PD/QC快充電源芯片U6649啟動(dòng)快功耗低

輸出功率達(dá)27W的PD/QC快充電源芯片U6649，提供SOP-8無(wú)鉛封裝。是應(yīng)用于中小功率反激式開(kāi)關(guān)電源的高性能電流模式PWM功率轉(zhuǎn)換器。超寬VDD工作電壓范圍，內(nèi)置高壓功率MOS。

PD/QC快充電源芯片U6649設(shè)計(jì)有極低的啟動(dòng)電流，因此采用一個(gè)較大的啟動(dòng)電阻，就可使VDD能很快被充到VDD_ON。較大的啟動(dòng)電阻可降低啟動(dòng)損耗并保證可靠啟動(dòng)。

對(duì)于通用輸入的AC/DC開(kāi)關(guān)電源，僅使用啟動(dòng)電阻和VDD電容的啟動(dòng)電路即可滿足低功耗和快速啟動(dòng)設(shè)計(jì)。U6649的正常工作電流和間歇模式工作電流均極低，可獲得良好的平均效率和空載功耗。

U6649 YINLIANBAO

PD/QC快充電源芯片U6649內(nèi)部設(shè)計(jì)有4ms的軟啟動(dòng)時(shí)間，以減少電源啟動(dòng)期間電壓應(yīng)力。軟啟動(dòng)在電源啟動(dòng)瞬間工作，只要VDD電壓達(dá)到VDD_ON，CS閾值經(jīng)過(guò)4ms的時(shí)間從0.05V逐漸增加到最大值。

PD/QC快充電源芯片U6649滿載工作于PWM模式，中小載工作于PFM模式，在輕載和空載時(shí)工作于Burst模式。在輕載或者空載情況下，開(kāi)關(guān)電源的大多數(shù)損耗來(lái)源于功率MOS的開(kāi)關(guān)損耗、變壓器鐵損和緩沖電路損耗。功率損耗于開(kāi)關(guān)頻率正比，較低的開(kāi)關(guān)頻率可以降低功耗，達(dá)到節(jié)能高效的目的。

U6649

PD/QC快充電源芯片U6649在空載或輕載情況下，F(xiàn)B端電壓下降到進(jìn)入間歇模式閾值電壓，關(guān)閉輸出；當(dāng)FB端電壓上升到退出間歇模式閾值電壓，正常輸出。通過(guò)這種間歇式工作，降低了開(kāi)關(guān)損耗，極大的減小了待機(jī)功耗。PFM模式下最低開(kāi)關(guān)頻率22kHz，任何負(fù)載都不會(huì)進(jìn)入音頻范圍，以防止音頻噪聲。

PD/QC快充電源芯片U6649具有±5%的隨機(jī)頻率抖動(dòng)功能，開(kāi)關(guān)頻率抖動(dòng)分散了諧波擾動(dòng)能量，獲得良好的EMI 特性。U6649內(nèi)部設(shè)計(jì)有固定65KHz的開(kāi)關(guān)頻率，無(wú)需外圍定頻元件，可簡(jiǎn)化PCB布局。

審核編輯：劉清