來源：功率半導體社

一、定義

導通電阻（RDSON）指的是在規(guī)定的測試條件下，使MOSFET處于完全導通狀態(tài)時（工作在線性區(qū)），漏極（D）與源極（S）之間的直流電阻，反映了MOSFET在導通狀態(tài)下對電流通過的阻礙程度。

二、測試方法

1）施加柵源電壓 VGS=10V（一般情況下），使器件處于完全導通狀態(tài)。

2）逐漸施加漏源電壓VDS，當流經MOSFET的漏極電流IDS達到特定值時（IDS 一般取器件最大連續(xù)漏極電流的一半），根據(jù)歐姆定律計算導通電阻RDSON=VDS/IDS，如下圖。

三、影響因素

MOSFET器件導通時，內部電阻分布如下圖：

Rcs:源極接觸電阻

Rn+：源區(qū)電阻

Rch：溝道電阻

Ra：積累區(qū)電阻

Rjfet：JFET區(qū)電阻

Repi：漂移區(qū)電阻

Rsub：襯底電阻

Rcd：漏極接觸電阻

RDSON=Rcs+Rn++Rch+Ra+Rjfet+Repi+Rsub+Rcd

MOSFET導通電阻由上述所有電阻串聯(lián)形成，每個區(qū)域電阻改變都會影響器件RDSON；主要受摻雜濃度及溫度影響，導通電阻（RDSON）隨摻雜濃度升高而減小、隨溫度的升高而增加。

不同耐壓平面MOSFET的導通電阻（RDSON）各部分大概占比，如下圖：

對于低壓平面MOS產品，溝道、積累區(qū)及JFET區(qū)導通電阻占得比重較大，因此對于低壓MOS產品一般采用溝槽（Thrench）柵單胞結構，增加單胞密度降低溝道電阻的同時消除JFET區(qū)電阻；對于高壓MOS產品，所有電阻基本降落在漂移區(qū)，出于成本考慮，高壓MOS產品一般為平面柵結構。

4、意義

1）功率損耗

功率損耗P =IDS2* RDSON，導通電阻（RDSON）越小功率損耗越小，系統(tǒng)的能效越高。

2）開關速度

在開關過程中，導通電阻小可以使漏源電壓的下降速度更快，減小開關過程中的能量損耗，從而實現(xiàn)更快的開關轉換。較低的導通電阻有利于提高MOSFET的開關速度。

3）溫升

較小的導通電阻可以使功率損耗降低，器件產生的熱量減少，溫升降低。