（如低溫水）來(lái)避免熔錫，采用樹(shù)脂軟刀來(lái)減少切割應(yīng)力，采用合適的切割速度來(lái)避免分層等。

（3） QFN 產(chǎn)品通過(guò)選擇不同收縮率的塑封料來(lái)控制翹曲，不同厚度和大小的芯片需要選擇不同收縮率的塑封料。

（4） QFN 產(chǎn)品的框架均為刻蝕框架，框架設(shè)計(jì)包含應(yīng)力、抗分層、預(yù)防毛刺等考慮因素，框架設(shè)計(jì)的好壞決定著產(chǎn)品品質(zhì)的水平。傳統(tǒng)上芯（裝片）的 QFN 產(chǎn)品的生產(chǎn)工藝流程如下：

倒裝上芯的 QFN 產(chǎn)品的生產(chǎn)工藝流程如下：

隨著現(xiàn)代電子信息技術(shù)的飛速發(fā)展，對(duì)電子產(chǎn)品的小型化、便攜化、多功能、高可靠性和低成本等提出 了越來(lái)越高的要求，因 QFN 封裝可以很好地適應(yīng)了這個(gè)需要，所以其市場(chǎng)份額將會(huì)越來(lái)越大。

審核編輯：湯梓紅