共源級(jí)放大器具有采用電源負(fù)載的共源級(jí),二極管連接方式的負(fù)載的共源級(jí),電流源負(fù)載的共源級(jí),有源負(fù)載的共源級(jí),源級(jí)負(fù)反饋的共源級(jí)。接下來(lái)會(huì)給大家根據(jù)小編自己的理解簡(jiǎn)單介紹一下這五種類型的共源級(jí)放大器。
共源級(jí)放大器的定義
共源級(jí)(common-source)放大器定義為,在柵級(jí)輸入信號(hào),在漏級(jí)輸出信號(hào)。它具有高的輸入阻抗、中等至較高的輸出阻抗,電壓增益大于1。
采用電阻作負(fù)載的共源級(jí)
這是采用電阻作負(fù)載的共源級(jí)的結(jié)構(gòu)圖,電路的大信號(hào)和小信號(hào)的特性我們都需要研究,我們先分析一下電路的大信號(hào)模型。
Vout=VDD-IDRD,對(duì)于M1晶體管而言,VGS=Vin;VDS=Vout。
上圖為輸入-輸出特性曲線。
如果Vin < VTH,M1工作在截止區(qū),ID=0,所以Vout=VDD。
當(dāng)Vin接近VTH時(shí),M1管開(kāi)始導(dǎo)通,存在漏極電流ID,使得Vout減小。因此,我們可以得到:
這里忽視了溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)。Vin越大,Vout越小。M1繼續(xù)工作在飽和區(qū)。
當(dāng)M1處于線性區(qū)和飽和區(qū)邊界時(shí),Vout=Vin-VTH,也就是對(duì)應(yīng)圖中的A點(diǎn)。
當(dāng)Vin > Vin1時(shí),M1工作在線性區(qū):
因?yàn)橐屍骷ぷ髟陲柡蛥^(qū),所以Vout>Vin-VTH,工作在A點(diǎn)的左側(cè)。
對(duì)輸出電壓求關(guān)于輸入電壓的偏導(dǎo)數(shù),可以計(jì)算出增益的大小,當(dāng)然,我們也可以通過(guò)小信號(hào)模型的方法,更為簡(jiǎn)便的看出其增益的大小。小信號(hào)模型如下圖所示。
二極管連接型器件作為負(fù)載的共源級(jí)
在許多CMOS工藝下,電阻的阻值不精確或者物理尺寸不合適,因此,考慮用MOS管代替電阻RD。
把晶體管的柵極和漏極短接,可以起到小信號(hào)電阻的作用。在模擬電路里被稱為“二極管連接型”器件。
此結(jié)構(gòu)的小信號(hào)特性與兩端電阻相似。因?yàn)閂G=VD,所以晶體管總是工作在飽和區(qū)(VDS>VGS-VTH),這點(diǎn)不難理解。因?yàn)楣ぷ髟陲柡蛥^(qū),我們要考慮溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng),那么這個(gè)二極管連接型器件代替電阻的阻值是多少呢?假設(shè)存在體效應(yīng),測(cè)試等效電阻的方法是外加電壓源,假設(shè)產(chǎn)生電流,計(jì)算VX和IX的比值。
我們可以根據(jù)電路的小信號(hào)模型可以看出來(lái)其等效電阻的大小。
我們現(xiàn)在分析采用二極管連接型器件做負(fù)載的共源級(jí),考慮體效應(yīng),忽略溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)。
用二極管連接型器件的等效電阻代替用電阻負(fù)載的共源級(jí)。我們可以非常容易的看出他的增益。
當(dāng)輸入和輸出電平發(fā)生變化時(shí),增益相對(duì)保持不變,這說(shuō)明輸入-輸出特性呈線性。
采用電流源作負(fù)載的共源級(jí)
對(duì)于電阻或者二極管連接的負(fù)載而言,增大阻值會(huì)消耗直流壓降,從而限制輸出電壓的擺幅,不難理解,Vout=VDD-IDRD。
一個(gè)切實(shí)可行的方法就是用不服從歐姆定律的器件代替負(fù)載。
增益可以表示為:
有源負(fù)載的共源級(jí)
我們可以把輸入信號(hào)加在M1和M2的柵極上,使其變?yōu)橐粋€(gè)有源的負(fù)載,
可以看出這是一個(gè)CMOS反相器,利用數(shù)字電路的知識(shí),我們可以列出他的真值表,當(dāng)輸入為高電平時(shí),輸出為低電平;當(dāng)輸入為低電平時(shí),輸出為高電平。
我們可以根據(jù)小信號(hào)模型,計(jì)算出其增益
AV=-(gm1+gm2)(ro1||ro2)
工作在深線性區(qū)的MOS為負(fù)載的共源級(jí)
工作在深線性區(qū)的MOS器件的特性像電阻一樣,因此可以作為共源級(jí)的負(fù)載。
要求Vb足夠低,這樣才能保證M2工作在深線性區(qū)。
所以,電壓增益很容易計(jì)算出來(lái),AV=-gm1Ron2
這個(gè)電路缺點(diǎn)就是Ron2對(duì)于一些參數(shù)的依賴,導(dǎo)致電路難以應(yīng)用。
帶源級(jí)負(fù)反饋的共源級(jí)
為什么要在源級(jí)加一個(gè)反饋電阻呢?這么做有什么意義呢?
由于漏電流與過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓(VGS-VTH)之間的非線性關(guān)系引入了大量的非線性,因此希望緩解這類器件的非線性。一般有2種做法。
第一種是用二極管接法的MOS管做負(fù)載的共源級(jí)的線性特性。
第二種就是在晶體管的源級(jí)串聯(lián)反饋電阻。輸入電壓的一部分降落在電阻RS上而不是柵極的過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓。
第二種方便記憶,分母等于MOS管器件的跨導(dǎo)的倒數(shù)加上源地之間純電阻的串聯(lián)。
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