導入寬帶隙半導體 滿足高瓦數(shù)電源供應需求
寬帶隙半導體 (WBG) 是具有更大帶隙的半導體材料，相較于傳統(tǒng)半導體功率器件可適用于更高的電壓操作，更大的功率，且適合用于高溫環(huán)境。在設計下一代高性能電源方案時，氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 是目前熱門且可靠的 WBG 材料選擇。
益登科技 300W 電源解決方案采用以 SiC/GaN 為材料的 MOSFET 和肖特基勢壘二極管，以降低開關損耗和恢復損耗，搭配 PFC 和 LLC 二合一數(shù)字控制器，在重負載和輕負載條件下均有優(yōu)異的效率表現(xiàn)，并且擁有全面的保護功能，包含過壓保護、過流保護、開環(huán)保護等，為用戶提供了穩(wěn)定且可靠的電源供應器。憑借寬帶隙半導體的高功率密度特性，我們的解決方案適用于工業(yè)設備、電競 PC、電動自行車等電源供應需求。
益登科技代理廣泛的電源產(chǎn)品線，為我們的客戶提供整體解決方案，以降低設計成本、加快上市時間并確保良好的質量。聯(lián)系我們以了解更多關于我們的電源解決方案。
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審核編輯 ：李倩
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原文標題：導入寬帶隙半導體 滿足高瓦數(shù)電源供應需求
文章出處：【微信號：gh_35b6c826f6e2，微信公眾號：益登科技】歡迎添加關注！文章轉載請注明出處。
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