chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

搜索歷史

清空
搜索熱詞
      0
      • 聊天消息
      • 系統(tǒng)消息
      • 評(píng)論與回復(fù)
      VIP于 到期 續(xù)費(fèi)
      登錄后你可以
      • 下載海量資料
      • 學(xué)習(xí)在線課程
      • 觀看技術(shù)視頻
      • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
      會(huì)員中心
      創(chuàng)作中心
      發(fā)布
      創(chuàng)作活動(dòng)

      完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你，還能領(lǐng)取20積分哦，立即完善>

      3天內(nèi)不再提示

      MOSFET晶體管的工藝制造流程

      中科院半導(dǎo)體所 ? 來源：半導(dǎo)體與物理 ? 2024-11-24 09:13 ? 次閱讀
      加入交流群
      微信小助手二維碼

      掃碼添加小助手

      加入工程師交流群

      本文通過圖文并茂的方式生動(dòng)展示了MOSFET晶體管的工藝制造流程，并闡述了芯片的制造原理。

      MOSFET的工藝流程

      芯片制造工藝流程包括光刻、刻蝕、擴(kuò)散、薄膜、離子注入、化學(xué)機(jī)械研磨、清洗等等，在前面的文章我們簡(jiǎn)要的介紹了各個(gè)工藝流程的細(xì)節(jié)，這篇文章大致講解這些工藝流程是如何按順序整合在一起并且制造出一個(gè)MOSFET的。

      1. 我們首先擁有一個(gè)硅純度高達(dá)99.9999999%的襯底。

      a774cf5a-a271-11ef-93f3-92fbcf53809c.png

      硅襯底

      2. 在硅晶襯底上生長(zhǎng)一層氧化薄膜。

      a7876caa-a271-11ef-93f3-92fbcf53809c.png

      生長(zhǎng)氧化薄膜

      3. 均勻的旋涂上光刻膠。

      a7ac1dde-a271-11ef-93f3-92fbcf53809c.png

      膠旋涂光刻膠

      4. 通過光掩膜進(jìn)行光刻，把光掩膜板上的圖案轉(zhuǎn)移到光刻膠上。

      a7b9d154-a271-11ef-93f3-92fbcf53809c.png

      光刻

      5. 感光區(qū)域的光刻膠顯影之后被清洗掉。

      a7e4d778-a271-11ef-93f3-92fbcf53809c.png

      感光

      a80e3afa-a271-11ef-93f3-92fbcf53809c.png

      顯影

      6. 通過刻蝕把沒有被覆蓋光刻膠的氧化薄膜刻蝕掉，這樣把光刻圖案轉(zhuǎn)移到晶圓上了。

      a82b48e8-a271-11ef-93f3-92fbcf53809c.png

      刻蝕

      7. 清洗去掉多余的光刻膠。

      a85a7b18-a271-11ef-93f3-92fbcf53809c.png

      去膠

      8. 再長(zhǎng)一層較薄的氧化膜。之后再通過上面的光刻和刻蝕，只保留柵極區(qū)域的氧化膜。

      a881562a-a271-11ef-93f3-92fbcf53809c.png

      柵氧生長(zhǎng)

      9. 在上面生長(zhǎng)一層多晶硅。

      a8a02438-a271-11ef-93f3-92fbcf53809c.png

      多晶硅生長(zhǎng)

      10. 和第8步一樣通過光刻和刻蝕，只保留柵氧化層上面的多晶硅。

      a8a8815a-a271-11ef-93f3-92fbcf53809c.png

      多晶硅柵極

      11. 在進(jìn)行光刻清洗覆蓋住氧化層和柵極，這樣就對(duì)整片晶圓進(jìn)行離子注入，就有了源極和漏極。

      a8bb3930-a271-11ef-93f3-92fbcf53809c.png

      離子注入

      a8e5fc6a-a271-11ef-93f3-92fbcf53809c.png

      源極和漏極的形成

      12. 在晶圓上面生長(zhǎng)一層絕緣薄膜。

      a9083e74-a271-11ef-93f3-92fbcf53809c.png

      絕緣薄膜

      13. 通過光刻和刻蝕把源極、柵極和漏極的接觸孔刻蝕出來。

      a913c708-a271-11ef-93f3-92fbcf53809c.png

      接觸孔刻蝕

      14. 再在刻蝕的地方進(jìn)行金屬的沉積，這樣就有了源極、柵極和漏極的導(dǎo)電金屬線了。

      a9205e8c-a271-11ef-93f3-92fbcf53809c.png

      金屬沉積

      最后通過各種工藝的組合就制造出來一個(gè)完整的MOSFET。

      a93bbba0-a271-11ef-93f3-92fbcf53809c.png

      完整的MOSFET

      芯片的制造原理

      其實(shí)芯片的底層就是大量的晶體管組成的。

      a977c8a2-a271-11ef-93f3-92fbcf53809c.png

      MOSFET中的源極、柵極、漏極

      a99f7820-a271-11ef-93f3-92fbcf53809c.png

      各種晶體管組成邏輯門

      a9c25fca-a271-11ef-93f3-92fbcf53809c.png

      邏輯門組成運(yùn)算器

      a9fc1936-a271-11ef-93f3-92fbcf53809c.png

      運(yùn)算器組成具有特定功能的集成電路

      aa47eb4a-a271-11ef-93f3-92fbcf53809c.png

      最后組成只有一個(gè)指甲大小的芯片

      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
      • 芯片
        +關(guān)注

        關(guān)注

        462

        文章

        53166

        瀏覽量

        453517
      • MOSFET
        +關(guān)注

        關(guān)注

        150

        文章

        9076

        瀏覽量

        225867
      • 晶體管
        +關(guān)注

        關(guān)注

        77

        文章

        10091

        瀏覽量

        144712

      原文標(biāo)題：芯片制造：MOSFET的一個(gè)工藝流程

      文章出處：【微信號(hào)：bdtdsj，微信公眾號(hào)：中科院半導(dǎo)體所】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

      收藏 人收藏
      加入交流群
      微信小助手二維碼

      掃碼添加小助手

      加入工程師交流群

        評(píng)論

        相關(guān)推薦
        熱點(diǎn)推薦

        MOSFET和晶體管的區(qū)別

        　　MOSFET是一種金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)的縮寫，是一種用于電子電路中的半導(dǎo)體器件
        發(fā)表于 02-25 16:24 ?4066次閱讀

        下一代高速芯片晶體管解制造問題解決了！

        在半導(dǎo)體工藝演進(jìn)到2nm，1nm甚至0.7nm等節(jié)點(diǎn)以后，晶體管結(jié)構(gòu)該如何演進(jìn)？2017年，imec推出了叉片晶體管（forksheet），作為環(huán)柵（GAA）晶體管的自然延伸。不過，產(chǎn)
        發(fā)表于 06-20 10:40

        晶體管的分類與特征

        本篇開始將為大家介紹“Si晶體管”。雖然統(tǒng)稱為“Si晶體管”，不過根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu)，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根
        發(fā)表于 11-28 14:29

        SiC-MOSFET功率晶體管的結(jié)構(gòu)與特征比較

        繼前篇內(nèi)容，繼續(xù)進(jìn)行各功率晶體管的比較。本篇比較結(jié)構(gòu)和特征。功率晶體管的結(jié)構(gòu)與特征比較下圖是各功率晶體管的結(jié)構(gòu)、耐壓、導(dǎo)通電阻、開關(guān)速度的比較。使用的工藝技術(shù)不同結(jié)構(gòu)也不同，因而電氣特
        發(fā)表于 11-30 11:35

        晶體管管芯的工藝流程？

        晶體管管芯的工藝流程？光刻的工藝流程？pcb制版工藝流程？薄膜制備工藝流程？求大佬解答
        發(fā)表于 05-26 21:16

        晶體管的分類與特征

        本文為大家介紹“Si晶體管”（之所以前面加個(gè)Si,是因?yàn)檫€有其他的晶體管，例如SiC）。 雖然統(tǒng)稱為“Si晶體管”，但根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu)，還
        發(fā)表于 06-09 07:34

        MOSFET與晶體管或IGBT相比有何優(yōu)點(diǎn)

        1.MOSFET的速度比晶體管或IGBT快。2.MOSFET的過電流適中；晶體管是一個(gè)流控流型的，要使集電極上的電流增大，基極上的電流就要增大，但是基極上的電流是無用的。IGBT一般使
        發(fā)表于 10-29 08:28

        用分立晶體管設(shè)計(jì)制造的逆變器

        。由于成本下降，可再生能源系統(tǒng)的使用正在世界范圍內(nèi)擴(kuò)大。這些系統(tǒng)需要將直流電源轉(zhuǎn)換為電網(wǎng)同步的交流電源。目前，實(shí)現(xiàn)這項(xiàng)任務(wù)的逆變器是用分立晶體管設(shè)計(jì)制造的。TowerJazz半導(dǎo)體公司
        發(fā)表于 11-11 09:29

        什么是晶體管 晶體管的分類及主要參數(shù)

        的大多數(shù)載流子傳輸。與雙極晶體管相比，場(chǎng)效應(yīng)管具有輸入阻抗高、噪聲低、限頻高、功耗低、制造工藝簡(jiǎn)單、溫度特性好等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于各種放大器、數(shù)字電路和微波電路等?；诠璧慕饘?/div>
        發(fā)表于 02-03 09:36

        什么是鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管？鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管有哪些優(yōu)缺點(diǎn)？

        停留更長(zhǎng)時(shí)間。其他公司由于其流程的性質(zhì)將被迫采用新技術(shù)?！　艠O全能（GAA）晶體管成為FinFET的后繼產(chǎn)品，適用于大幅擴(kuò)展的工藝節(jié)點(diǎn)。GAA結(jié)構(gòu)在柵極和通道之間提供了最重要的電容耦合?！　AA
        發(fā)表于 02-24 15:25

        MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的使用注意事項(xiàng)

        ，可控制電子電路中電子元件的器件。MOSFET是一種以極其低的特性電阻通過控制門電壓，來調(diào)節(jié)傳輸通道在正反兩端的電壓，從而傳輸電子電路的基本晶體管，是由于采用了金屬-氧化物-半導(dǎo)體工藝而開發(fā)出來的
        發(fā)表于 03-08 14:13

        雙極晶體管制造工藝流程(以NPN管為例)

        雙極晶體管制造流程圖。
        發(fā)表于 03-03 11:47 ?322次下載
        雙極<b class='flag-5'>晶體管制造</b><b class='flag-5'>工藝流程</b>(以NPN<b class='flag-5'>管</b>為例)

        Si晶體管的分類與特征

        本篇開始將為大家介紹“Si晶體管”。雖然統(tǒng)稱為“Si晶體管”，不過根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu)，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根
        發(fā)表于 02-09 10:19 ?1224次閱讀
        Si<b class='flag-5'>晶體管</b>的分類與特征

        CMOS晶體管和MOSFET晶體管的區(qū)別

        CMOS晶體管和MOSFET晶體管在電子領(lǐng)域中都扮演著重要角色，但它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)、工作原理和應(yīng)用方面存在顯著的區(qū)別。以下是對(duì)兩者區(qū)別的詳細(xì)闡述。
        的頭像 發(fā)表于 09-13 14:09 ?4841次閱讀

        鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管制造工藝流程

        FinFET(鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管)從平面晶體管到FinFET的演變是一種先進(jìn)的晶體管架構(gòu)，旨在提高集成電路的性能和效率。它通過將傳統(tǒng)的平面晶體管轉(zhuǎn)換為三維結(jié)構(gòu)來減少短溝道效應(yīng)，從而允許更
        的頭像 發(fā)表于 02-17 14:15 ?1796次閱讀
        鰭式場(chǎng)效應(yīng)<b class='flag-5'>晶體管制造</b><b class='flag-5'>工藝流程</b>