提高調(diào)制速度的腔內(nèi)金屬孔徑的VCSEL介紹
日本東京工業(yè)大學展示一種提高調(diào)制速度的腔內(nèi)金屬孔徑的VCSEL，具有大的孔徑有利于光耦合和提高可靠性，能夠?qū)崿F(xiàn)超過5km的SMF傳輸，工作在1050nm，光纖色散更低。
圖1
圖1中左圖為概念圖，底部發(fā)射金屬孔徑的VCSEL示意圖是中間的圖，使用標準的3英寸晶圓，10對SiO2/Ta2O5 DBR提供99.96%的頂層的反射率，底部DBR提供99.25%的反射率。6um的孔徑通過濕氧化工藝實現(xiàn)，孔徑和金屬接觸小于1um，能夠?qū)崿F(xiàn)橫向共振。底部基板是透明的，能夠和MCF實現(xiàn)高效率耦合，且不用使用透鏡。
最右面的圖為16通道的VCSEL陣列照片，芯片尺寸為0.16mm2，相鄰通道間距離為40um，每個區(qū)域數(shù)據(jù)速率密度為2，5Tbps/mm2
圖2
圖2(a)中是16個VCSEL陣列的IV曲線，閾值電流為0.6mA, 6mA時工作電壓為2.2V，SMSR大于40dB，NFP為5um。
本工作在超過5km的傳輸時，3dB帶寬超過25GHz，具有50Gbps(NRZ)和100Gbps PAM4的傳輸能力，實際PAM4觀察了70Gbps的眼圖，帶寬和距離乘積超過250Tbps.km，是850nm VCSEL/MMF鏈路的25倍
編輯：黃飛
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原文標題：【光電通信】2023 OFC速讀 16通道的高速VCSEL 陣列
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