借助 n 溝道和 p 溝道 MOSFET，您可以輕松地實(shí)現(xiàn)單刀雙擲 （SPDT） 開(kāi)關(guān)，以隔離電路的一部分，并在電路其余部分關(guān)閉時(shí)從次級(jí)電源為其供電，以便待機(jī)工作 （圖1 ）。通過(guò)使用互補(bǔ)對(duì)，您可以對(duì) MOSFET 使用單個(gè)控制輸入。這種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中的Si4501DY MOSFET的主元件在5A時(shí)表現(xiàn)出小于0.1V的壓降，并且兩個(gè)MOSFET都采用SO-8封裝。

圖1 n溝道和p溝道MOSFET對(duì)包括一個(gè)先開(kāi)后合、單極、雙擲開(kāi)關(guān)（a）。當(dāng)電路的其余部分關(guān)閉時(shí)，開(kāi)關(guān)隔離電路的一部分，并在待機(jī)操作期間從次級(jí)電源為其供電（b）。

當(dāng) 2N7002 或類(lèi)似的控制 MOSFET 將柵極連接在一起并將它們拉到地時(shí)，p 溝道 MOSFET 導(dǎo)通。通過(guò)關(guān)閉 2N7002 將柵極拉到電源軌上方會(huì)導(dǎo)致 n 溝道 MOSFET 導(dǎo)通。將p溝道MOSFET的柵極拉到源極電位以上不起作用;MOSFET 保持關(guān)斷狀態(tài)，漏電流低。

由此產(chǎn)生的開(kāi)關(guān)是先開(kāi)后合配置，這是確保次級(jí)或始終接通電源永遠(yuǎn)不必為整個(gè)電路供電所必需的。然而，由于MOSFET的快速開(kāi)關(guān)，可能不需要超出正常設(shè)計(jì)規(guī)則的額外電容來(lái)維持工作電壓。

電路中n溝道器件的布置可確保內(nèi)部二極管在子電路隔離時(shí)不導(dǎo)通。在這個(gè)方向上，n溝道MOSFET還為電路通過(guò)二極管的電源提供了一條故障安全路徑。p溝道MOSFET二極管的正向電壓阻止任何電流“反向饋送”次級(jí)電源，假設(shè)兩個(gè)電源的電壓接近。

該電路的一個(gè)應(yīng)用示例是臺(tái)式計(jì)算機(jī)中的高級(jí)配置和電源接口，可在待機(jī)狀態(tài)下提供即時(shí)啟動(dòng)和低功耗。主電源為大功率開(kāi)關(guān)電源，副電源為線性調(diào)節(jié)的60Hz變壓器。