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資料下載 | 低導(dǎo)通電阻 Nch 功率MOSFET(銅夾片型)產(chǎn)品參考資料

羅姆半導(dǎo)體集團(tuán) ? 來(lái)源:未知 ? 2023-05-17 13:35 ? 次閱讀
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近日羅姆新推出“RS6xxxx系列/RH6xxxx系列”共13款Nch MOSFET產(chǎn)品(40V/60V/80V/100V/150V),備受各個(gè)廠家的青睞。本文將為各位工程師呈現(xiàn)該系列產(chǎn)品的參考資料,助力您快速了解產(chǎn)品各項(xiàng)信息。

點(diǎn)擊下載產(chǎn)品參考資料

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與Pch MOSFET相比,由于Nch MOSFET具有更低的導(dǎo)通電阻,并且在各種電路中具有更出色的易用性,因而目前在市場(chǎng)上更受歡迎。“導(dǎo)通電阻”和“Qgd”是引起MOSFET功率損耗的兩項(xiàng)主要參數(shù),但對(duì)于普通的MOSFET而言,由于導(dǎo)通電阻與芯片尺寸成反比,Qgd會(huì)成比例增加,因此很難同時(shí)兼顧這兩項(xiàng)參數(shù)。針對(duì)這個(gè)課題,羅姆通過(guò)微細(xì)化工藝、采用銅夾片連接、改進(jìn)柵極結(jié)構(gòu)等措施,改善了兩者之間的權(quán)衡關(guān)系。

產(chǎn)品

特點(diǎn)

采用銅夾片結(jié)構(gòu)封裝

支持大電流,封裝電阻更低

同時(shí)降低了導(dǎo)通電阻和柵極電荷容量(權(quán)衡關(guān)系),有助于減少能量損耗

采用銅夾片結(jié)構(gòu)和新工藝元件,實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)超低導(dǎo)通電阻

通過(guò)優(yōu)化器件的柵極結(jié)構(gòu),還同時(shí)降低了柵極電荷容量

以小型5060尺寸和3333尺寸封裝擴(kuò)充產(chǎn)品陣容

產(chǎn)品陣容中包括40V/60V/80V/100V/150V耐壓的13款機(jī)型(24V/36V/48V輸入需要考慮尖峰和噪聲容限)

咨詢或購(gòu)買(mǎi)產(chǎn)品

掃描二維碼填寫(xiě)相關(guān)信息

將由工作人員與您聯(lián)系

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產(chǎn)品

陣容

點(diǎn)擊下方產(chǎn)品型號(hào)查看詳細(xì)信息~

RS6xxxx系列

RS6G120BG

RS6G100BG

RS6L120BG

RS6L090BG

RS6N120BH

RS6P100BH

RS6P060BH

RS6R060BH

RS6R035BH

RS6xxxx系列

RH6G040BG

RH6L040BG

RH6P040BH

RH6R025BH

產(chǎn)品

視頻

關(guān)于本次新品的更多內(nèi)容

您可點(diǎn)擊前往官網(wǎng)查看

END

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原文標(biāo)題:資料下載 | 低導(dǎo)通電阻 Nch 功率MOSFET(銅夾片型)產(chǎn)品參考資料

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原文標(biāo)題:資料下載 | 低導(dǎo)通電阻 Nch 功率MOSFET(銅夾片型)產(chǎn)品參考資料

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    MDD MOS<b class='flag-5'>導(dǎo)</b><b class='flag-5'>通電阻</b>對(duì)BMS系統(tǒng)效率與精度的影響

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    <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>導(dǎo)</b><b class='flag-5'>通電阻</b>參數(shù)解讀