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      VCSEL制造工藝全流程

      1770176343 ? 來源：半導(dǎo)體封裝工程師之家 ? 作者：半導(dǎo)體封裝工程師 ? 2023-05-24 10:02 ? 次閱讀
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      作為自動(dòng)駕駛所需的LiDAR等3D傳感技術(shù)的光源，半導(dǎo)體激光器的市場變得活躍起來。其中之一是具有小型化、節(jié)能等優(yōu)點(diǎn)的VCSEL（Vertical Cavity Surface Emitting Laser），下面介紹面向VCSEL的干法工藝。

      VCSEL制造工藝

      1. 外延生長
      在GaAs（砷化鎵）襯底上，通過分子束外延生長由
      多個(gè)周期的AlGaAs(砷化鋁鎵)/GaAs層堆疊在一起的
      AlGaAs/GaAs系DBR（分布反射型Distributed
      Bragg Reflector）。
      2. Patterning＆Mask形成
      為了將外延層做成被稱為 Mesa 的圓柱形，制作一個(gè)掩模圖案。
      3. Mesa加工
      用干法蝕刻進(jìn)行Mesa加工。
      4. 氧化狹窄＆保護(hù)膜形成
      活性層附近設(shè)計(jì)的特定AlGaAs層通過濕法氧化而氧化狹窄
      （氧化狹窄層作為電流和光的封閉結(jié)構(gòu)，
      成為影響VCSEL特性的非常重要的層）。另外，沉積Mesa側(cè)壁保護(hù)膜。
      5. 電極形成
      n型、p型電極形成。

      審核編輯：湯梓紅

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      原文標(biāo)題：VCSEL制造工藝全流程

      文章出處：【微信號(hào)：半導(dǎo)體封裝工程師之家，微信公眾號(hào)：半導(dǎo)體封裝工程師之家】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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